中国存储芯片制造商长鑫存储正加速推进下一代DRAM技术研发，并宣布计划于今年底推出采用自主研发的4F²架构的服务器用DDR5产品，试图在先进制程存储芯片领域进一步缩小与三星电子、SK海力士等韩国头部企业的差距。 近日在上海举行的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫科技总裁曹堪宇对外公布了4F²单元结构研发取得关键进展，预计于今年底推出融合4F²单元结构与混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品。 4F²是一种通过缩小DRAM存储单元面积来提高芯片存储密度的技术。传统DRAM主要采用6F²结构，而4F²技术可将单个存储单元的面积从6个特征尺寸单位缩小至4个单位。为实现这一目标，相关技术需要将部分原本平面排列的器件结构改为垂直排列，从而在相同芯片面积内集成更多存储单元，实现存储密度的提升。 随着半导体制程不断微缩，单纯依靠缩小电路尺寸提升存储容量的难度日益增加，研发成本和制造成本也随之上升。在此背景下，通过优化存储单元结构提高集成密度，正成为存储芯片行业探索的重要方向。 三星电子预计将在2028年左右于10纳米以下的下一代工艺中引入4F²技术并实现产品生产。SK海力士则于去年公布了与4F²相关的技术路线图，但尚未公开明确的量产计划。 若长鑫存储能够按计划实现量产，将意味着中国存储芯片企业有望率先在部分先进DRAM制程领域取得新的进展，可能给由三星电子、SK海力士和美光科技长期占据优势的服务器内存市场带来新的竞争变量。 此前，中国存储芯片企业主要集中于通用型DRAM和移动存储等市场，重点提升市场份额。随着人工智能、高性能计算和数据中心需求持续增长，服务器内存的重要性不断上升，先进DRAM技术也成为全球存储芯片企业竞争的重点领域。 不过，对于长鑫存储能否真正实现4F²产品量产，韩国半导体业内仍持谨慎态度。在美国等国家出口管制的影响下，长鑫存储获取阿斯麦生产的极紫外（EUV）光刻设备难度较大。如何在现有设备和工艺条件下提高先进制程的良率，以及如何应对新技术导入过程中可能出现的工艺不稳定等问题，是其面临的挑战。 尽管如此，中国存储芯片产业的快速发展仍引发韩国业界关注。有观点认为，韩国企业目前在高带宽内存（HBM）等先进存储技术领域仍保持一定领先优势，但随着中国企业持续增加研发投入、扩大产能，追赶速度不容小觑。 长鑫存储的资金实力也在不断增强。今年7月，长鑫存储通过首次公开募股（IPO）募集最高666.1亿元人民币，为技术研发和产能扩张提供资金支持。 此外，长鑫存储今年8月宣布新一代移动DRAM LPDDR6进入量产阶段，并于上月宣布启动第五代DRAM工艺量产。接连取得的进展显示，该公司正加快向更先进的存储芯片市场迈进。

中国的内存半导体公司CXMT（长鑫科技）计划利用下一代D램技术进军服务器内存市场。该公司将业务范围从以消费电子设备为主扩展到高性能服务器内存，挑战由三星电子、SK海力士和美国美光主导的高附加值市场。 根据10月12日《中国科创板日报》的报道，CXMT总裁曹堪宇在10月10日举行的行业会议上表示，计划在今年年底前推出采用4F²（4平方）D램架构的下一代DDR5 RDIMM服务器内存产品。RDIMM是一种能够准确保持来自中央处理器信号的硬件缓冲器，4F²是通过减少内存单元面积来提高集成度的下一代D램设计技术。该技术可以在比当前主流的6F²结构更小的面积上布置内存单元，从而提高每个芯片的存储容量。曹总裁表示，CXMT将利用这一技术克服进入服务器内存市场的技术壁垒。 核心技术是垂直包围栅（VSG）晶体管。中国业内专家认为，采用4F²结构后，单元集成度可以比现有设计提高30%至50%。CXMT表示，已公开与该架构相关的300多项专利。 