受通用存储芯片价格疲软影响，韩国半导体巨头三星电子与SK海力士2025年第一季度的业绩预计不及市场预期。尽管业界预测第二季度半导体行业将迎来复苏，但市场回暖的步伐或较为缓慢，难以出现剧烈反弹。 据韩国金融信息公司FnGuide于3月31日发布的预测，三星电子今年第一季度的营业利润预计在5万亿韩元（约合人民币245.8亿元）左右，较去年同期的6.6万亿韩元以及前年第四季度的6.5万亿韩元下降超1万亿韩元。分析认为，存储芯片价格疲软以及晶圆代工（代工制造）业务亏损扩大是导致业绩下滑的主要原因。 多家券商预测，三星电子半导体部门（DS部门）尽管在存储业务上取得2万亿韩元以上的盈利，但由于系统半导体和晶圆代工业务亏损严重，整体预计亏损约4000亿韩元。尤其是高带宽存储（HBM）芯片因出口管制受到影响，同时通用存储芯片价格下跌，进一步拖累盈利能力。 SK海力士的业绩也呈现类似趋势。市场分析机构预测，SK海力士今年第一季度的营业利润将达到6.5万亿韩元，虽然较去年同期的2.886万亿韩元有所增长，但相比去年第四季度的8.1万亿韩元仍减少超1万亿韩元。业界认为，通用DRAM存储芯片价格下滑以及HBM对主要客户英伟达（NVIDIA）的出货量减少，是导致业绩下降的主要原因。 尽管第一季度业绩低迷，但市场对第二季度的表现持谨慎乐观态度。近期，存储芯片需求回暖迹象显现，美国存储芯片厂商美光（Micron）宣布大幅上调产品价格，预示着市场即将迎来转折点。业内预计，AI及数据中心需求增长将推动存储芯片市场逐步复苏。 三星电子内部人士透露，DS部门高层近期向员工表示，第一季度将成为全年业绩的“低谷”，从第二季度开始，行业景气度将逐步回升，预计公司盈利能力也将恢复。但他同时指出，市场难以出现“V型反弹”或“戏剧性逆转”，更多是回归正常水平。 中国市场需求增长被视为韩国半导体企业业绩改善的重要因素之一。分析机构表示，近期中国市场的移动端DRAM库存调整已接近尾声，DDR4现货价格在DDR5之后也呈现上升趋势，显示出上半年存储芯片价格已进入上行通道。此外，全球存储芯片厂商维持谨慎的供货策略，也在一定程度上推动了价格上涨。 NAND闪存价格方面，经过长期减产，市场预计4月起价格将进入上升周期。分析人士指出，NAND闪存价格将在4月上涨，而DRAM价格在库存调整后也趋于稳定，预计二季度后将进入上升趋势。他还表示，中国的“以旧换新”政策以及美国关税政策促使市场进行提前库存积累，再加上AI基础设施投资增长，整体存储芯片需求有望超出市场预期。 【图片来源 韩联社】

三星电子【图片来源 韩联社】 三星电子连续3个季度收益性减少，预计今年第一季度也将创低迷业绩。特别是负责半导体事业的设备解决方案（DS）部门受到行业持续恶化的影响，时隔一年或将再次出现季度亏损。 据业界31日消息，三星电子将于4月初公布2025年第一季度初步财报。综合多家证券公司最新预测数据，三星电子第一季度营业利润预计达4.7691万亿韩元（约合人民币235.8亿元）。同比（6.66万亿韩元）减少27.81%，较前一季度（6.4927万亿韩元）减少26.55%。若该预测成真，三星电子将连续第三个季度呈利润收窄态势。 尽管移动通信（MX）事业部凭借年初发布的Galaxy S25系列新机型实现稳健表现，但半导体（DS）部门的持续疲软仍对整体业绩构成显著拖累。证券界预测，DS部门在去年第四季度实现2.9万亿韩元营业利润后，本季度可能再度陷入亏损。若预测应验，这将是该部门自2024年第一季度扭亏为盈后，时隔一年再度报出赤字。 分析指出，由于全球经济复苏乏力导致高端IT需求持续低迷、中国厂商发起的低价竞争加剧行业压力，以及存储器产品价格未能走出下行周期等导致半导体行业陷入困境。其中，作为战略重点的高带宽存储器（HBM）尚未形成有效业绩支撑。