三星电子将采用基于门全环绕(GAA)的2纳米代工工艺于下一代高带宽内存(HBM) HBM5的基础芯片。基于在HBM4和HBM4E中应用的4纳米基础芯片的量产经验，三星电子旨在提升下一代HBM的性能和电力效率，同时扩大人工智能(AI)和高性能计算(HPC)客户的订单，以增强代工业务的增长动力。具子铉副社长在27日的三星电子半导体新闻室采访中表示：“HBM5基础芯片将采用GAA结构的2纳米工艺，并实现更高集成度的硅通孔(TSV)。”这是负责三星电子代工工艺开发的高管首次具体公开HBM5的2纳米基础芯片战略。三星电子DS事业部内存事业部DRAM开发室长黄相俊在今年3月的英伟达年度开发者大会GTC上透露了HBM5的2纳米应用计划，并从代工的角度进行了详细说明。基础芯片是连接堆叠的DRAM核心芯片与图形处理器(GPU)、中央处理器(CPU)等外部处理器的逻辑半导体。随着HBM的数据处理速度加快和对电力效率的要求提高，自HBM4起，基础芯片开始应用代工前沿工艺，而非传统内存工艺。三星电子在HBM4和HBM4E基础芯片上应用了4纳米第四代工艺。该工艺已进入量产第三年，性能和良率得到了验证。其优势在于可以多样选择栅间距和晶体管阈值电压，从而优化产品的性能、面积和漏电流。HBM4E基础芯片采用高集成度、高性能的器件，实现了每秒超过14吉比特(Gbps)的工作速度。通过有效布置金属布线层，减少了功耗，并优化了散热路径。HBM4基础芯片从第一批样品开始就达到了性能和良率目标，工艺准备到结果产生大约耗时3个月。具副社长表示：“预计HBM5的工作速度将比HBM4E提高约50%以上，我们正在准备能够大幅改善工作速度和电力效率的最前沿工艺。”三星电子还将以HBM基础芯片为基础，扩大AI和HPC客户的订单。三星电子正在将4纳米工艺应用于HBM4基础芯片和美国AI企业的AI和HPC用LPU新产品。最近，三星电子与博通等全球企业扩大合作，将以移动为中心的代工客户基础扩大到AI、HPC、云服务提供商(CSP)、汽车电子和机器人领域。三星电子还在推动2纳米工艺的客户多元化。去年下半年，三星电子开始量产2纳米第一代工艺，今年下半年将量产基于改进了良率和性能的第二代工艺的移动产品。公司表示，在获得特斯拉的汽车电子2纳米产品订单后，已从多家AI、HPC及CSP大型客户获得订单。三星电子提供与先进封装和HBM相结合的一站式解决方案。在AI和HPC领域，三星电子将代工工艺、HBM和先进封装结合提供，在数据中心市场进入插拔式光收发器(PO)业务。还在开发基于前沿工艺和三维封装技术的共同封装光学(CPO)技术。具副社长表示：“我们将基于在4纳米HBM4基础芯片上获得的经验和技术竞争力，提前在HBM5中引入2纳米工艺，并通过移动、HBM以及AI、HPC、汽车电子、机器人等领域的客户合作，增强代工技术的领导力。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

【经济日报】三星电子推出了Exynos 2600芯片，旨在超越移动应用处理器市场的长期竞争对手高通。该芯片首次采用AI图形技术，显示出在某些关键性能指标上领先竞争对手的结果，预示着市场格局的变化。根据三星电子的消息，Exynos 2600的核心是被称为ENSS（Exynos Neural Super Sampling）的AI图形优化技术。该技术结合了通过AI分析低分辨率图像并重构为高质量图像的升级技术，以及预测帧间并生成新帧的技术。在运行复杂计算的高规格游戏或高清视频时，该技术减少了GPU的负担，提高了电力效率，实现了更流畅和清晰的画面。技术博主公布的基准测试结果显示，Exynos 2600在3D图形性能测试中比高通AP高出约15%。特别是在光线追踪性能方面，Exynos 2600比竞争对手高出约59%，显示出明显的技术优势。这种性能的背后是三星的技术突破。Exynos 2600是由三星电子代工部门采用业界首创的GAA基础2纳米工艺制造的移动AP。超微细工艺转换是实现性能和电力效率的关键。长期以来在高端智能手机市场上被高通骁龙压制的Exynos，正试图通过工艺技术和AI图形实现复兴。当然，也有观点认为基准测试结果并不完全代表实际用户体验，因为在实际智能手机环境中，热管理能力是保持性能的关键因素。三星电子也意识到这一点，并计划在后续产品Exynos 2700中大幅改善热管理性能。通过将AP和DRAM并排放置在同一基板上，而不是像以前那样将DRAM垂直堆叠在移动AP上，以更有效地分散热量。移动AP市场的竞争已从简单的计算速度转向利用AI提高效率的竞争。三星电子率先推出ENSS这一技术，意义重大。谁将主导AI时代的移动体验？Exynos 2600是三星对此问题的首次回应。