此次产品开发将成为CXMT在服务器内存市场中验证技术竞争力的试金石。天风证券研究院院长在接受《全球时报》采访时表示：“全球三大内存公司也在推进4F²或类似的三维（3D）D램技术开发，但尚未实现大规模商业化。”如果CXMT成功率先实现产品商业化，将在下一代内存市场中获得先发优势，并提升中国高端半导体供应链的竞争力。 与此同时，三星电子计划在2028年实现4F²架构的商业化。三星电子预计将采用在不同晶圆上分别制造内存单元和周边电路，然后通过混合键合的方式进行结合。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

人工智能(AI)半导体的核心部件高带宽内存(HBM)市场的主导权竞争愈发激烈。SK海力士占据市场一半份额，保持领先地位，而三星电子的市场份额迅速扩大，两者之间的差距正在缩小。随着下半年HBM3E向HBM4的世代更替正式启动，预计明年三星电子将在HBM4市场上夺得第一。与此同时，美国美光正在扩大HBM4的生产能力，中国长鑫科技(CXMT)也开始小规模生产HBM3E，HBM市场的竞争格局愈加激烈。根据市场调研机构Counterpoint Research的数据，今年第二季度全球HBM市场中，SK海力士以50%的市场份额保持第一位，但较第一季度的58%下降了8个百分点。三星电子在同一时期的市场份额从21%上升至33%，上涨了12个百分点。因此，SK海力士与三星电子的市场份额差距在一个季度内从37个百分点缩小至17个百分点。美光以18%的市场份额位居第三。随着下半年HBM4的出货量逐步增加，三星电子与SK海力士之间的竞争预计将更加激烈。目前，HBM市场的销售大部分来自第五代HBM3E，但由于英伟达的下一代AI加速器“贝拉·鲁宾”等将搭载第六代HBM4，市场重心也在向HBM4转移。三星电子计划在第三季度将HBM4的销售额扩大至第二季度的三倍以上。SK海力士也完成了HBM4的良率稳定，并开始增产。两家公司还在加快下一代产品HBM4E的开发进度。在HBM3E中，SK海力士所获得的市场优势在HBM4中可能会发生变化。全球投资银行瑞银预计，明年HBM4市场三星电子的市场份额将达到41%，超越SK海力士的39%，成为第一。三星电子的整体HBM出货量预计今年同比增长124%，明年将增长137%。KB证券也预测，三星电子明年将在HBM4市场上以44%的市场份额夺得第一。此外，预计明年三星电子的HBM平均销售价格(ASP)将同比上涨两倍以上。美光也在扩大HBM4的生产能力，以追赶三星电子和SK海力士。业内人士表示，美光预计到今年年底将增加每月最多6万片的HBM生产能力，达到约10万片的规模。与去年每月4万至5万片的水平相比，增加了约两倍。HBM4 12层的生产比例也预计将从年初的20%至30%提高到年底的最大50%。美光在今年第二季度已开始HBM4 12层的量产，HBM4的累计出货销售额已超过10亿美元。中国的追赶也已开始。中国最大的DRAM厂商长鑫科技最近开始小规模生产HBM3E。计划从2027年开始正式量产，最快将在同年向中国的半导体设计公司供货。阿里巴巴的半导体子公司T头和中国AI半导体公司Cambricon已开始评估将CXMT的HBM3E应用于其处理器。长鑫科技原本预计今年将量产HBM3，但其开发速度已加快至更高一级的HBM3E。考虑到三星电子和SK海力士将在2024年开始HBM3E的量产，技术差距大约为三年。然而，长鑫科技的HBM产品在可靠性和速度上被评估低于三星电子、SK海力士和美光的产品。此外，三星电子和SK海力士已经开始扩大HBM4的供应，并着手开发HBM4E，因此在产品世代方面仍然存在差距。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

