中国最大的DRAM公司CXMT（长鑫科技）开始生产高带宽内存（HBM）产品HBM3E，相关消息引发全球关注。几个月前，CXMT还被评估为无法稳定生产上一代产品HBM3。

美国信息技术（IT）专业媒体《The Information》在8月31日引用两名知情人士的消息称，CXMT已开始小规模生产HBM3E，并计划在明年扩大产量。生产的HBM3E目前正在两家客户公司进行质量测试，分别是阿里巴巴旗下的AI半导体设计公司平头哥和中国AI半导体公司Cambricon。如果测试通过，CXMT的HBM有望在2027年推出的产品中搭载。

截至今年4月，CXMT的HBM3商业化进度仍不明朗。台湾媒体《Digitimes》曾报道，CXMT在2026年实现HBM3量产的可能性也不大，业内分析认为发热和低良率问题阻碍了稳定生产。HBM经历了HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E和HBM4等多个世代的发展，HBM3E是对HBM3性能的提升版。CXMT能够在未经过HBM3大规模量产阶段的情况下，直接利用积累的技术进入HBM3E的小规模生产阶段。

关注点自然转向设备。HBM生产需要将DRAM垂直堆叠并结合的热压合本德（TC本德）。TC本德市场几乎被韩美半导体垄断。美国在2024年12月加强了对中国半导体设备的出口管制，禁止中国企业进口先进半导体设备。随后在2025年5月，韩美半导体通知中国客户将停止TC本德的出货。

IT专业博主NomadSemi在2025年6月的文章中分析，CXMT可能提前购买并储备了韩美半导体的TC本德。半导体专业分析公司Semiconductor Analysis在2026年6月分析CXMT的HBM供应链时确认，韩美半导体在2024年向CXMT交付了多台TC本德。

综合两份资料，CXMT在2024年已提前获得韩美半导体的TC本德，可能在出口管制和出货停止之前就已储备，并用于此次HBM3E的小规模生产。然而，目前尚未正式确认HBM3E生产线是否实际使用了韩美半导体的设备。CXMT和韩美半导体均拒绝对此进行评论。

此外，CXMT于27日在上海证券交易所科创板上市，通过上市筹集了666亿人民币（约合13,570亿韩元）。CXMT表示，筹集的资金将用于扩大生产能力和研发，预计其中相当一部分将投入HBM的开发。

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