韩国半导体产业面临警告信号。中国的内存企业在D램和闪存技术追赶上加速发展。尽管三星电子和SK海力士在先进内存市场保持优势，但中国政府的全力支持和庞大的内需市场使得竞争愈发激烈。预计到2030年，中国的半导体竞争力将超越韩国。15日，业界消息称，韩国经济人协会对去年国内200家主要出口企业进行调查，预测到2030年中国的半导体竞争力将超过韩国。以韩国的竞争力为100，中国的竞争力预计将从去年的99.3提升至2030年的107.1。这意味着在短短五年内，竞争优势可能会发生逆转。不仅是半导体，调查还显示，韩国的显示器、造船、电气电子等十大主要出口行业都将落后于中国。这一预测与中国内存企业的最新动态密切相关。中国D램制造商长鑫科技（CXMT）正在推进下一代服务器用D램的‘4F²’技术，该技术将单元面积减少33%，并计划在今年内实现量产。这项技术能够在同一晶圆上生产更多芯片，从而降低制造成本。三星电子和SK海力士也在研究相关技术，但尚未确定商业化时间。CXMT是否能确保稳定的良率尚不确定。然而，如果成功量产，其对市场的影响将是显著的。随着AI数据中心投资的扩大，内存市场的供应短缺持续，如果中国D램的供应增加，供需失衡可能会比预期更快得到缓解。这也可能导致三星电子和SK海力士的内存繁荣提前结束。CXMT还在扩大与中国大型科技公司的合作。最近与腾讯签订了超过200亿人民币（约合4.1万亿韩元）的服务器用D램长期供应合同。阿里巴巴云、字节跳动、联想、小米等也是其主要客户。CXMT依托庞大的内需市场，稳固了销售渠道，并积累了产品验证经验。其内存业务领域也在逐步扩大。CXMT正在北京新工厂建设闪存研发（R&D）生产线。相反，中国闪存制造商长江存储（YMTC）也在向客户提供低功耗D램样品，考虑进入市场。此前分别负责D램和闪存的中国两大内存企业正在相互渗透各自的领域。在闪存市场，中国的追赶已开始显现。市场研究机构Counterpoint Research的数据显示，YMTC在2023年第二季度的全球闪存出货量市场份额为16.5%，位列三星电子和SK海力士之后，成为全球第三。尽管面临美国的半导体设备出口管制，YMTC依然凭借独特的堆叠技术‘Xtacking’增强了生产竞争力。YMTC不仅在智能手机和PC用闪存方面发力，还在进军AI数据中心企业级固态硬盘（SSD）市场。8月，该公司申请在上海证券市场上市，计划融资约330亿人民币（约合7万亿韩元），以用于生产设备扩充和研发投资。中国追赶的威胁性更在于政府层面的全力支持。中国政府通过巨额补贴和扩大国内半导体采购，支持企业的成长。即使在良率和成本竞争力上暂时落后于韩国企业，依然能够通过持续生产和销售提升技术水平。最近，曾任中国工业和信息化部部长的李乐成访问了CXMT，强调将半导体产业视为与国家安全直接相关的战略产业，并表示将给予全力支持。中国政府计划通过第十五个五年规划（2026-2030年）培育包括高密度内存在内的先进半导体技术及相关产业供应链。然而，目前仍存在至少2至3年的技术差距。CXMT需要证明下一代D램的量产良率，而YMTC则需扩大高附加值产品的比例并确保全球客户。三星电子和SK海力士也在全力开发高带宽内存（HBM）等先进内存技术，以保持技术优势。问题在于，普遍预期中国的追赶将愈加迅速。基于巨额资金和内需市场，如果中国企业扩大通用内存的供应，势必会对韩国企业的市场主导地位和盈利能力造成压力。相较于短期内的技术逆转，更需警惕的是中国持续的生产能力扩张可能改变全球内存市场的格局。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