LS证券研究员车龙浩（音）预测，本季度HBM销售额或环比骤降40%至2.8万亿韩元。同时，包括晶圆代工和系统LSI在内的非存储器业务已连续多年亏损，而传统优势业务显示器面板部门也因行业淡季与市场竞争加剧面临盈利收窄。 但也有期待称，随着全球IT需求逐步恢复及主要客户库存调整完成，三星电子核心业务板块将迎来周期性复苏机遇。近期，随着中国“以旧换新”消费刺激政策的落地，智能手机及个人电脑市场需求逐步回暖，存储器行业已显现企稳信号。DS投资证券研究员李秀林（音）表示："中国移动DRAM库存调整已进入尾声，LPDDR4等产品现货价格开始稳步回升。考虑到第二季度存储器价格有望提前企稳，叠加中国本土LPDDR4订单增长，三星电子业绩或自第二季度起步入持续改善通道。"

中国半导体企业依靠政府的大力支援，在设备上投入超出营收的支出，尚未掌握尖端技术的情况下在通用半导体领域迅速追赶三星电子和SK海力士。日前，美国半导体产业协会（SIA）向美国贸易代表办公室（USTR）提交的意见书显示，中国纯晶圆代工企业的累计收入与资本支出（CAPEX）比率为112%，远超全球平均值33%。 SIA指出，还有中国企业的收入与资本支出比率高达119%，对此业内普遍认为是中芯国际（SMIC）。2023年中芯国际资本支出74.7亿美元，达到收入的118%。过去三年（2022至2024年），中芯国际的收入与资本支出比率平均为98.1%。相比之下，三星电子和SK海力士则分别仅为41.7%和27.1%。 中国企业能够进行如此大规模投资，主要原因在于政府的直接支援，包括补贴、优待融资和国产零部件优先政策。SIA估计，中国政府的半导体直接支援金额超过1000亿美元。此外，政府还通过国家集成电路产业投资基金推动半导体行业发展。 在政策支持下，中国半导体企业迅速成长。台积电在代工领域占据主导地位，中芯国际的市场份额也持续扩大。2022年第一季度三星电子全球市场份额为16.3%，中芯国际为5.9%，但去年第四季度差距缩小至2.6个百分点。 在存储半导体领域，市场调研机构集邦咨询（TrendForce）预计中国企业的市场份额或从去年的5%增至今年的10%。仅从晶圆产能来看，长鑫存储（CXMT）去年DRAM产能已经达到全球的约10%，目前尖端工艺方面差距尚存，但中国企业在通用半导体领域的市场份额持续提升。 2023年中国通用半导体在全球半导体出货量中占比高达88%，营收占比40%。美国政府正在考虑对中国通用半导体加征额外关税，以应对低价产品干扰市场的行为。SIA指出，中国在钢铁、太阳能、电动汽车等领域也采取类似策略，导致产能过剩、价格倾销和市场混乱。 实际上，美国的对华限制措施早在拜登政府时期就已经开始。去年12月，美国贸易代表办公室（USTR）根据《贸易法》第301条对中国半导体产业展开调查。今年1月，美国举行相关听证会，探讨是否对搭载中国半导体的进口产品征收关税。目前美国政府计划下月2日发表关税政策，中国通用半导体预计会包含在适用对象中。 韩国、美国和日本等半导体强国更加专注尖端技术竞争。三星电子和SK海力士正在减少通用产品比重，转向发展DDR5、LPDDR5等高附加值产品，代工领域竞争则集中在2至3纳米先进工艺上。中国企业正在利用通用半导体市场的收益来推动尖端技术研发，长鑫存储和中芯国际等企业在HBM和DDR5等领域的能力逐渐增强。 SIA认为，中国的最终目标是在通用半导体市场积累资金，进而在尖端领域挑战全球领先企业。祥明大学系统半导体工程系教授李钟焕表示，在中国企业不断追赶的情况下，韩国必须开发出压倒性的尖端技术才能保持竞争优势。 【图片来源 网络】