中国最大的DRAM公司CXMT（长鑫科技）开始生产高带宽内存（HBM）产品HBM3E，相关消息引发全球关注。几个月前，CXMT还被评估为无法稳定生产上一代产品HBM3。 美国信息技术（IT）专业媒体《The Information》在8月31日引用两名知情人士的消息称，CXMT已开始小规模生产HBM3E，并计划在明年扩大产量。生产的HBM3E目前正在两家客户公司进行质量测试，分别是阿里巴巴旗下的AI半导体设计公司平头哥和中国AI半导体公司Cambricon。如果测试通过，CXMT的HBM有望在2027年推出的产品中搭载。 截至今年4月，CXMT的HBM3商业化进度仍不明朗。台湾媒体《Digitimes》曾报道，CXMT在2026年实现HBM3量产的可能性也不大，业内分析认为发热和低良率问题阻碍了稳定生产。HBM经历了HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E和HBM4等多个世代的发展，HBM3E是对HBM3性能的提升版。CXMT能够在未经过HBM3大规模量产阶段的情况下，直接利用积累的技术进入HBM3E的小规模生产阶段。 关注点自然转向设备。HBM生产需要将DRAM垂直堆叠并结合的热压合本德（TC本德）。TC本德市场几乎被韩美半导体垄断。美国在2024年12月加强了对中国半导体设备的出口管制，禁止中国企业进口先进半导体设备。随后在2025年5月，韩美半导体通知中国客户将停止TC本德的出货。 IT专业博主NomadSemi在2025年6月的文章中分析，CXMT可能提前购买并储备了韩美半导体的TC本德。半导体专业分析公司Semiconductor Analysis在2026年6月分析CXMT的HBM供应链时确认，韩美半导体在2024年向CXMT交付了多台TC本德。 综合两份资料，CXMT在2024年已提前获得韩美半导体的TC本德，可能在出口管制和出货停止之前就已储备，并用于此次HBM3E的小规模生产。然而，目前尚未正式确认HBM3E生产线是否实际使用了韩美半导体的设备。CXMT和韩美半导体均拒绝对此进行评论。 此外，CXMT于27日在上海证券交易所科创板上市，通过上市筹集了666亿人民币（约合13,570亿韩元）。CXMT表示，筹集的资金将用于扩大生产能力和研发，预计其中相当一部分将投入HBM的开发。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

中国D램内存企业长鑫科技(CXMT)的订单已满，预计到明年年底都无法再提供额外的供应。 根据中国IT专业媒体快科技的报道，华为和小米等大型IT企业近期与CXMT签订了长期供货合同，导致CXMT在明年年底之前无法满足其他客户的需求。 尽管有报道称苹果希望从CXMT获得D램内存供应，但实际上苹果在至少明年年底之前无法从CXMT获得任何供货。该媒体分析认为，苹果与CXMT的接触可能是为了增强与三星、SK海力士、美光等其他供应商的谈判能力。 该媒体指出，苹果在中国每年销售约5000万部iPhone，每部iPhone配备12GB的D램，这意味着总需求达到6亿GB，而这仅占CXMT生产能力的6.6%。因此，CXMT无法承担如此大规模的额外订单。 目前，CXMT在合肥运营两座12英寸D램工厂和一座北京工厂，月生产能力约为30万片。预计到今年年底，CXMT的生产能力将达到35万片，明年年底将增至42万片，2028年底将达到50万片，生产能力将在两年内增长66%。 同时，高盛近期发布报告预测，CXMT到2028年将满足中国D램需求的约50%和高带宽内存(HBM)需求的40%。 此外，中国媒体援引内部人士的消息称，CXMT开发的LPDDR6已通过客户的质量测试。LPDDR6是一款最新的低功耗移动D램产品。媒体表示，CXMT已于今年3月向客户小米供应了LPDDR6样品，并预计在8月底前通过质量测试。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