中国的内存半导体公司CXMT（长鑫科技）计划利用下一代D램技术进军服务器内存市场。该公司将业务范围从以消费电子设备为主扩展到高性能服务器内存，挑战由三星电子、SK海力士和美国美光主导的高附加值市场。 根据10月12日《中国科创板日报》的报道，CXMT总裁曹堪宇在10月10日举行的行业会议上表示，计划在今年年底前推出采用4F²（4平方）D램架构的下一代DDR5 RDIMM服务器内存产品。RDIMM是一种能够准确保持来自中央处理器信号的硬件缓冲器，4F²是通过减少内存单元面积来提高集成度的下一代D램设计技术。该技术可以在比当前主流的6F²结构更小的面积上布置内存单元，从而提高每个芯片的存储容量。曹总裁表示，CXMT将利用这一技术克服进入服务器内存市场的技术壁垒。 核心技术是垂直包围栅（VSG）晶体管。中国业内专家认为，采用4F²结构后，单元集成度可以比现有设计提高30%至50%。CXMT表示，已公开与该架构相关的300多项专利。 此次产品开发将成为CXMT在服务器内存市场中验证技术竞争力的试金石。天风证券研究院院长在接受《全球时报》采访时表示：“全球三大内存公司也在推进4F²或类似的三维（3D）D램技术开发，但尚未实现大规模商业化。”如果CXMT成功率先实现产品商业化，将在下一代内存市场中获得先发优势，并提升中国高端半导体供应链的竞争力。 与此同时，三星电子计划在2028年实现4F²架构的商业化。三星电子预计将采用在不同晶圆上分别制造内存单元和周边电路，然后通过混合键合的方式进行结合。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

中国最大的D램制造商长鑫科技(CXMT)宣布将进行约7万亿韩元规模的大规模投资。CXMT已开始小规模生产HBM3E，意在加快其在HBM领域的竞争力。 CXMT于28日晚通过交易所公告，发布了总额349亿人民币（约7万亿韩元）的新投资计划。其中241亿人民币将用于技术研发项目，108亿人民币将用于后工序测试基地的建设。 特别是在技术研发项目的总投资额241亿人民币中，223亿9800万人民币被分配用于设备采购，占总额的92.94%。项目建设周期为30个月，CXMT计划通过此举加速产品和工艺技术的更新，提高内存密度、能效和性能。 CXMT已经进入HBM3E的开发和生产阶段。HBM是一种通过垂直堆叠多片D램制造的高带宽内存，其微细工艺、良率以及堆叠、封装和测试技术都至关重要。 因此，此次241亿人民币的下一代D램技术投资可能会用于提升HBM所需的高性能D램的工艺技术和生产良率。特别是通过大规模设备投资，预计将增强下一代D램工艺的研发和量产转化能力。 投入108亿人民币的后工序测试基地也与HBM相关。CXMT计划在此建设测试工厂，负责D램测试和模块组装。公司表示，随着生产能力的扩大和产品种类的增加，外部后工序厂商的测试能力可能不足，因此需要建立自有测试能力。自有后工序生产线的建立也是为了应对HBM生产的扩大。 因此，此次投资不仅仅是扩大D램生产能力，更是为了应对HBM3E之后HBM4的高性能内存竞争。 另一方面，美国信息技术专业媒体《信息》在8月31日引用两位知情人士的消息称，CXMT已开始小规模生产HBM3E。生产的HBM3E正在与阿里巴巴旗下的AI半导体设计公司平头哥及中国AI半导体公司Cambricon进行测试。如果测试通过，CXMT的HBM有望在2027年推出的产品中搭载。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

创信内存（CXMT）正在扩大其在全球通用D램市场的份额，紧追三星电子和SK海力士。国内半导体巨头专注于高带宽内存（HBM）等高附加值产品的同时，CXMT则抓住了通用D램市场的供应空白。 根据市场调研公司TechInsights的报告，CXMT明年的全球D램市场份额预计将飙升至18%。今年第二季度，CXMT首次突破10%的市场份额，显示出强劲的增长势头。2023年，其市场份额仅为1%，在短短三年内增长了18倍，确立了全球第四大D램制造商的地位。在三星电子（38%）、SK海力士（25%）和美光（24%）构建的稳固内存垄断体系中，中国企业能够占据两位数的市场份额实属罕见。 中国政府通过补贴支持和强大的生产能力扩张，成为CXMT快速发展的核心动力。