分析指出，李在镕的决策在AI半导体市场上取得了成效。三星电子在高带宽内存（HBM）和代工厂领域同时出现反弹信号，重新成为英伟达供应链的关键部分。据业内消息，三星电子在最近的“GTC 2026”上扩大了与英伟达的合作关系，提高了其在AI半导体供应链中的地位。业内人士将此次活动视为三星半导体“重返主导地位的信号”。HBM是逆转的起点。三星电子在HBM3E竞争中失去主导地位后，李在镕紧急任命全永贤为DS部门负责人，进行应对。全永贤上任后，全面重组了HBM开发体系，将分散的DRAM设计、工艺、封装组织整合为以HBM为中心的“统一运营体系”，加快了开发速度。三星电子成功开发了基于10纳米级第六代（D1c）DRAM的核心芯片，并在HBM4产品上取得了竞争优势。这一成果在英伟达供应链中得到了验证，三星电子被纳入下一代GPU“Vera Rubin”的HBM4供应链中，并有望在后续GPU中扩大供应。在GTC现场，英伟达CEO黄仁勋直接提到与三星的合作，业内人士认为这是供应链角色变化的信号。代工厂部门也迎来了变化。尽管曾因收益不佳而传出分拆传闻，但李在镕选择维持并强化代工厂业务。三星电子成功获得英伟达AI芯片“Groq 3 LPU”的生产订单，显示出供应链结构的变化。三星电子在内存和代工厂领域同时供应的能力具有重要意义。业内认为，三星电子已为扩大其在AI半导体全价值链中的影响力奠定了基础。市场关注已转向下一阶段。三星电子正在推进HBM4E、HBM5等下一代产品的开发，未来能否拉开技术差距备受关注。业内人士表示：“HBM组织重组后，开发速度和完成度同时提升，三星在英伟达供应链中的影响力有望进一步扩大。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

16日，在美国加州圣何塞开幕的英伟达“GTC 2026”上，三星电子展台吸引了大量参观者。开幕两天内，超过1500人参观了展台，远超去年总人数。预计活动结束时，参观人数将超过3000人。参观者纷纷效仿黄仁勋的签名路线。开幕当天，英伟达CEO黄仁勋在HBM4实物、D1c晶圆、Groq晶圆和Vera Rubin平台上留下签名。一位美国参观者表示：“在主题演讲中提到的芯片在这里展出，令人兴奋。”另一位参观者称：“黄仁勋刚刚签名的特殊晶圆，值得拍照留念。”HBM4实物成为参观者的起点，他们从这里开始寻找签名位置。首次公开的HBM4E实物也成为焦点，吸引了大量人群。一位业内人士表示：“HBM4实物难得一见，HBM4E的公开更是罕见，展示了技术差距。”参观者不仅关注特定产品，Vera Rubin平台展示了三星电子的“综合半导体企业”结构，引发关注。HBM、代工晶圆和先进封装技术的展示形成了完整的流动。一位半导体业内人士称：“通常内存公司和代工公司是分开的，但这里展示了它们的结合，展示了AI时代三者结合的重要性。”参观者更关注整体结构，三星电子强调的“内存整体解决方案”在现场得到了体现。展台分为AI工厂、本地AI和物理AI三个区域，但参观者的兴趣不限于某个区域，重点在于三星内存产品如何结合。一位参观者表示：“展览同时展示了下一代HBM和AI基础设施结构，意义深远。”

在英伟达的下一代AI平台“Vera Rubin”中，SK海力士的HBM占据了核心位置。英伟达CEO黄仁勋亲自到访展台并签名，显示出对展品的高度关注。SK海力士通过展示HBM和下一代存储技术，展现了其在AI半导体领域的竞争力。3月17日，SK海力士在美国加州圣何塞的英伟达GTC 2026上进行了展台说明会。公司展示了从GPU、高带宽存储器(HBM)到Vera Rubin和定制HBM(cHBM)的完整路径，详细介绍了存储器在AI系统中的作用。Vera Rubin展品吸引了最多关注。展品上有黄仁勋的签名，展示了2个GPU和2个CPU，以及每个GPU两侧各8个，共16个HBM的结构。通过开放冷却板下部，观众可以直观地看到GPU和HBM的实际布局。cHBM也备受瞩目。它在标准HBM的基础上增加了客户需求的功能，展示了未来AI半导体根据客户需求进行优化的可能性。根据客户需求，可以进行数千到数万种设计组合，表明HBM正从简单的存储器扩展为具有设计灵活性的核心平台。SK海力士还展示了HBM的技术实力。通过HBM4 16层产品的大型模型，展示了芯片堆叠结构和TSV。此外，通过打开实际GPU封装，展示了HBM在AI加速器中的物理位置和作用。在技术扩展方面，介绍了基于“流出队列”的结构。这种结构通过在存储器端实时恢复压缩数据，减少了GPU和存储器之间的数据移动，提高了性能，最多可提升7倍。此外，还提出了缩小PHY（物理接口）结构并将部分功能转移到存储器中的方向。CPU存储器结构的变化也引人注目。从鲁宾平台开始，LPDDR基于存储器以模块形式构成，提高了安装效率和扩展性。与传统的单独堆叠方式相比，组装便利性和系统优化方面得到了改善。业内人士认为，此次展示可能会进一步加强SK海力士与英伟达之间的合作关系。随着下一代AI平台鲁宾以及HBM和定制存储器的紧密结合，双方的合作范围有望从简单的供应扩展到联合设计和优化。

