韩美半导体与韩华半导体围绕高带宽存储器（HBM）核心设备热压（TC）本德的供应主导权展开激烈的专利诉讼战。 13日，韩美半导体对韩华半导体提出的专利侵权诉讼表示强烈反对，称这是“损害原始技术价值的尝试”，并计划采取法律行动。韩美半导体批评韩华半导体为“后发者的无理攻击”。 韩美半导体表示，他们在2016年首次开发了TC本德，并在2017年首次向客户供应，确立了市场标准。目前，他们在全球TC本德市场占据首位，并拥有163项相关专利，包括计划申请的专利。 韩美半导体认为，韩华半导体的诉讼是对其技术价值的损害，并表示已准备好充分的先使用权和无效资料，以迅速结束诉讼。 两家公司之间的法律争端起源于SK海力士的HBM TC本德供应权之争。最初由韩美半导体独家供应，但自去年起，韩华半导体也开始向SK海力士供应设备，形成竞争格局。 截至去年，SK海力士从韩美半导体和韩华半导体分别采购了价值552亿韩元和805亿韩元的设备。今年计划进一步多元化供应链。 韩美半导体于2024年12月首先提起诉讼，指控韩华设备侵犯其核心专利。韩华半导体则在去年5月反击，要求专利无效，并在下半年提起反诉，指控韩美半导体的HBM3E TC本德侵犯其专利。双方的首次庭审已于9日在首尔中央地方法院举行，预计争端将长期化。 ※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子和SK海力士决定与全球大科技公司签订3至5年的长期供应合同，放弃一年期的短期合同。此举旨在通过与客户在AI内存开发初期的战略合作，建立稳定的高收益模式。 据业内消息，三星电子计划从今年起对主要客户的新合同至少适用3年以上的LTA。去年还接受季度合同，但今年开始部分转向LTA。 全永铉，三星电子DS部门首席执行官（副会长），在上月18日的股东大会上表示，正在推动将供应合同从年度或季度转为3至5年的多年度合同。 因此，预计将稳定地向微软、谷歌等主要客户供应3年期的内存产品。 此外，SK海力士正在与谷歌商讨5年期的通用DRAM长期供应合同。最初计划为3年，但内部认为3年太短，因此将合同期延长至5年以最大化供应稳定性。 作为谷歌的5代高带宽内存（HBM3E）主要供应商，SK海力士正在讨论以下一代HBM供应为条件，将合同期延长2年。预计上半年内完成最终协调。 过去内存市场以“通用性”为基础，PC和智能手机用的通用DRAM大量生产，按季度固定价格或每日现货价格出售。需求稍有波动，价格就会暴跌，导致巨额亏损。 转向LTA后，可最小化订单断崖风险。提前锁定3至5年以上的供应量，即使经济衰退导致需求骤减，也能通过已承诺的价格和数量来保护业绩。 三星电子在转向LTA时，正在考虑应对DRAM价格波动的供应政策和每年最低供应量方案。 从投资效率来看，这也是有效的。已确定的销售量使得可以进行精确的设备投资，而不是盲目扩张。半导体行业认为，长期合同比例提高将使内存企业的利润率保持在较高水平。 特别是像HBM这样工艺难度高、客户要求不同的产品，需要通过“先接单后生产”的方式来消除库存压力，提高量产效率。 业内人士表示，“内存企业不再需要担心价格下跌而囤积库存，三星电子和SK海力士已成为全球大科技公司的战略基础设施合作伙伴。”

在AI半导体市场波动加剧的背景下，SK海力士高管购入约60亿韩元自家股票，以此向市场展示对HBM增长的信心。SK海力士的郭鲁正总裁及其他高管通过股票期权购入约62亿韩元的自家股票。这不仅是履行奖励制度，更被视为对半导体行业结构性变化的信号性交易。尽管AI半导体需求激增带来业绩改善，但股价波动和高点争议并存，高管的购入行为为市场指明了方向。此次购入时机意义重大。全球半导体市场正处于AI服务器投资周期的启动阶段，HBM需求激增。SK海力士在HBM3E量产中占据领先地位，并计划在下一代HBM4中继续保持技术优势。然而，市场对股价已部分反映此趋势并担忧行业高峰已过。在这种“期待与警惕并存”的情况下，高管购入自家股票被视为比通常内部信号更强的市场信息。尤其是在股票期权行使价格远低于当前股价的情况下，这种购入反映了对未来股价上涨的内部判断。业内认为，这表明HBM主导的业绩周期已进入结构性增长阶段。背景在于内存行业的“游戏规则”正在改变。过去以DRAM和NAND为主的市场因价格周期而波动，但在AI时代，HBM成为决定GPU性能的关键部件，行业结构发生变化。