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CXMT冲击K-半导体:夸大还是威胁?

金明雨 수습기자 2026-10-14 18:08

近期,国内半导体企业股价持续低迷。中东冲突加剧导致油价上涨、通胀忧虑、主要国家国债利率飙升,以及AI行业性价比策略的扩散等不利因素交织,造成市场波动加剧。

中国内存半导体企业的快速追赶也被认为是股价下跌的主要原因。长江存储(CXMT)今年第二季度全球DRAM市场份额达9.5%,较去年同期的4%翻了一番。考虑到2023年其市场份额仅在1%左右,这一成绩可谓显著。三星电子、SK海力士和美光三家公司将精力集中在高带宽内存(HBM)生产上,CXMT则趁机填补了通用DRAM市场的空白。
 

[图片=联合通讯社]
[图片=联合通讯社]

更为雪上加霜的是,CXMT在10日宣布将于年内推出采用4F²结构的下一代服务器用DRAM,这一消息令市场震惊。人们对中国半导体企业正在缩小技术差距的担忧加剧。4F²结构是一种将内存单元面积比现有的6F²减少33%的设计技术。若成功实现,将在数据处理能力、电力效率及生产率等方面带来革命性的提升。

最初,中国半导体企业在DRAM领域被评估落后韩国1至2年,在高带宽内存(HBM)领域则落后3年以上。然而,此次公告引发了市场对中国迅速缩小技术差距的恐慌。13日,SK海力士股价暴跌近10%,国内半导体企业股价大幅调整,反映出市场的不安情绪。
 

“CXMT的公告是夸大”……HBM技术差距依然存在

在半导体行业和专家之间,CXMT的公告被冷静地评估为近乎夸大的营销。由于未提供具体的产品规格或明确的量产时间,且产品性能、良率、成本竞争力等需客观验证,因此受到质疑。

4F²结构也并非新概念。三星电子和SK海力士等国内领先企业早已在相关技术上进行研究并获得专利。尚未应用于量产并非因为技术不足,而是由于极其困难的良率保障问题和巨大的生产成本负担,使得商业化的实益较小。

尤其在AI半导体的核心HBM领域,技术差距依然坚固。由于美国制裁,极紫外(EUV)光刻设备的引进受阻,这使得中国在短时间内实现高性能、高良率产品的大规模量产几乎不可能。

华尔街也分析认为,此次CXMT冲击不过是近期过热的半导体股价获利了结的借口,难以视为实质性威胁。日本瑞穗证券的TMT专业分析师乔丹·克莱因也提出了反驳CXMT主张的七个理由,指出市场的过度担忧。

接近80%的内存半导体盈利能力不可能永远持续。AI基础设施投资也面临电网不足和资本投入限制等现实制约。在这种情况下,半导体股价进入调整期是自然的过程。CXMT的公告之所以对市场产生巨大影响,也是由于积累的警惕感所致。然而,CXMT的公告是否会立即改变行业格局尚难以断言,CXMT的下一代DRAM量产声明是否能得到实际验证,仍需经过严格的检验。





※ 本报道经人工智能(AI)系统翻译与编辑。

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