“三星是全球最佳。”英伟达CEO黄仁勋于16日在美国加州圣何塞的“GTC 2026”上访问三星电子展台，现场一片欢呼。他在三星的6代高带宽内存（HBM4）样品上签名并给予高度评价。业内认为，这不仅仅是一次活动，而是三星电子在AI半导体竞争中作为综合半导体企业（IDM）重新扩大其在英伟达生态系统中影响力的信号。三星在此次GTC上强调同时供应内存核心芯片和代工基底芯片的结构。HBM核心的DRAM核心芯片采用1c（10纳米级6代）工艺，基底芯片则由三星代工4纳米工艺制造，体现了内存、逻辑、封装的IDM整合技术。三星首次展示了下一代HBM“HBM4E（7代）”实物芯片和核心芯片晶圆，目标是每针16Gbps速度和最大4TB/s带宽。三星特别强调结合内存设计、代工和先进封装的“全方位解决方案”能力，展示了热阻改善超过20%并支持16层以上堆叠的下一代封装技术HCB（混合铜键合）。这一策略反映了在AI基础设施时代，内存竞争力已从单纯的DRAM性能扩展到系统整合能力。业内评价认为，三星电子正在重新提升其在HBM市场的竞争力。三星在展区设立了“HBM4英雄墙”，展示HBM4芯片和4纳米基底芯片晶圆，展示将应用于下一代英伟达平台“Vera Rubin”的内存结构。三星还强调其为Vera Rubin平台提供内存和存储设备的“全方位内存解决方案”能力，展示了用于Rubin GPU的HBM4、Vera CPU的SOCAMM2和服务器用SSD PM1763，展示了AI数据中心内存生态系统。SOCAMM2是基于LPDDR的服务器内存模块，已开始量产，基于PCIe 6代的SSD PM1763将作为Vera Rubin平台的主要存储设备。三星在展会上通过搭载该存储设备的服务器进行了AI工作负载演示。当天，黄仁勋CEO在现场亲自确认三星技术力后，连连称赞。他进入展台时表示：“这是我亲近的人们，做得很好，是伟大的合作伙伴。”他即兴在HBM4样品、晶圆和英伟达芯片上用金色笔签名。黄仁勋离开会场时说：“加油，三星！我为三星感到自豪。”并表示：“未来即将到来，还有更多的创意。”业内认为，此次活动标志着三星电子在HBM竞争力恢复的转折点。IDM结构在AI半导体时代再次成为竞争力，特别是在英伟达下一代平台为中心的AI基础设施竞争扩大之际，三星电子通过内存、代工和封装的“全方位AI内存”战略强化了其存在感。

SK集团会长崔泰源于16日（美国时间）出席了英伟达CEO黄仁勋的“GTC 2026”主题演讲。这是韩国四大集团总裁首次亲自参加英伟达在硅谷举办的技术会议。崔泰源在加州圣何塞SAP中心现场观看了演讲，与英伟达高级副总裁杰夫·费舍尔和SK海力士CEO郭鲁正一同出席。SK海力士的金柱善和李尚洛也在现场。崔泰源与费舍尔进行了交流。费舍尔是上月5日崔泰源与黄仁勋在硅谷会面的参与者，被称为英伟达的二号人物。崔泰源与黄仁勋的再次会面距离上次硅谷聚会约一个月。预计双方将讨论英伟达下一代超级芯片“Vera Rubin”所需的第六代高带宽内存（HBM4）及其他AI内存合作方案。SK海力士一直致力于优化HBM4性能，以满足英伟达要求的每秒11.7Gb数据传输速度，目前已完成相关工作，正等待英伟达认证。