中国股市在前一天下跌后，于12日反弹。受人工智能和半导体等技术股反弹的推动，股市整体活跃。当天，上证综合指数上涨0.32%，收于3946.68点；深证成指上涨1.09%，收于14414.43点；创业板指数上涨1.49%，收于3602.08点。 经过一段时间的调整，技术股迎来了买入潮，表现出强劲的上涨势头。中国内存半导体公司CXMT的上市成功，以及DUV（深紫外线）光刻机的国产化消息也成为利好因素。此外，大规模的人工智能数据中心建设正在进行中，中国的人工智能大型模型在全球市场上获得了好评。当天，这些板块整体上涨。 今晚将公布的美国7月消费者物价指数（CPI）也是当天股市的一个焦点。最近，美国就业数据低于预期，市场对美国降息的可能性再次产生了预期。预计今天公布的美国CPI将成为美联储未来利率走向的重要变量。 中东局势的不稳定和国际油价的上涨对中国股市造成了压力。布伦特原油今天上涨0.6%，达到每桶89.46美元。围绕霍尔木兹海峡的美伊紧张局势仍在持续。分析认为，地缘政治风险限制了股市的上涨幅度。 中信证券在当天的报告中指出：“人工智能产业仍然繁荣，技术股和人工智能硬件占据市场主导地位。”并表示：“从中长期来看，无法认为上涨趋势已发生反转，预计在经历箱体震荡后将再次回归上涨趋势。” 当天，内存半导体板块表现强劲。先导基电涨停，CXMT（长鑫科技）涨幅超过6%。根据当天发布的一份报告，预计今年内存半导体市场规模将达到9690亿美元，2027年将达到1.44万亿美元，2028年将达到1.82万亿美元，显示出较高的增长率。此外，未来两年内存半导体供应短缺的情况可能会加剧，预计到2028年供需状况将略有改善。 光模块板块也出现上涨。炬光科技、永鼎股份、可川科技等公司均涨停。美国光模块公司Lumentum宣布其2022年第二季度营收增长109%。随着光模块公司的营收激增得到确认，中国光模块公司的股价也表现强劲。 与此同时，中国人民银行当天公布的美元对人民币中间价为6.7882元，较前一天下调0.0018元，人民币升值0.03%。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

美国机构投资者正在积极购买中国半导体企业的股票。 根据《中资基金报》11日的报道，美国资产管理公司正在其管理的交易所交易基金（ETF）中积极纳入中国半导体企业。中国最大的DRAM制造商CXMT（长鑫科技）于10日正式纳入MSCI中国指数。CXMT的纳入使得跟踪全球指数的被动资金流入的可能性增加。根据当前市值，CXMT预计将在该指数中成为仅次于腾讯的第二大成分股。 美国大型资产管理公司VanEck管理着规模达700亿美元的半导体ETF SMH。VanEck在6月推出了专注于中国半导体企业的SMHC，该基金包含25家中国半导体公司。VanEck的高级产品经理约翰·帕特里克·李在最近的媒体采访中表示：“美国机构投资者对中国半导体的关注正在上升，”并提到“到9月，CXMT将纳入VanEck的ETF。” 由美国主题ETF管理的内存半导体ETF DISK在CXMT上市的首日，即上个月27日，便将该公司股票纳入，纳入比例为10.56%，在美国上市的ETF中，CXMT的比例最高。 克雷恩股份的KSTR同样是投资中国半导体企业的美国上市ETF。截至7月底，坎布里康、高戈和AMEC等中国半导体企业在该基金中占据了前列。该基金的净资产约为3亿7500万美元。 《中资基金报》指出：“美国机构投资者对中国半导体产业持积极展望，”并表示“中国半导体产业正逐步摆脱对中国政府政策支持的依赖，转变为吸引全球机构投资者资金的投资资产。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