三星电子保持了30多年的DRAM市场霸主地位，但这一格局可能在今年第一季度发生改变。市场预测，SK海力士的DRAM销售额将首次超越三星电子。对此，三星电子会长李在镕警告称，“存储业务陷入自满”，并强调三星要发挥擅长逆袭的能力。、 根据市场调研机构集邦咨询（TrendForce）18日发布的数据，去年第四季度，三星电子的DRAM销售额为112.5亿美元，比SK海力士高出7.92亿美元。然而，这一销售额差距相比2023年第四季度的23.47亿美元缩小了三分之一。 过去一年间，三星电子的DRAM销售额增长了41.5%，但SK海力士的增幅高达88.1%，大幅缩小了与三星的差距。去年第四季度，SK海力士的DRAM市场占有率达到36.6%，仅比三星电子（39.3%）落后2.7个百分点。 业界预测，今年第一季度，SK海力士的DRAM销售额将超过三星电子。多家证券机构的报告也支持这一观点。Daol投资证券和IBK投资证券预计，SK海力士第一季度的DRAM销售额将比三星电子高出约2.7万亿韩元。 三星电子自1992年研发出全球首款64Mb DRAM后，于1993年登顶市场占有率第一，并连续30多年保持领先。然而，由于下一代DRAM开发进度滞后以及SK海力士的快速崛起，三星首次面临丢掉榜首位置的危机。 实际上，在半导体业务整体盈利方面，三星电子已经被SK海力士超越。2024年，三星电子DS（半导体）部门的营业利润为15.1万亿韩元（约合人民币751.4亿元），而SK海力士则创下23.4673万亿韩元的历史最高纪录。如果DRAM市场占有率也被反超，将意味着三星在该领域的主导地位受到严重威胁。 造成这一局面的关键因素之一是高带宽存储（HBM）等高附加值半导体的竞争。虽然从出货量来看，三星电子仍领先于SK海力士，但在产品均价方面却存在明显差距。有分析称，SK海力士向英伟达供应的HBM3E产品，其DRAM平均售价比三星电子高出20%以上。由于整体市场环境低迷，两家公司第一季度的销售额预计都会环比下降，但三星电子所受影响更大。 此外，美国对HBM产品的出口管制也是一大不利因素。SK海力士的HBM产品主要出口至美国，而三星电子的HBM则有相当一部分销往中国。根据韩国产业通商资源部的数据，今年2月，韩国对中国（含香港）的半导体出口额同比减少31.8%。 面对DRAM业务的危机，李在镕向公司管理层传达了严厉的信息。他最近对高管表示：“各个领域的技术竞争力都受到了削弱”，“公司缺乏大胆的创新和新的挑战精神，更多是在维持现状，而不是主动改变格局。” 业界人士指出：“HBM是SK海力士长期以来深耕的领域，因此两家公司之间存在一定的技术差距，但三星在第五代DRAM技术上落后于竞争对手，确实令人震惊。李在镕及主要高管近年来长期被司法案件牵绊，未能在公司发挥核心领导作用，这可能也是造成当前局面的原因之一。” SK海力士“GTC 2025”展台【图片来源 SK海力士】

三星电子24Gb GDDR7 DRAM产品 【图片来源 韩联社】 一项调查显示，去年韩国半导体企业对华存储器出口比重下降至30%，仅1年内缩减近10%。韩国半导体企业试图减少对华出口依赖度，将供应链扩大至中国台湾、越南、印度等国家和地区。这一变化反映了全球贸易格局的深刻调整，凸显出韩国半导体企业在应对中美贸易矛盾激化时的策略转变。 韩国贸易协会于27日发布的数据显示，去年韩国对华存储器出口额达279.63亿美元，占全体出口金额882.89亿美元的31.7%。然而，2023年对华存储器出口额为207.16亿美元，出口比重达40.3%，但仅时隔1年下降8.6个百分点。尽管对华出口额有所增加，但随着对其他国家出口激增，对华出口比重呈显著下降趋势。 统计数据显示，韩国对华存储器出口比重在2021年为42.7%。2022年增至45.2%后，2023年和2024年分别为40.3%和31.7%，呈持续减少态势。显示出韩国半导体企业在中美贸易战的背景下，积极调整出口策略，以减少对华出口的依赖‌。 