韩国半导体巨头三星电子和SK海力士在美国加州圣何塞举行的英伟达“GTC 2026”大会上展示了高带宽存储器（HBM）等下一代记忆体技术，展开激烈竞争。两家公司在全球舞台上争夺将用于英伟达GPU的记忆体市场。据业内消息，三星电子和SK海力士于16日至19日参加了此次大会。GTC是英伟达每年举办的全球AI大会，展示AI半导体和加速计算技术的最新进展。三星电子在此次活动中展示了其下一代AI记忆体HBM4E，强调其技术优势。HBM4E支持每针16Gbps的速度和最高4.0TB/s的带宽。此外，三星还展示了降低热阻20%以上的HCB技术，支持16层以上的堆叠。三星还展示了针对英伟达“Vera Rubin”平台的记忆体解决方案，强调其在记忆体、代工和封装方面的综合能力。三星计划通过提供全面的记忆体解决方案来扩大在AI基础设施市场的影响力。SK海力士也在GTC上展示了其AI记忆体技术，主题为“AI记忆体聚焦”。展区展示了与英伟达合作的成果，包括HBM4、HBM3E和SOCAMM2等产品。展区还展示了与英伟达合作开发的液冷eSSD和搭载LPDDR5X的AI超级计算机“DGX Spark”。业内人士认为，随着AI数据中心的扩展，HBM需求激增，三星和SK海力士之间的竞争将更加激烈。英伟达新一代GPU平台的推出将加速这一趋势，合作关系成为记忆体厂商竞争力的关键因素。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

全球AI半导体公司AMD的首席执行官苏姿丰将访问韩国，与主要企业探讨合作。据业内消息，苏姿丰将于18日访韩，会见三星电子会长李在镕和NAVER代表崔秀妍。这是她自2014年担任AMD首席执行官以来首次访韩。此次访问的主要议题是AI半导体和数据中心基础设施的合作。业内人士预计，苏姿丰可能会与三星电子讨论扩大高带宽内存（HBM）供应的方案。三星电子最近推出了第六代HBM产品HBM4，并已开始量产，计划在下一代AI内存市场中占据领先地位。目前，三星电子已向NVIDIA的下一代AI加速器“Vera Rubin”供应HBM4，并与AMD保持合作关系。AMD最近扩大了与OpenAI和Meta等大科技公司的合作，力图在AI半导体市场中增加份额。随着全球AI基础设施的扩展，内存需求激增，与韩国半导体企业的合作显得尤为重要。与NAVER的会面预计将讨论扩大数据中心半导体供应和建立主权AI基础设施等合作方案。NAVER正基于其超大规模AI模型“HyperCLOVA X”扩展B2B AI业务，确保AI计算基础设施至关重要。业内人士还注意到，此次访韩与NVIDIA年度开发者大会“GTC 2026”时间重合，分析认为AMD希望通过扩大与韩国主要企业的合作来增强其在AI半导体市场的存在感。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子去年在研发上投入超过37万亿韩元，创下历史新高。这一投资增长7.8%，主要用于应对AI半导体市场的扩张和下一代存储器的竞争。根据三星电子2025年业务报告，去年研发费用总计37.7548万亿韩元。尽管研发占销售额的比例略降至11.3%，但绝对投资规模显著增加。三星电子特别在高带宽存储器（HBM）技术上投入大量研发资源。预计今年6代HBM市场将正式启动，三星自去年起就大力开发相关技术。HBM是AI加速器和高性能计算系统的关键组件，主要客户包括英伟达和AMD等全球科技巨头。确保稳定的供应能力是市场竞争力的关键。三星电子在HBM4产品中应用了领先的10纳米级6代（1c）DRAM工艺，性能比国际半导体标准组织（JEDEC）标准的8Gbps高出约46%，达到11.7Gbps。上月，三星电子率先开始量产HBM4，预计将用于英伟达的下一代AI芯片“Vera Rubin”平台。在非存储领域，三星电子也在加速技术竞争力的提升。其代工部门计划在今年下半年实现2纳米工艺的量产。系统LSI部门则专注于提升移动应用处理器（AP）“Exynos”的竞争力。去年，三星对下一代移动芯片“Exynos 2600”进行了性能改进。Exynos 2600的中央处理器（CPU）计算性能比前代提升了39%，生成型AI处理性能提高了113%。业内认为该芯片的性能接近高通的“骁龙8 Elite 5代”。业内人士表示，随着AI半导体竞争加剧，存储和系统半导体的研发投资迅速增加。三星电子将在HBM、代工和移动AP等主要半导体领域继续扩大技术竞争力的投资。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK集团会长崔泰源将出席下周在美国加州圣何塞举行的英伟达年度技术大会GTC 2026，届时将再次会晤英伟达CEO黄仁勋。 继上月在美国旧金山举行“炸鸡会晤”后，崔泰源与黄仁勋时隔约一个月再度会面，预计将围绕高带宽存储器（HBM）供应及人工智能（AI）半导体合作等议题展开深入讨论。 据经济界5日消息，崔泰源将出席英伟达本月16日（当地时间）在美国加州圣何塞举行的GTC 2026大会，这是崔泰源首次亲临GTC现场。 GTC是英伟达每年举办的全球性技术大会，重点展示AI半导体与计算技术，并涵盖机器人、自动驾驶等多个产业领域的前沿成果与生态布局。今年英伟达预计将在GTC大会上发布下一代AI加速器Vera Rubin，将搭载新一代高带宽存储器HBM4，包括与SK海力士在内的存储芯片企业之间的合作格局将成为本次大会的重要看点。 据悉，英伟达已将今年Vera Rubin等产品所需HBM4产能的约三分之二分配给SK海力士。目前在HBM4市场中，三星电子捷足先登率先实现商业化布局。 SK海力士目前正根据客户需求推进HBM4量产与优化，预计在GTC上亮相的Vera Rubin产品中将采用三星电子的HBM4。 预计崔泰源将同黄仁勋在大会期间重点讨论HBM供应扩大方案，以及下一代AI半导体领域的合作方向。随着AI数据中心扩充，对高性能存储芯片的需求急剧上涨，双方除探讨HBM4供应外，也有望围绕下一代HBM技术开发合作，以及AI基础设施整体战略合作进行磋商。 近年来，SK集团不仅在半导体领域持续加码，也在能源、数据中心等AI基础设施产业积极扩张，市场普遍认为，双方合作范围有望进一步扩大。 此外，SK海力士将在本届GTC大会上展示其与英伟达合作开发的AI存储技术与解决方案，展台将展出HBM4、HBM3E等AI存储产品实物，并同步展示搭载相关产品的英伟达AI系统。

