SK海力士从与大学共同进行的研究中评选出5项能够提升下一代内存技术竞争力的优秀发明。这些成果包括高速内存接口和下一代内存电极等，旨在发掘能够与实际产品开发相连接的产学研究成果，以确保未来技术的获取。
SK海力士在16日于伊川校园举行了‘2026年产学研究项目优秀发明颁奖典礼’。自2013年以来，公司每年都会从产学共同研究中选出技术成果和专利价值较高的发明进行奖励。今年评审了去年申请的26项产学专利，最终选出1项最佳奖、1项优秀奖和3项鼓励奖。
优秀奖则是由延世大学金亨俊教授的下一代内存用电极材料及器件特性控制技术获得。该技术能够在不使用额外材料或复杂工艺的情况下，通过调整工艺条件来控制电极和器件的特性。经过实际器件水平的验证，具备较高的产品开发适用性。
鼓励奖分别由首尔大学黄哲成教授的垂直型SOM单元沉积工艺、首尔科技大学崔炳俊教授的下一代内存用前驱体及工艺、汉阳大学韩在德教授的UFS 5.0及下一代M-PHY高速接口电路专利获得。
车善勇 SK海力士未来技术研究院院长表示：“通过产学合作发掘的优秀专利将有助于提升国内半导体产业的技术竞争力，我们将继续积极支持具有挑战性和创新性的研究。”
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