随着中美贸易矛盾的持续激化，美国对华限制范围不断扩大，韩国半导体企业也相应减少了对华出口规模。同时，存储器需求较高的越南、印度等国家和地区的出口比重正在逐渐增加。特别是对中国台湾的存储器出口，比重从2021年的8.4%增至去年的15.2%，实现翻倍增长。这一变化主要得益于中国台湾半导体巨头台积电（TSMC）为英伟达（NVIDIA）生产的人工智能（AI）加速器对高带宽存储器（HBM）的大量需求，而韩国半导体企业正是这一关键部件的主要供应商‌，带动了出口量剧增。 尽管中国仍然是韩国存储器出口的第一大国，但韩国半导体企业正在通过多元化出口供应链来降低风险，且中国本土半导体企业扩大存储器产量等，，预计韩国对华存储器出口比重将呈逐年减少态势。韩国贸易协会首席研究员陶元彬（音）指出：“韩国企业正在减少对华出口比重，旨在分散中美贸易战带来的风险，预计这一趋势将持续。”‌

近日，业内分析认为，三星电子在存储半导体领域的技术领先优势正在迅速缩小。中国长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC）正在加快技术追赶步伐，三星曾占据主导地位的NAND闪存市场也面临竞争压力。与此同时，三星在下一代存储产品的研发进展缓慢，部分业内人士认为其研发（R&D）和产品开发战略调整已迫在眉睫。 据业界27日消息，三星电子半导体（DS）部门在下一代产品及工艺开发方面面临困难。三星在400层级NAND闪存的量产过程中，决定采用长江存储的“混合键合（Hybrid Bonding）”技术专利。混合键合是一种不使用凸点（Bump），直接连接晶圆与晶圆的先进封装工艺。在尖端DRAM领域，三星正对10nm级第六代（1c）DRAM进行重新设计，而下一代10nm级第七代（1d）DRAM的研发进展也不顺利。 三星电子决定在400层级NAND闪存生产中采用长江存储的混合键合专利，这被视为长江存储在关键技术上已经占据上风。此前，长江存储在NAND市场的影响力较小。数据显示，截至2024年第三季度，三星电子在全球NAND市场的份额为35.2%，排名第一，SK海力士以20.6%排名第二，而长江存储的市场份额则低于5%。 然而，长江存储凭借混合键合技术迎头赶上。与三星和SK海力士主要改进现有堆叠工艺不同，长江存储过去几年专注于3D NAND的混合键合技术，并成功实现商业化。长江存储将这一技术命名为“Xtacking”，随着NAND堆叠层数进入400层级，传统工艺遇到了瓶颈，混合键合技术成为突破关键。相比之下，三星和SK海力士目前的量产NAND分别为286层和321层。 除了NAND市场，三星在DRAM领域的竞争力也受到冲击。三星最近决定对最先进的1c DRAM芯片进行重新设计，这一决定可能会导致市场布局延迟。 DRAM技术每提升一代，都会进一步缩小电路尺寸，提高性能并降低功耗。目前，三星、SK海力士和美光的市场竞争主要围绕1a和1b DRAM展开，而1c DRAM的研发被视为下一个关键战场。然而，由于重新设计1c DRAM需要耗费大量时间，包括重新绘制电路图、调整生产所需的光罩（Mask）等，市场竞争格局可能受到影响。美光公司已于本月25日（当地时间）宣布向客户提供1c DRAM样品，这意味着其在技术推进上已经领先于三星。 如果1c DRAM开发受阻，三星的第六代高带宽存储（HBM4）业务也将受到严重影响。三星在第五代HBM（HBM3E）市场中已被SK海力士超越，导致在AI半导体时代落后。为了扭转局势，三星计划在HBM4产品中采用1c DRAM技术，而SK海力士则计划在其HBM产品中采用1b DRAM。 此外，三星下一代1d DRAM的研发进展也不及预期。业内人士透露：“三星最初计划将1d DRAM的电路线宽缩小到10.3至10.4nm，但目前的技术条件下难以实现这一目标。” 随着中国存储芯片厂商的快速崛起，三星电子在NAND和DRAM领域都面临着巨大的挑战。未来，三星是否能够通过战略调整，重新夺回技术优势，仍需拭目以待。 【图片来源 韩联社】