2016年，中国成立了两家D램公司。一家是福建省设立的福建晋华，另一家是安徽省全力发展半导体和LCD产业的CXMT（长鑫科技）。虽然同年成立，但两家公司的命运截然不同。 CXMT最近成功上市，成长为与三星电子、SK海力士竞争的全球企业。相反，福建晋华的业务长期停滞，目前仍未取得显著成果。 两家公司在相似的条件下启动，均以建立12英寸晶圆厂为目标，吸引了数百亿人民币的投资。从开工速度来看，福建晋华甚至走在了前面。福建晋华当时与台湾联华电子（UMC）合作，选择了技术转让32纳米D램技术。然而，部分加入联华电子的人力来自美光，2017年美光因涉嫌窃取商业秘密对其提起诉讼。2018年10月，美国商务部将福建晋华列入实体清单，官方理由是“涉嫌窃取美国技术的公司威胁到美国公司的经济生存”。 随即，福建晋华的美国半导体设备和软件供应商停止了交易，原定发货的半导体设备不得不退回仓库。UMC也宣布中止与福建晋华的合作，导致福建晋华的工厂建设在即将完工时停滞。此后，诉讼持续了近六年，最终2024年美国法院对福建晋华的商业秘密窃取指控作出无罪判决。然而，福建晋华已受到不可逆转的伤害。目前，福建晋华利用中国设备重新启动工厂，但与全球企业之间的技术差距依然显著。 相比之下，CXMT走上了完全不同的道路。时任CEO朱一明收购了破产的德国奇梦达的专利组合，并与美国兰博基斯签订了许可协议，合法获取了知识产权，避免了与竞争对手的人力或商业秘密的争议。CXMT于2019年9月在合肥第一工厂开始量产8Gb DDR4。与中国半导体行业普遍情况类似，CXMT的设备依赖度也不低。如果当时美国将CXMT列入实体清单，CXMT也可能走上与福建晋华类似的道路。然而，CXMT没有面临技术窃取指控或刑事案件，美国也缺乏将CXMT列入实体清单的理由。 尽管美国国防部将CXMT列入与中国军方相关的企业名单并施加了一些制裁，但全面禁止设备和技术供应的实体清单登记至今仍未实施。在此期间，CXMT完成了合肥第二工厂和北京第一工厂的建设，这些工厂大量应用了中国半导体设备。随着AI驱动的内存超级周期，CXMT在2025年实现了成立以来的首次盈利。目前，CXMT正与苹果、惠普等进行产品供应谈判，并推动北京第二工厂的建设，展现出快速增长的势头。 这两家公司的分歧最终归结为一个问题：“如何获取技术”。通过UMC的人力转移留下了窃取指控的借口，而CXMT的专利收购则没有留下这样的借口。这一“第一步”彻底分开了两家公司的今天。

在半导体行业中，“时间”即是竞争力。仅仅开发技术是不够的，必须在客户期望的时间内推出产品并实现量产，才能占领市场。随着人工智能（AI）时代的到来，技术变革的周期缩短，这段时间的价值愈加重要。然而，韩国半导体行业再次面临“每周52小时”工作制的争论。政府推动的特区法案中，是否包含对半导体研发人员的工作时间特例，工业通商部与就业劳动部的声音却不尽相同。工业通商部部长金正官表示：“不应强制阻碍年轻人工作的意愿”，强调了改善工作时间制度的必要性。相对而言，就业劳动部部长金英勋指出，国内半导体企业在现行制度下已取得良好业绩，认为例外适用的讨论已过于激烈。当然，工人的健康权和休息权应当得到保护，不能将长时间劳动包装为产业竞争力。然而，现在需要的不是在“是否遵守52小时”这一二元论争中反复纠缠，而是要优先考虑韩国半导体如何比竞争对手更快地开发技术并推向市场。尤其是，近期中国的追赶速度令人感到危机感。中国最大的DRAM企业长鑫科技（CXMT）已经跻身全球DRAM市场第四位，并专注于DDR5、LPDDR5X和高带宽内存（HBM）等下一代技术的获取。凭借巨额的政府支持、积极的设备投资和大规模的人力资源，中国正在迅速缩小与韩国的技术差距。