特别是与TSMC的先进封装技术结合的HBM被重新定义为“决定AI系统性能的部件”。在此过程中，SK海力士在英伟达供应链中占据关键位置，获得了不同于传统内存企业的估值。然而，风险因素依然存在。如果AI投资周期放缓或客户多元化延迟，依赖特定客户的风险可能增加。此外，三星电子在HBM市场的追赶也构成中长期竞争因素。因此，保持HBM领先地位和扩大客户组合是维持当前溢价的关键。因此，此次高管购入自家股票不仅是责任经营，更是对未来战略方向的内部押注。尤其是CTO和CDO等技术负责人也参与其中，强调了对技术竞争力的信心。市场关注的焦点包括HBM4的量产时间和良率、是否能扩大英伟达以外的客户群以及先进封装合作结构。这些因素将决定SK海力士能否从“内存企业”转型为“AI基础设施核心玩家”，并影响未来股价走势。此次自家股票购入在AI半导体范式转变中，显示出高管对公司未来价值的信心。这是向市场传递的最直接信息，同时也意味着需要通过相应的业绩来证明。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

分析指出，李在镕的决策在AI半导体市场上取得了成效。三星电子在高带宽内存（HBM）和代工厂领域同时出现反弹信号，重新成为英伟达供应链的关键部分。据业内消息，三星电子在最近的“GTC 2026”上扩大了与英伟达的合作关系，提高了其在AI半导体供应链中的地位。业内人士将此次活动视为三星半导体“重返主导地位的信号”。HBM是逆转的起点。三星电子在HBM3E竞争中失去主导地位后，李在镕紧急任命全永贤为DS部门负责人，进行应对。全永贤上任后，全面重组了HBM开发体系，将分散的DRAM设计、工艺、封装组织整合为以HBM为中心的“统一运营体系”，加快了开发速度。三星电子成功开发了基于10纳米级第六代（D1c）DRAM的核心芯片，并在HBM4产品上取得了竞争优势。这一成果在英伟达供应链中得到了验证，三星电子被纳入下一代GPU“Vera Rubin”的HBM4供应链中，并有望在后续GPU中扩大供应。在GTC现场，英伟达CEO黄仁勋直接提到与三星的合作，业内人士认为这是供应链角色变化的信号。代工厂部门也迎来了变化。尽管曾因收益不佳而传出分拆传闻，但李在镕选择维持并强化代工厂业务。三星电子成功获得英伟达AI芯片“Groq 3 LPU”的生产订单，显示出供应链结构的变化。三星电子在内存和代工厂领域同时供应的能力具有重要意义。业内认为，三星电子已为扩大其在AI半导体全价值链中的影响力奠定了基础。市场关注已转向下一阶段。三星电子正在推进HBM4E、HBM5等下一代产品的开发，未来能否拉开技术差距备受关注。业内人士表示：“HBM组织重组后，开发速度和完成度同时提升，三星在英伟达供应链中的影响力有望进一步扩大。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

“你们做得很好，我感到自豪。”英伟达CEO黄仁勋在美国加州圣何塞举行的GTC 2026上访问了SK海力士展台，并在HBM4样品上签名，称赞他们的努力和成就。业内人士认为，这次访问象征性地展示了SK海力士作为英伟达AI基础设施核心内存供应商的重要性。SK海力士在此次GTC上以“聚焦AI内存”为主题，展示了HBM4和HBM3E等AI内存技术。展馆分为英伟达合作区、产品组合区和活动区，展示了AI内存技术及其应用案例。特别是在英伟达合作区，展示了HBM4、HBM3E和SOCAMM2在英伟达GPU基础AI系统中的应用实例，直观展示了内存在AI系统中的作用。此外，搭载LPDDR5X的英伟达AI超级计算机“DGX Spark”和液体冷却eSSD也在展出，强调了在AI学习和推理过程中减少数据瓶颈的内存技术。产品组合区展示了包括HBM4、HBM3E、服务器用DRAM模块、LPDDR6、GDDR7、eSSD和汽车用内存在内的AI时代内存产品线。SK集团会长崔泰源也亲临现场，谈及全球AI基础设施的前景。他表示，由于AI需求激增，晶圆供应需要4至5年才能满足，预计到2030年全球晶圆供应将短缺约20%。在这种结构性供应短缺的背景下，SK海力士正在加强以HBM为中心的高附加值内存战略。业内认为，黄仁勋的公开支持和崔泰源的市场分析将进一步推动SK海力士的HBM中心AI内存战略。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