据SK海力士25日消息，京畿道龙仁半导体集群内的SK海力士一期晶圆厂前日正式破土动工。公司原计划下月开工，但龙仁市加快审批流程，在本月21日批准建设，开工时间得以提前。 龙仁市自去年4月与SK海力士签署推动生产线提前动工及促进地方建筑产业发展的合作协议后，成立建筑许可专项小组（TF），加快审批进程。 龙仁半导体集群位于京畿道龙仁市处仁区远三面一带，占地面积415万平方米（约126万坪），包括SK海力士晶圆厂（约60万坪）、材料零部件设备企业合作园区（14万坪）和基础设施用地（12万坪），旨在打造一个完整的半导体产业园区。 SK海力士计划在龙仁集群内分阶段建设四座晶圆厂，一期工厂预计2027年5月竣工。该工厂建成后即将成为高带宽存储器（HBM）等新一代DRAM存储芯片生产基地，以满足日益增长的人工智能（AI）存储芯片需求，并奠定公司中长期增长基础。 SK海力士方面表示，计划与集群内的50余家半导体材料、零部件及设备企业携手，提升韩国半导体生态系统的竞争力。同时，公司计划在一期工厂内部建设“迷你晶圆厂”，以支持韩国半导体材料和设备中小企业的技术研发、验证和评估。该迷你晶圆厂计划配备300mm晶圆工艺设备，为合作伙伴提供接近实际生产环境的测试平台，以提升技术成熟度。 SK集团会长崔泰源2023年9月视察龙仁集群建设现场时表示：“龙仁集群是SK海力士历史上最具计划性和战略性的项目，需要超越以往的挑战精神。” SK海力士去年7月通过董事会决议，决定投资约9.4万亿韩元（约合人民币477亿元）建设龙仁半导体集群一期晶圆厂及相关办公设施。近期，公司还启动基础设施建设相关的经验丰富人才招聘，包括设备、电力、机械、管道、项目管理及安全管理等多个岗位。 除了龙仁工厂以外，SK海力士还在继续扩大生产能力。为满足不断增长的HBM需求，公司计划今年年底在清州建成HBM生产基地M15X，并进一步提升产能。 龙仁半导体集群假想图【图片来源 龙仁市政府】

三星集团面临的市场环境愈发严峻。18日下午发布的《股东大会目的事项记载事项》显示，电视、智能手机、DRAM、智能手机面板、汽车数字座舱等五大核心业务的市场占有率均呈下降趋势。 三星电视自2006年以来，已连续19年稳居全球市场第一。然而，2023年的市场占有率为30.1%，预计2024年降至28.3%。主要原因在于TCL等中国厂商推出大量低价电视产品，导致市场竞争加剧。 智能手机业务同样受到挑战。三星电子2022年全球市场份额为21.7%，但2024年下滑至18.6%（推测值）。尽管三星不断推出高端智能手机，但华为、小米、OPPO等中国厂商也相继进入折叠屏市场，对三星的领先地位构成威胁。三星方面表示，受AI智能手机需求增长带动，预计全球智能手机销量将从2024年的12.1亿部小幅增至2025年的12.3亿部。 半导体业务也面临挑战。DRAM市场份额自2022年的43.1%下降至2023年的42.2%，预测2024年继续降至41.3%。三星电子分析认为，主要竞争对手的追赶步伐加快，市场竞争日趋激烈。公司预计，存储市场方面，移动端和PC端的库存调整可能持续至2024年第一季度，而服务器市场的需求则受GPU供应情况影响，可能出现波动。 此外，三星智能手机面板的市场份额从2023年的50.1%降至2024年的41.3%。中国面板制造商京东方（BOE）向OPPO、Vivo等品牌供应面板，对三星市场份额造成冲击。 汽车数字座舱市场份额亦从2023年的16.5%下降至2024年的12.4%。