三星电子凭借存储器业务再次创下季度最高业绩。存储器半导体部门贡献了公司整体利润的99%，推动了业绩增长。预计下半年存储器需求将持续，因此公司计划集中提升下一代高带宽内存（HBM）等先进半导体的竞争力。

三星电子于30日发布公告称，2026年第二季度半导体（DS）部门的销售额达到127.5万亿韩元，营业利润为89.2万亿韩元。DS部门整体营业利润率达到70%，而仅D램业务的收益率估计超过80%。半导体业务部门承担了公司整体营业利润的99.7%。

这主要是由于人工智能（AI）基础设施投资的扩大，导致存储器半导体价格急剧上涨。HBM等高附加值产品的销售增长也起到了重要作用。特别是三星电子在全球主要存储器制造商中拥有最大的生产能力，因此在通用D램和闪存价格暴涨中获得了最大的收益。三星电子的D램标准晶圆生产量每月达到65万至70万片。

三星电子相关人士表示：“在D램、闪存、HBM等所有存储器产品中，面向超大规模客户的出货量均有所增加。”并指出：“HBM4的正式供应使得出货量较上季度增长了10%，D램也实现了个位数的增长，达到了历史最高销售额。”

预计存储器供应短缺将持续到2028年。为了确保供应稳定，长期供应合同（LTA）正在扩大。三星电子表示：“我们计划在存储器整体生产能力的60%至70%水平上签订长期供应合同。”并补充道：“随着供应短缺的长期化预期扩散，许多客户请求多年供应合同。”三星电子已与五大全球数据中心客户完成合同，并正在与五家大型客户推进与人工智能（AI）需求相关的额外合同。

HBM业务的增长也在加速。根据2026年第一季度的数据，三星电子在全球HBM市场中位列第二，占21%，仅次于SK海力士（58%）。预计2026年第三季度第六代HBM（HBM4）的销售额将比上季度增长三倍以上，预计下半年HBM4的销售额将超过HBM整体销售额的60%。

不仅加强下一代HBM技术实力，还提升了代工业务的竞争力。三星电子在HBM4和HBM4E中应用了4纳米第四代工艺，计划在HBM5中采用2纳米工艺进一步提升性能和能效。三星电子强调自己是一家综合性半导体企业，涵盖存储器、代工和封装。三星电子相关人士表示：“今年2纳米的订单数量预计将比去年增加两倍以上。”并表示：“代工部门的盈利转变也将在不久的将来实现。”

为了确保技术领导地位，三星电子在投资上毫不吝啬。第二季度的研发费用达到16万亿韩元，创下历史新高，较上季度增长41%。第二季度的资本支出（CAPEX）也比上季度增加了5.5万亿韩元，达到16.8万亿韩元。在代工部门，美国泰勒工厂1号线即将于年内投产，泰勒工厂2号线也将在年内开工，目标是2030年实现量产。

证券界预计，良好的业绩将在下半年继续。KB证券预计第三季度存储器价格将至少上涨30%以上，并预测三星电子第三季度的销售额和营业利润分别为209万亿韩元和110万亿韩元，期待连续三个季度的盈利惊喜。今年的全年营业利润预计在380万亿韩元左右，部分分析师甚至提到突破400万亿韩元的可能性。