据SK海力士17日消息，在3月16日至19日（当地时间）期间，公司参加在美国加利福尼亚州圣何塞举行的“英伟达GTC 2026（GPU技术大会）”，并重点展示面向人工智能（AI）的存储技术及解决方案。英伟达GTC是全球人工智能与加速计算领域的重要技术盛会，汇聚全球科技企业与开发者，发布前沿技术及产业趋势。 SK海力士以“聚焦AI存储器（Spotlight on AI Memory）”为主题设立展区，集中展示AI时代核心基础设施。展区分为英伟达合作区、产品组合区及互动体验区，围绕公司与英伟达的合作成果及AI存储产品展开。 在英伟达合作区，SK海力士展示了HBM4、HBM3E、SOCAMM2等产品在英伟达AI平台中的应用，并呈现搭载GPU加速器的存储架构模型。此外，公司还展出与英伟达联合开发的液冷式企业级固态硬盘（eSSD），以及搭载LPDDR5X的AI超级计算机“DGX Spark”。 产品组合区则集中呈现HBM4、HBM3E、高容量服务器DRAM、LPDDR6、GDDR7及车载存储等产品线，展示公司面向AI基础设施的完整存储解决方案。在互动体验区，SK海力士通过“16层HBM堆叠”模拟体验，展示TSV（硅通孔）工艺及高密度封装技术，帮助参观者理解AI芯片实现高性能的关键原理。 SK海力士表示，随着AI应用快速扩展，存储技术正从传统硬件组件转变为决定AI系统性能与架构的核心要素。公司还透露，GTC期间，SK集团会长崔泰源、SK海力士CEO郭鲁正等高管将与全球科技企业高层会面，探讨AI产业发展趋势及基础设施布局，并寻求中长期合作机会。此外，SK海力士计划通过技术研讨会介绍AI驱动下的制造业发展趋势，以及存储技术在高性能AI系统中的关键作用。

韩国半导体巨头三星电子和SK海力士在美国加州圣何塞举行的英伟达“GTC 2026”大会上展示了高带宽存储器（HBM）等下一代记忆体技术，展开激烈竞争。两家公司在全球舞台上争夺将用于英伟达GPU的记忆体市场。据业内消息，三星电子和SK海力士于16日至19日参加了此次大会。GTC是英伟达每年举办的全球AI大会，展示AI半导体和加速计算技术的最新进展。三星电子在此次活动中展示了其下一代AI记忆体HBM4E，强调其技术优势。HBM4E支持每针16Gbps的速度和最高4.0TB/s的带宽。此外，三星还展示了降低热阻20%以上的HCB技术，支持16层以上的堆叠。三星还展示了针对英伟达“Vera Rubin”平台的记忆体解决方案，强调其在记忆体、代工和封装方面的综合能力。三星计划通过提供全面的记忆体解决方案来扩大在AI基础设施市场的影响力。SK海力士也在GTC上展示了其AI记忆体技术，主题为“AI记忆体聚焦”。展区展示了与英伟达合作的成果，包括HBM4、HBM3E和SOCAMM2等产品。展区还展示了与英伟达合作开发的液冷eSSD和搭载LPDDR5X的AI超级计算机“DGX Spark”。业内人士认为，随着AI数据中心的扩展，HBM需求激增，三星和SK海力士之间的竞争将更加激烈。英伟达新一代GPU平台的推出将加速这一趋势，合作关系成为记忆体厂商竞争力的关键因素。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士在全球AI产业的核心舞台——英伟达GTC 2026上展示其内存技术。该活动于3月16日至19日在美国加州圣何塞举行，吸引全球主要企业和开发者参与，分享AI和加速计算领域的技术和行业方向。SK海力士以“AI内存聚焦”为主题，展示AI时代的内存技术和产品，强调与英伟达AI基础设施的合作成果。展馆分为英伟达合作区、产品组合区和活动区，观众可通过互动内容直观了解AI内存技术。在英伟达合作区，SK海力士展示了HBM4、HBM3E和SOCAMM2等内存产品在英伟达AI平台上的应用。还展示了与英伟达合作开发的液冷eSSD和搭载LPDDR5X的英伟达AI超级计算机DGX Spark。产品组合区展示了HBM4、HBM3E、高容量服务器DRAM模块、LPDDR6、GDDR7、eSSD和汽车内存解决方案等产品。观众可通过操纵杆选择产品，了解其特点和应用。在活动区，观众可以通过“HBM 16层堆叠游戏”体验HBM堆叠结构，了解TSV工艺和高堆叠封装技术。SK海力士还计划在活动期间扩大与全球AI企业的合作。SK集团会长崔泰源和SK海力士CEO郭鲁正将与全球科技巨头会面，交流AI技术发展和基础设施变化的意见。技术会议将介绍AI制造业的发展方向和高性能AI实现中的内存技术作用。SK海力士表示，随着AI技术的发展，内存已成为AI基础设施性能的关键因素，公司将基于内存技术扩大与全球伙伴的合作。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