主要原因在于全球汽车制造商加速供应链多元化，导致竞争格局发生变化。三星在该领域的主要对手包括LG电子、大陆集团（Continental）和松下（Panasonic）等。 面对市场份额下滑的压力，三星正加快布局高端市场，以维持竞争优势。 在半导体领域，公司决定减少通用型产品的供应，并加大对高价值产品的投入，例如高带宽存储（HBM）和DDR5等。与此同时，三星电子计划于今年下半年量产首批2nm工艺芯片。目前，该公司已开发出基于2nm工艺的Exynos芯片，并完成样品制作。2nm制程采用最新的“环绕栅极”（GAA）晶体管技术，以提升芯片性能和能效。 在电视业务方面，三星将聚焦98英寸Neo QLED 8K、OLED及高端生活方式电视，强化其在高端市场的竞争力。同时，在面板领域，三星计划拓展产品线，从智能手机面板延伸至IT设备、汽车和游戏显示器等新兴市场。 不过，三星内部普遍认为，在快速变化的半导体、显示面板和汽车电子行业，仅依靠价格和品质已难以维持竞争力。因此，公司管理层需要具备更强的战略决策能力，并加强组织管理，以应对当前挑战。 三星电子会长李在镕在2022年上任时曾在公司内部网发表题为《挑战未来》的就职演讲。他表示，未来的“三星精神”应是“将梦想和想象变成现实的企业”、“不断开创新世界的企业”，以及“以独有技术让人类社会更加富裕的企业”。李在镕强调：“在困难和挑战面前，我们更要提前布局、提升实力，当前正是需要更加果敢地迎难而上的时刻。” 图为三星江南“Galaxy Studio”以地铁为概念的数字立面全景。【图片来源 韩联社】

英伟达总裁兼首席执行官黄仁勋在“GTC 2024”活动中，三星电子公开的第5代HBM 12层芯片上留下亲笔签名。【韩联社】 据业界18日消息，三星电子和SK海力士将参加英伟达（NVIDIA）主办的人工智能（AI）开发者会议“GTC 2025”，届时将展示高带宽存储器（HBM）等AI领域的核心产品及技术。 “GTC 2025”将于当地时间下月17至21日在美国加利福尼亚州圣何塞隆重举行。今年，英伟达总裁兼首席执行官黄仁勋也将亲临现场并发表主题演讲，预计此次大会将成为全球企业竞相与英伟达深化合作的竞技场。 GTC作为全球AI开发者的顶级盛会，旨在为AI领域的专家学者及从业者搭建一个高端的交流与合作平台。历年大会均吸引了数千名开发者、创新者、商业领袖等业界精英参与，共同分享AI与加速计算技术的最新进展，探讨前沿AI技术与应用，并推动AI领域的创新与发展，今年亦有超过300家企业参会。 此次大会的召开，正值中国低成本AI深度求索（DeepSeek）技术的崛起，以及AI投资效率化议题持续升温的情况下举行，因此备受关注。特别是，今年黄仁勋将在演讲时就英伟达加速计算平台如何引领AI、数字孪生、云技术等下一代技术的发展趋势发表独到见解。 三星电子及SK海力士也将在现场围绕HBM技术发表专题演讲。三星电子将于开幕首日进行演讲，详细介绍其针对英伟达加速计算领域架构的高性能、高效率存储器解决方案，涵盖AI、高性能计算、机器人学、无人驾驶车辆、沉浸式游戏等多个领域。同时，三星电子还将阐述GDDR7显存、优质低功耗DRAM LPDDR5X、高容量SSD等产品，以及新一代“HBM4”（第6代）等技术的突破进展。 SK海力士则计划以“HBM：高性能计算及AI的中枢”为主题，发表专题演讲。作为英伟达最大的HBM供应商，SK海力士将重点阐述HBM技术的发展方向，还将特别强调HBM在解决AI时代数据量激增与性能要求提升等方面的独特优势，以及在提升每位数据位电力效率方面的卓越表现。同时，SK海力士将分享车载存储器产品的战略规划与市场准备情况‌。