三星电子率先推出被称为“梦幻存储”的第六代高带宽存储器HBM4，预示着HBM市场格局的变化。提前供货是为了抢占英伟达下一代AI芯片“Vera Rubin”的市场份额，打破SK海力士的垄断地位。据半导体行业消息，三星电子已正式宣布量产出货性能最强的HBM4。该产品速度达到11.7Gbps，比JEDEC标准的8Gbps高出46%，并可扩展至13Gbps，领先于竞争对手。三星能够在HBM4市场占据优势的关键在于“大胆的工艺转换”。与SK海力士和美光使用的10纳米级第五代（1b）DRAM不同，三星采用了技术难度更高的10纳米级第六代（1c）DRAM。此外，三星在HBM的“基底芯片”生产中采用了自家4纳米工艺，与SK海力士使用的台积电12纳米工艺相比，三星通过微细工艺最大化了电力效率和性能。三星电子副总裁黄尚俊表示：“我们打破了传统，采用最先进的工艺，及时满足客户的性能提升需求。”这是为了满足英伟达苛刻规格的战略选择。英伟达的下一代芯片“Vera Rubin”目标是推理性能提升5倍，学习能力提升3.5倍，需要超高速和超大容量的存储支持。三星通过从设计到生产、封装的一体化“Turn-key”解决方案实现了工艺优化，并通过了英伟达的质量测试。◆ “稳定性”SK海力士 vs “性能”三星电子…第二轮对决业内认为，三星电子的HBM4提前亮相标志着HBM市场竞争进入“第二轮”。一直主导市场的SK海力士以“稳定性”和“联盟”为武器进行防守。SK海力士通过验证的1b DRAM和与台积电的合作，在良品率和兼容性方面占据优势。市场研究公司Semianalysis预测，今年HBM4市场份额将为SK海力士70%，三星电子30%，仍然看好SK的优势。然而，三星电子的追赶势头迅猛。三星电子DS部门CTO宋在赫表示：“现在是展示三星电子真正实力的时候了。”业内预计，如果三星成功稳定HBM4的良品率，其在英伟达的市场份额可能提升至40%。尤其是如果英伟达提高规格要求，三星凭借规格优势可能占据有利地位。专家预测，HBM4之后的市场将转向根据客户需求定制芯片的“定制HBM”时代。在此过程中，拥有存储、代工和封装能力的三星电子的“IDM（综合半导体企业）能力”可能成为关键竞争力。如果设计、生产、封装由不同公司执行，工艺优化可能需要时间且成本增加，但三星可以在内部一次性解决这些问题，有利于缩短交货期和降低成本。KB证券研究部部长金东元表示：“采用1c DRAM和4纳米工艺的三星HBM4性能超出预期”，并分析称“未来三星电子的市场份额有望扩大”。2026年半导体市场的胜负取决于三星电子能否快速提升HBM4的量产良品率以确保盈利，以及SK海力士能否通过与台积电的联盟建立坚固的防御。随着英伟达“Vera Rubin”发布在即，两家公司的技术竞争将更加激烈。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。