今年全球智能手机中，60%的系统芯片将采用5纳米以下的先进工艺。三星电子率先引入2纳米工艺，可能导致旗舰手机价格上涨。 根据市场研究公司Counterpoint Research的数据，去年5纳米以下工艺的出货比例已超过50%。由于对高性能和AI功能的需求增加，工艺转型正在加速。 报告指出，尽管今年内存供应受限，整体智能手机SoC出货量将减少，但先进工艺的比例将扩大到约60%。 三星电子在Galaxy S26系列中首次采用2纳米工艺的Exynos 2600处理器。预计苹果、Qualcomm和联发科将通过台积电采用2纳米工艺以应对竞争。 Counterpoint Research分析师Shivani Parashar表示，三星的2纳米工艺类似于苹果此前的3纳米转型，增加了对Qualcomm和联发科的竞争压力。 今年先进工艺产品预计将增长18%，每三部智能手机中就有一部采用。 由于2纳米工艺的晶圆成本比3纳米高约30%，下一代旗舰处理器的价格上涨似乎不可避免。预计先进工艺将占全球智能手机SoC收入的86%。 在代工市场，台积电预计将以超过86%的市场份额保持主导地位。 Counterpoint Research补充道，三星电子代工厂将通过扩大自用SoC和与Qualcomm的合作，逐步提高市场份额并增加竞争压力。 ※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子公布了下一代高带宽存储器（HBM）的核心工艺路线图。计划在HBM5中使用基于D1c工艺的核心芯片和2纳米工艺的基底芯片，而HBM5E将采用D1d工艺和2纳米工艺。17日，在美国加州圣何塞举行的“GTC 2026”上，三星电子存储事业部开发副总裁黄尚俊表示：“HBM5和HBM5E都将使用核心芯片和基底芯片结构。”黄副总裁解释说：“HBM5的核心芯片将采用D1c工艺，基底芯片使用2纳米工艺。”他还表示：“HBM5E将采用D1d工艺的核心芯片和2纳米工艺的基底芯片。”HBM是通过垂直堆叠多个存储芯片实现高带宽的AI半导体关键部件。最新一代开始采用将存储核心芯片与负责运算和接口功能的基底芯片分离的结构。此次计划显示三星电子在下一代HBM中结合存储工艺和代工技术的战略。特别是HBM5中确认采用2纳米工艺，预计将扩大三星先进工艺的应用范围。三星电子目前向英伟达等全球AI半导体公司供应HBM，增强其在AI存储市场的竞争力。业内认为，下一代HBM的竞争将不仅限于存储工艺，还将包括代工技术和封装技术的综合竞争。随着AI数据中心市场的快速增长，HBM需求也在急剧增加。随着下一代HBM5技术竞争的加剧，全球存储企业间的竞争将更加激烈。

三星电子正在增加旗舰智能手机中自家移动应用处理器（AP）“Exynos”的使用比例。最近发布的Galaxy S26系列部分型号搭载了Exynos 2600，预计下一代产品中这一比例将大幅增加，市场对新一代芯片“Exynos 2700”的期待也在上升。据业内消息，Galaxy S26系列的基本型号和Plus型号使用了Exynos芯片，而顶级型号Ultra则继续使用高通骁龙芯片。Exynos 2600采用三星代工的2纳米工艺，集成了CPU、GPU和AI运算的NPU，提升了高性能运算和能效。目前，Galaxy S26系列中Exynos的使用比例约为25%。过去因性能争议被排除在旗舰机型之外的Exynos重新回归主要产品线，被业内视为重要变化。三星电子重新扩大Exynos使用的背景是为了改善盈利能力。移动AP是智能手机成本的重要组成部分，增加自家芯片比例可以显著降低成本。市场关注的焦点是新一代芯片“Exynos 2700”。三星电子正在开发该芯片的样品，预计最快将在今年下半年量产。Exynos 2700将采用三星代工的第二代2纳米工艺。预计下一代旗舰智能手机Galaxy S27系列将把Exynos作为核心处理器，业内预测S27系列中Exynos的使用比例将扩大至约50%。三星电子加速Exynos扩张的原因还在于智能手机业务与半导体业务的协同效应。Exynos由系统LSI部门设计，代工部门生产，智能手机销售的增加直接关系到非存储业务的竞争力。Galaxy S26系列的市场反应良好，内部芯片战略的压力有所减轻。随着AI功能的增强和高性能移动游戏需求的增加，智能手机性能竞争加剧，自家AP的竞争力可能成为未来智能手机差异化的重要因素。业内人士表示，“Exynos 2600在一定程度上解决了性能争议，三星内部信心增强。如果新一代Exynos 2700的性能达到预期，旗舰智能手机中自家芯片的比例将进一步提高。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子的下一代旗舰智能手机Galaxy S26系列即将发布，具体细节逐渐浮出水面。知名IT爆料者Evan Blass和PhoneArena等媒体于12日曝光了Galaxy S26全系列的渲染图，引发市场期待。预计该系列将在25日的发布会上亮相，设计精致，采用“芯片双元化”和“显示屏创新”策略。根据渲染图，Galaxy S26系列包括基本款、Plus和Ultra三种型号，提供黑色、白色、钴紫色和天空蓝四种颜色。白色因其简洁而受到好评，Ultra型号还将提供银色和粉金色的在线专属版本。硬件规格方面，基本款和Plus型号预计搭载三星代工的2纳米工艺Exynos 2600芯片，电池容量分别为4300mAh和4900mAh，屏幕尺寸略有增加。业界认为，Exynos 2600在功耗和散热方面能否缩小与高通的差距，将是该系列成败的关键。最高端的Galaxy S26 Ultra展示了顶尖技术，搭载高通骁龙8 Elite 5代芯片，提供强大计算能力，充电速度显著提升，有线60W，无线25W。特别是摄像头模块的改进，广角光圈设计将显著提升低光拍摄性能。最引人注目的创新是Ultra型号的“隐私显示”功能，能在倾斜角度下模糊屏幕内容，增强公共场所的安全性。这是三星在硬件规格竞争达到极限的智能手机市场中，寻求用户体验差异化的新战略。专家认为，Galaxy S26系列对三星电子来说是巩固“移动AI”主导地位和证明代工技术的重要考验。PhoneArena预测，Galaxy S26 Ultra可能像2018年的Galaxy S9一样引领市场潮流。如果2纳米Exynos成功推出，隐私显示等新技术获得市场认可，三星有望在高端手机市场再次巩固其领导地位。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。