生成型人工智能（AI）正在改变半导体行业的格局。几年前，存储半导体市场的表现主要受DRAM和NAND价格的影响。然而，随着AI服务的普及和数据中心的建设，高带宽内存（HBM）、先进封装和定制半导体（ASIC）等成为决定半导体企业未来价值的关键因素。三星电子与SK海力士在AI半导体领域的竞争日益激烈。

根据业内消息，目前AI时代的最大受益者是SK海力士。SK海力士通过提前向英伟达供应HBM，实际上掌握了AI内存市场的主导权。高附加值的HBM已成为影响AI加速器性能的核心部件，其盈利能力远超传统内存。实际上，SK海力士的HBM在DRAM业务中占据了相当大的比例，成为其核心收益来源。

特别是，SK海力士正在围绕其最大客户英伟达提升HBM市场的控制力。该公司在HBM3E中已获得英伟达的订单优势，预计在HBM4中也将向英伟达提供最多的产品。最近，英伟达首席执行官黄仁勋在访韩期间与SK集团会长崔泰源多次会晤，重申SK海力士是“英伟达最大的内存合作伙伴”，进一步巩固了双方的合作关系。

相对而言，三星电子在HBM市场的反应较慢。由于HBM3E市场中英伟达的供应链进入延迟，导致与SK海力士的差距加大。然而，最近局势有所改变。三星电子已率先进入HBM4的量产阶段，并开始供应HBM4E样品，加快了在下一代市场的布局。最近，HBM4的销售在量产出货4个月内突破10亿美元，预计到年底将超过100亿美元的销售额。

三星电子副会长李在镕最近亲自前往天安的HBM封装生产线，检查生产竞争力和质量现状，这也反映了三星在HBM市场反击的决心。天安工厂是三星电子负责HBM后工序和先进封装的核心基地。李在镕亲自关注生产能力，以应对AI半导体需求的扩大。

未来，设备端AI市场的争夺也是一个关注点。三星电子最近首发了针对设备端AI优化的通用闪存存储（UFS）5.0，数据传输速度比现有产品提高了两倍以上，电力效率提升超过40%。这旨在满足AI智能手机、XR设备和AI可穿戴设备市场的扩展需求。

此前，SK海力士开发了全球最高层的321层NAND，并应用于UFS 4.1。该产品提高了电力效率并减少了厚度，今年第一季度已开始大规模生产。目前，SK海力士正在开发下一代产品，计划不仅满足AI服务器的内存需求，还积极应对设备端AI的需求。