CXMT自成立以来，就得到了合肥地方政府的投资和规模达477亿美元（约合66万亿韩元）的国家半导体产业投资基金的集中资金支持。此外，中国还对购买本国芯片的IT企业提供直接补贴，并在公共采购中给予优先权。 CXMT凭借比全球市场价格低20%至30%的优势，向阿里巴巴、字节跳动、腾讯、小米等公司大规模供应DDR5和移动低功耗D램，建立了稳固的订单基础。HP、宏碁等全球PC制造商推出的入门级笔记本电脑系列也通过了质量验证，逐步进入全球供应链。 三星电子和SK海力士在向先进工艺转型方面的策略变得愈加复杂。由于第五代（HBM3E）和第六代（HBM4）HBM的稳定需求和良好的良率，D램业务的整体营业利润率保持在50%至60%之间。然而，随着高附加值AI内存的主要晶圆生产能力优先分配，通用服务器和消费类D램的供应能力相对减少。 产业研究院的研究员金阳平表示：“CXMT的快速增长不仅仅是数量的增加，更意味着通用内存市场的结构性变化。”他指出，“国内企业在专注于高附加值AI内存的同时，也需要在通用市场保持价格主导权，全面增强盈利能力，以应对市场变化。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

中国内存半导体领军企业创信内存科技（CXMT）宣布其第五代技术平台已进入量产阶段，声称为在全球内存市场与三星电子、SK海力士、美光科技等行业领先企业竞争提供了技术突破。 据中国媒体《澎湃新闻》和路透社报道，CXMT在9月20日于中国安徽省合肥举行的“2026世界制造业大会”上正式宣布了第五代技术平台的量产。 CXMT表示，通过这一新平台，可以以更低的成本和电力生产出更高性能的内存芯片。 具体而言，新平台将内存芯片内部的数据存储区域更加紧凑，电路间距缩小至11.95纳米。为此，CXMT采用了多次重复相同制造工艺的“四重图案化”技术，以制造更精细的电路图案。 CXMT副总裁罗晓东表示：“目前我们的工艺技术水平与业界正在量产的最先进工艺相当。” CXMT表示，随着此次微缩工艺的进展，内存集成度也大幅提升。根据CXMT的数据，第五代平台每片晶圆的芯片产量比第四代平台至少增加了50%。因此，产品的电力效率和成本竞争力也得到了改善。 CXMT还发布了基于第五代平台的两款24Gb（千兆位）LPDDR5X产品。LPDDR5X主要用于智能手机等移动设备，是一种低功耗D램。这两款产品的存储数据量比同类产品多出50%，并已开始量产，供应给中国主要智能手机厂商的旗舰产品。 CXMT期待此次量产能够为全球内存市场的供应链多元化做出贡献。 CXMT的技术进展与美国对中国半导体出口限制的背景相吻合，中国正努力降低对外国技术的依赖。自2022年以来，美国已限制中国获取先进半导体、半导体制造设备及相关软件的途径。 CXMT近期在全球D램市场的份额迅速扩大，正加速追赶三星电子和SK海力士。市场调研机构Counterpoint Research的数据显示，CXMT在全球D램市场的份额从去年第二季度的4%上升至今年第二季度的10%。 CXMT今年上半年的营收同比增长约10倍，净利润也实现了扭亏为盈。 高盛预计，CXMT到2028年将能够供应中国D램需求的约一半，并承担中国内存高带宽（HBM）需求的最大40%。

SK海力士计划在2028年将ASML的下一代光刻设备“高NA极紫外光（EUV）”引入D램量产工艺。这一战略旨在突破微细工艺的限制，提高下一代D램的性能和成本竞争力。据路透社等媒体报道，SK海力士表示，目标是在2028年将高NA EUV工艺应用于D램量产。此外，SK海力士还在考虑参与由台积电主导的“大型掩模联盟”。高NA EUV是一种能够实现比现有EUV设备更精细电路的下一代光刻技术。其数值孔径（NA）从现有EUV的0.33提升至0.55。这使得可以一次性形成更精细的图案，从而减少工艺步骤，同时提高半导体的性能和生产效率。自2021年首次在10纳米级4代（1a）D램量产中应用EUV以来，SK海力士已逐步扩大其在先进D램中的应用范围。引入高NA EUV后，SK海力士计划简化现有EUV工艺，并加快下一代内存的开发速度。SK海力士还将参与改变半导体光刻工艺标准的行动。该公司正在考虑参与将现有6英寸光掩模扩大至12英寸的联盟。光掩模是将半导体电路图案转移到晶圆上的原版，扩大其尺寸将提高下一代光刻工艺的生产效率和效能。该联盟包括ASML等全球半导体企业，三星电子也已加入。如果SK海力士参与其中，全球半导体行业围绕下一代EUV设备和大型光掩模的技术标准竞争将进一步加剧。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