美国总统唐纳德·特朗普在正式宣布对世界各国征收对等关税后，近日又暗示将对汽车和半导体产品实施额外关税，引发韩国整车及半导体产业高度紧张。 据悉，对等关税是指美国对进口产品征收与对方国家对美国产品所征关税水平相同的关税。特朗普13日（当地时间）在白宫签署了《对等贸易与关税》的总统备忘录，明确表示“美国将以公平方式征收与其他国家所征关税相当的关税”，并强调“汽车关税也将很快宣布”。目前，虽然韩国与美国签订了FTA（自由贸易协定），大部分领域维持零关税，但由于非关税壁垒等因素，对等关税的实施仍引发外界对额外征收汽车关税的担忧。继此前对钢铁和铝产品无例外或豁免地征收25%关税后，作为对美国出口顺差规模较大的汽车行业的进一步施压，额外关税的可能性大幅上升。 如果汽车领域实际被征收关税，国内企业将面临美国出口受损、原材料成本上升等一系列连锁反应。据KB证券分析，若汽车加征10%关税，现代汽车和起亚汽车的年营业利润将分别减少约1.9万亿韩元（约合人民币95.5亿元）和2.4万亿韩元；而因钢铁等产品关税上升导致原材料采购成本增加，企业盈利能力也将受到冲击。业内人士指出，“对国内整车企业而言，美国市场是关键出口市场，关税措施的影响将十分巨大”，但目前业内普遍认为尚未找到切实有效的对策。 为应对潜在风险，现代汽车集团正从多方面积极布局，包括扩大美国本地生产和加强与美国的合作。现代汽车是国内主要企业中唯一在特朗普总统就职仪式上捐赠100万美元的企业；其集团子公司现代制钢正在考虑在美国建设大型钢铁厂。近期，会长郑义宣还在赴美出差期间，与特朗普总统长子小唐纳德·特朗普进行了以“高尔夫商务”为主题的会晤。据悉，现代集团目前正通过试运行的“Metaplant America（HMGMA）”工厂，加快美国本地生产步伐，计划将美国年产能提升至100万辆；而最新推出的大型纯电动SUV艾尼氪（IONIC） 9，也将全部在HMGMA工厂生产后供美国市场销售。 汽车关税之外，半导体行业同样面临严峻挑战。三星电子和SK海力士在美国市场占有重要份额，并在中国设有半导体工厂，此次美国关税措施可能对企业战略和全球供应链产生重大影响。目前，韩国半导体企业正向美国主要IT公司供应内存半导体；随着云服务和人工智能（AI）市场的扩张，美国对半导体的需求不断增长，若对韩国半导体产品加征关税，其价格竞争力将不可避免地下降。 值得注意的是，特朗普政府还表示将对在中国生产的苹果和三星产品加征关税。三星电子和SK海力士均在中国拥有重要生产基地，其中SK海力士在中国无锡拥有大型DRAM生产工厂。目前，由于美国对中国半导体的限制，三星和SK海力士在中国的工厂运营已面临困境；若美国进一步加征关税，韩国企业将不得不在维持中国生产设施和寻求新对策之间做出抉择。若美国对在中国生产的半导体产品征收高额关税，韩国企业可能需承担成本上升风险或加大在美国生产设施的投资力度。 此外，特朗普还表示将重新谈判拜登政府时期推出的《芯片法案》（Chips Act）的补贴条件，此举进一步增加了三星电子和SK海力士的不确定性。根据《芯片法案》，三星电子和SK海力士正在积极推动在美国建设工厂并申请相关补贴，其中三星正在德克萨斯州泰勒市建设大型半导体工厂，SK海力士也计划在美国设立半导体封装厂。但如果特朗普政府更改补贴条件，韩国企业原本预期的支持力度可能会减少，甚至可能面临要求在美国增加投资的额外压力。拜登政府此前在发放补贴时，已附加“超额利润分成”和“防止技术外泄”等严格条件；若特朗普政府再要求进一步提高美国本土生产比例，三星电子和SK海力士可能将面临额外的投资负担。有业内人士指出，“三星和SK海力士已在美国半导体领域投入了大量资金，一旦补贴合同重新谈判，额外的投资要求极有可能成为企业的沉重负担”。 现代汽车集团13日表示，当地时间10日在美国加利福尼亚州加利福尼亚市莫哈韦行驶试验场举办了成立20周年纪念活动。图为会长郑义宣正与活动嘉宾签名留念。【图片来源 现代汽车集团】