全球AI半导体市场的关键事件‘英伟达GTC 2026’即将举行。三星电子和SK海力士将展示下一代AI存储HBM4，争夺英伟达的青睐。特别是SK集团会长崔泰源将亲临现场，与英伟达CEO黄仁勋展示密切关系，预计两家公司将展开激烈的订单竞争。据业内消息，英伟达将于16日起在美国加州圣何塞举办为期四天的年度开发者大会‘GTC 2026’。本次大会的亮点是黄仁勋CEO将在主题演讲中发布的下一代AI加速器‘维拉·鲁宾’，其性能超越前作布莱克韦尔，HBM4是必备组件。三星电子和SK海力士将在GTC上设立大型展台，展示其用于英伟达下一代芯片的存储技术。SK海力士将展出HBM3E、HBM4、LPDDR、GDDR7等AI超高速存储产品线。最受关注的是崔泰源会长首次参加GTC。他上月在美国与黄仁勋CEO进行‘啤酒聚会’，展示了紧密的合作关系。此次访问预计将讨论HBM4供应的确定以及涵盖能源和数据中心的AI基础设施合作方案。有观点认为，英伟达未来推出的下一代芯片‘费曼’的合作也可能在讨论之列。三星电子则以‘技术超越’为策略。其最近宣布全球首个HBM4量产出货，并将在GTC上重点展示产品性能。三星电子DS部门副总裁宋永浩将以‘半导体制造与AI的未来’为主题发表演讲，提出将AI融入制造工艺的‘AI工厂’愿景。此次GTC预计将成为决定HBM4供应权的分水岭。HBM4与以往产品不同，具有结合逻辑芯片代工工艺的‘定制存储’特性。三星电子以‘交钥匙’解决方案为主导，与台积电建立联合阵线提高工艺可靠性，而SK海力士则专注于巩固其联盟。业内人士分析称，“英伟达在发布维拉·鲁宾的同时，存储合作伙伴的技术验证也将进入尾声。SK海力士展示了稳固的联盟，而三星电子则凭借量产能力争取更多订单，这将成为今年半导体业绩的关键变量。”2026年AI半导体市场正从‘学习’向‘推理’、从通用芯片向专用芯片快速演变。此次GTC 2026不仅是技术会议，更是检验韩国半导体双雄在全球AI生态系统中地位的试金石。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK集团会长崔泰源将出席下周在美国加州圣何塞举行的英伟达年度技术大会GTC 2026，届时将再次会晤英伟达CEO黄仁勋。 继上月在美国旧金山举行“炸鸡会晤”后，崔泰源与黄仁勋时隔约一个月再度会面，预计将围绕高带宽存储器（HBM）供应及人工智能（AI）半导体合作等议题展开深入讨论。 据经济界5日消息，崔泰源将出席英伟达本月16日（当地时间）在美国加州圣何塞举行的GTC 2026大会，这是崔泰源首次亲临GTC现场。 GTC是英伟达每年举办的全球性技术大会，重点展示AI半导体与计算技术，并涵盖机器人、自动驾驶等多个产业领域的前沿成果与生态布局。今年英伟达预计将在GTC大会上发布下一代AI加速器Vera Rubin，将搭载新一代高带宽存储器HBM4，包括与SK海力士在内的存储芯片企业之间的合作格局将成为本次大会的重要看点。 据悉，英伟达已将今年Vera Rubin等产品所需HBM4产能的约三分之二分配给SK海力士。目前在HBM4市场中，三星电子捷足先登率先实现商业化布局。 SK海力士目前正根据客户需求推进HBM4量产与优化，预计在GTC上亮相的Vera Rubin产品中将采用三星电子的HBM4。 预计崔泰源将同黄仁勋在大会期间重点讨论HBM供应扩大方案，以及下一代AI半导体领域的合作方向。随着AI数据中心扩充，对高性能存储芯片的需求急剧上涨，双方除探讨HBM4供应外，也有望围绕下一代HBM技术开发合作，以及AI基础设施整体战略合作进行磋商。 近年来，SK集团不仅在半导体领域持续加码，也在能源、数据中心等AI基础设施产业积极扩张，市场普遍认为，双方合作范围有望进一步扩大。 此外，SK海力士将在本届GTC大会上展示其与英伟达合作开发的AI存储技术与解决方案，展台将展出HBM4、HBM3E等AI存储产品实物，并同步展示搭载相关产品的英伟达AI系统。