由于人工智能(AI)基础设施投资的扩大，导致内存半导体供应紧张，HP、华硕和宏碁等全球PC厂商开始在部分产品中搭载中国长鑫存储科技(CXMT)的D램。 根据《日经亚洲》4日报道，主要PC厂商在今年年中完成了CXMT D램的质量认证，并开始在部分笔记本电脑中有限使用。搭载CXMT芯片的产品主要在美国以外的地区销售。 目前，适用的型号和数量仍然不多。CXMT将其生产能力的相当一部分优先分配给华为等中国客户，而PC厂商也在考虑与三星电子、SK海力士、微创等现有供应商的关系。 一位PC厂商高管表示：“前三大内存厂商占据全球市场90%以上，现在是供应商主导的市场，因此从CXMT获得大量货源是困难的。” CXMT被列入美国国防部与中国军方有关的企业名单，这对美国企业来说也是一种负担。不过，CXMT否认了相关指控，并且并非美国全面交易禁令的对象。 尽管面临这些负担，PC厂商选择CXMT产品的原因在于内存供应紧张的程度非常严重。一些厂商在额外获取中央处理器(CPU)后，急于寻找相应的内存货源，并已扩大到包括CXMT在内的所有可供应厂商。 一位业内人士表示：“市场供应非常有限，因此PC厂商希望与所有可能的供应商进行交易。” 市场调研机构IDC预计，由于内存短缺，今年全球PC市场将萎缩超过11%，而到年底供应条件将进一步恶化。 内存供应紧张为CXMT进入全球PC供应链提供了机会。CXMT已经向腾讯、阿里云、字节跳动等中国主要科技企业供应产品。 然而，随着需求的增加，CXMT的D램价格也并不比三星电子等现有厂商便宜。一位业内人士表示：“CXMT的D램价格绝对不便宜，许多企业正在争取CXMT的货源，因此本季度之后的供应分配也很难预约。” CXMT计划在上海工厂扩建，确保其生产能力是合肥生产基地的2至3倍。扩建项目还包括AI核心部件的高带宽内存(HBM)生产设施。

随着人工智能（AI）半导体需求的急剧增加，主要内存厂商的2027年D램和高带宽内存（HBM）供应量几乎已全部分配完毕。 据台湾IT媒体《Digitimes》报道，三星电子、SK海力士和美光等主要内存厂商最近已与客户完成了2027年物料分配的谈判。购买方为了确保物料，提前支付了定金。 尽管NAND闪存的供应相对宽松，但2027年的物料也在迅速消耗中。三星电子、美光和闪迪的年度NAND供应量已全部售出，预计东芝和SK海力士也将在本月底前确定供应计划。 业界认为，今年7至8月是确保2027年物料的关键时期。一位业内人士表示：“购买者担心竞争对手会加入，导致自己的分配量减少，因此不愿意对外透露合同情况。”他还提到，“部分制造商已通知客户，2027年整体生产物料的分配已结束。” AI投资的扩大也在改变内存市场的交易方式。内存厂商正与大型客户（如超大规模数据中心）签订3至5年的长期供应合同（LTA）。分析认为，内存市场正在摆脱以通用产品为中心的经济周期，向长期供应者优势结构转型。 此外，客户实际获得的物料往往仅为最初请求规模的60%至70%。内存厂商优先满足云服务公司和AI企业的需求，预计PC和智能手机厂商在2027年能够获得的D램物料将比今年减少。 天利巴伊艾数据的董事长表示，HBM和AI服务器用产品占整体D램生产能力的约70%，这将限制PC和智能手机用D램的供应。 企业级固态硬盘（SSD）需求强劲，也对NAND闪存和硬盘供应造成压力。尽管由于新生产设施的投产和消费者需求疲软，预计2027年下半年NAND供需将有所缓解，但业界指出，不能过于乐观地看待扩产效果。