这并不是说要盲目追随中国所谓的“996”长时间劳动。重要的是，竞争对手的政府、企业和人力资源正朝着一个共同目标——确保产业竞争力而加速前进。在我们围绕劳动时间的争论中，竞争对手的研发和生产设施扩张的时钟并没有停止。政府推动的特区法案最终也以速度为核心。工业通商部计划提供约300项监管特例和财政、税收支持，并同时解决许可、用电、用水和投资障碍。此外，研发人员的工作时间特例和弹性、选择性工作制的扩展也在讨论之中。这并不意味着要全面放开52小时的限制。可以通过扩大研发岗位和高收入专业人员的选择权，或灵活管理加班工作单位，同时保障充分的休息和补偿，来实现这一目标。找到既反映产业现状又兼顾劳动权利的解决方案是政府的责任。半导体行业一旦错过时机，难以用金钱弥补。技术开发如果延迟几个月，客户认证和量产进度将受到影响，而竞争对手则可能占领市场。即使投入数十万亿韩元的财政支持并建设大规模集群，如果被制度束缚，无法在关键时刻加速，效果必然会大打折扣。现在，三星电子和SK海力士正处于AI内存繁荣的中心，但这并不是可以放松的时刻。中国的追赶已经开始。我们应将争论的起点从“是否放宽52小时”转变为“在保护工人权利的同时，如何创造出全球最快的研发和开发环境”。在劳动时间的争论中，浪费半导体的黄金时刻的时间已经不多了。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

受SK海力士第二季度业绩不及市场预期拖累，韩国股市继28日“黑色星期二”暴跌后，29日再度重挫，两个交易日接连遭遇“黑色行情”。 据韩国交易所数据，当天KOSPI收于5663.24点，较前一交易日下跌5.98%；创业板指数（KOSDAQ）收于662.68点，下跌6.12%。KOSPI盘中一度冲高至6228.52点，随后急转直下，跌至5262.77点，两度失守6000点关口。 从投资者类型来看，机构投资者净买入3.6092万亿韩元（约合人民币168.7亿元），个人投资者和外国投资者则分别净卖出2.9320万亿韩元和7644亿韩元。 当天，韩国交易所对KOSPI和KOSDAQ市场启动卖方临时停牌（Sidecar）机制后，又相继触发熔断机制（Circuit Breaker），暂停交易20分钟。这也是韩国两大股票市场历史上首次连续两个交易日同步触发熔断机制。 随着SK海力士公布第二季度业绩后股价由涨转跌，市场情绪迅速逆转。SK海力士29日发布业绩公告，第二季度营业利润为60.5426万亿韩元，同比增长557.2%，营业利润率高达76%，均创历史新高。但第二季度业绩仍低于市场预期。 与此同时，在当天举行的业绩说明会上，公司未披露高带宽存储器（HBM）产品价格谈判等市场关注的具体进展，对于股东回报政策也仅表示“正在研究进一步提高股东回报”，令投资者失望情绪迅速蔓延，并引发集中抛售。 受此影响，SK海力士收于140.1万韩元，较前一交易日下跌9.61%；三星电子收于20.85万韩元，较前一交易日下跌5.23%。两家企业同步重挫，拖累KOSPI跌破6000点整数关口，跌至5500点附近，市场此前普遍认为的6000点“底部”支撑位被彻底击穿。 此前，高盛曾指出，将6800点视为KOSPI的关键支撑位，若失守6800点，下一站是可能下探6100至6000点。摩根士丹利此前也曾预计，未来3至6个月KOSPI运行区间为6000点至9000点，韩国证券业界多数分析师同样将6000点视为阶段性底部。 然而，随着KOSPI失守6000点，市场开始重新寻找新的支撑位。分析认为，长鑫科技（CXMT）在上海证券交易所上市表现强劲，韩国股市自身基本面和投资信心持续走弱，也是本轮暴跌的重要原因。 数据显示，截至目前，KOSPI市场7月份累计跌幅已达35.74%，不仅超过1997年亚洲金融危机期间（跌幅27.24%），也创下有记录以来最大单月跌幅。