如果企业级SSD需求持续，供应短缺可能会持续到2028年。 随着2027年主要物料的提前分配，内存价格的上涨幅度可能会比2026年有所放缓。然而，D램和NAND的最终价格预计将在实际出货时间临近时确定。由于供应短缺和成品厂商的成本压力，短期内难以解决这些问题，《Digitimes》指出。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子凭借存储器业务再次创下季度最高业绩。存储器半导体部门贡献了公司整体利润的99%，推动了业绩增长。预计下半年存储器需求将持续，因此公司计划集中提升下一代高带宽内存（HBM）等先进半导体的竞争力。三星电子于30日发布公告称，2026年第二季度半导体（DS）部门的销售额达到127.5万亿韩元，营业利润为89.2万亿韩元。DS部门整体营业利润率达到70%，而仅D램业务的收益率估计超过80%。半导体业务部门承担了公司整体营业利润的99.7%。这主要是由于人工智能（AI）基础设施投资的扩大，导致存储器半导体价格急剧上涨。HBM等高附加值产品的销售增长也起到了重要作用。特别是三星电子在全球主要存储器制造商中拥有最大的生产能力，因此在通用D램和闪存价格暴涨中获得了最大的收益。三星电子的D램标准晶圆生产量每月达到65万至70万片。三星电子相关人士表示：“在D램、闪存、HBM等所有存储器产品中，面向超大规模客户的出货量均有所增加。”并指出：“HBM4的正式供应使得出货量较上季度增长了10%，D램也实现了个位数的增长，达到了历史最高销售额。”预计存储器供应短缺将持续到2028年。为了确保供应稳定，长期供应合同（LTA）正在扩大。三星电子表示：“我们计划在存储器整体生产能力的60%至70%水平上签订长期供应合同。”并补充道：“随着供应短缺的长期化预期扩散，许多客户请求多年供应合同。”三星电子已与五大全球数据中心客户完成合同，并正在与五家大型客户推进与人工智能（AI）需求相关的额外合同。HBM业务的增长也在加速。根据2026年第一季度的数据，三星电子在全球HBM市场中位列第二，占21%，仅次于SK海力士（58%）。预计2026年第三季度第六代HBM（HBM4）的销售额将比上季度增长三倍以上，预计下半年HBM4的销售额将超过HBM整体销售额的60%。不仅加强下一代HBM技术实力，还提升了代工业务的竞争力。三星电子在HBM4和HBM4E中应用了4纳米第四代工艺，计划在HBM5中采用2纳米工艺进一步提升性能和能效。三星电子强调自己是一家综合性半导体企业，涵盖存储器、代工和封装。三星电子相关人士表示：“今年2纳米的订单数量预计将比去年增加两倍以上。”并表示：“代工部门的盈利转变也将在不久的将来实现。”为了确保技术领导地位，三星电子在投资上毫不吝啬。第二季度的研发费用达到16万亿韩元，创下历史新高，较上季度增长41%。第二季度的资本支出（CAPEX）也比上季度增加了5.5万亿韩元，达到16.8万亿韩元。在代工部门，美国泰勒工厂1号线即将于年内投产，泰勒工厂2号线也将在年内开工，目标是2030年实现量产。证券界预计，良好的业绩将在下半年继续。KB证券预计第三季度存储器价格将至少上涨30%以上，并预测三星电子第三季度的销售额和营业利润分别为209万亿韩元和110万亿韩元，期待连续三个季度的盈利惊喜。今年的全年营业利润预计在380万亿韩元左右，部分分析师甚至提到突破400万亿韩元的可能性。

三星电子在30日的第二季度业绩发布电话会议上表示，随着代理AI的普及，D램、闪存和HBM等所有内存产品的出货量均有所增加，主要面向超大规模客户。 公司指出，HBM4的正式供应使得出货量较上季度增长了10%。同时，D램的销售也实现了个位数的增长，达到了历史最高水平。 在代工业务方面，三星电子表示，随着高收益业务结构的全面重组，预计今年的收益将比去年改善超过30%。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。