三星电子将采用基于门全环绕(GAA)的2纳米代工工艺于下一代高带宽内存(HBM) HBM5的基础芯片。基于在HBM4和HBM4E中应用的4纳米基础芯片的量产经验，三星电子旨在提升下一代HBM的性能和电力效率，同时扩大人工智能(AI)和高性能计算(HPC)客户的订单，以增强代工业务的增长动力。具子铉副社长在27日的三星电子半导体新闻室采访中表示：“HBM5基础芯片将采用GAA结构的2纳米工艺，并实现更高集成度的硅通孔(TSV)。”这是负责三星电子代工工艺开发的高管首次具体公开HBM5的2纳米基础芯片战略。三星电子DS事业部内存事业部DRAM开发室长黄相俊在今年3月的英伟达年度开发者大会GTC上透露了HBM5的2纳米应用计划，并从代工的角度进行了详细说明。基础芯片是连接堆叠的DRAM核心芯片与图形处理器(GPU)、中央处理器(CPU)等外部处理器的逻辑半导体。随着HBM的数据处理速度加快和对电力效率的要求提高，自HBM4起，基础芯片开始应用代工前沿工艺，而非传统内存工艺。三星电子在HBM4和HBM4E基础芯片上应用了4纳米第四代工艺。该工艺已进入量产第三年，性能和良率得到了验证。其优势在于可以多样选择栅间距和晶体管阈值电压，从而优化产品的性能、面积和漏电流。HBM4E基础芯片采用高集成度、高性能的器件，实现了每秒超过14吉比特(Gbps)的工作速度。通过有效布置金属布线层，减少了功耗，并优化了散热路径。HBM4基础芯片从第一批样品开始就达到了性能和良率目标，工艺准备到结果产生大约耗时3个月。具副社长表示：“预计HBM5的工作速度将比HBM4E提高约50%以上，我们正在准备能够大幅改善工作速度和电力效率的最前沿工艺。”三星电子还将以HBM基础芯片为基础，扩大AI和HPC客户的订单。三星电子正在将4纳米工艺应用于HBM4基础芯片和美国AI企业的AI和HPC用LPU新产品。最近，三星电子与博通等全球企业扩大合作，将以移动为中心的代工客户基础扩大到AI、HPC、云服务提供商(CSP)、汽车电子和机器人领域。三星电子还在推动2纳米工艺的客户多元化。去年下半年，三星电子开始量产2纳米第一代工艺，今年下半年将量产基于改进了良率和性能的第二代工艺的移动产品。公司表示，在获得特斯拉的汽车电子2纳米产品订单后，已从多家AI、HPC及CSP大型客户获得订单。三星电子提供与先进封装和HBM相结合的一站式解决方案。在AI和HPC领域，三星电子将代工工艺、HBM和先进封装结合提供，在数据中心市场进入插拔式光收发器(PO)业务。还在开发基于前沿工艺和三维封装技术的共同封装光学(CPO)技术。具副社长表示：“我们将基于在4纳米HBM4基础芯片上获得的经验和技术竞争力，提前在HBM5中引入2纳米工艺，并通过移动、HBM以及AI、HPC、汽车电子、机器人等领域的客户合作，增强代工技术的领导力。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

随着有报道称苹果决定将部分自设计芯片交由英特尔生产，外界开始担忧台积电在苹果芯片生产上的独占地位可能会受到影响。然而，专家们认为，考虑到良率、能效和先进封装技术等因素，台积电在短期内仍将保持苹果的核心合作伙伴地位。 根据5月11日《焦点台湾》等台湾媒体的报道，关于苹果与英特尔的芯片生产合作可能性，台湾业界的评价不一。早在5月8日，《华尔街日报》引用多位消息人士的说法，称苹果已与英特尔达成初步协议，将部分自设计芯片交由后者生产。苹果与英特尔的相关谈判已进行超过一年。 对此，台湾经济研究院研究员刘佩珍表示，台积电仍有很大可能继续作为苹果的主要芯片制造合作伙伴。他指出，台积电的InFO（集成扇出）和CoWoS（芯片在晶圆上的封装）等先进封装技术对苹果A系列和M系列芯片的性能仍然至关重要。 刘研究员认为，英特尔和三星在良率和能效等方面仍落后于台积电，因此苹果在短期内将旗舰芯片的订单从台湾代工厂转移到其他地方的可能性不大。 他分析称，苹果与台积电在过去几年建立了深厚的技术合作关系，这对竞争对手构成了较高的进入壁垒。他表示，除非竞争对手在2纳米或环绕栅极（GAA）技术上取得重大突破，否则台积电将继续是苹果首选的制造合作伙伴。 英特尔正在推进18A工艺，而三星则通过2纳米GAA技术寻求机会。然而，刘研究员指出，这两家公司在过去的大规模生产过程中都遭遇了不稳定的良率和过高的能耗等问题。 他认为，考虑到稳定的交货记录和广泛的研发能力，台积电的领先地位仍然难以被挑战。从苹果的角度来看，过早将核心芯片订单转移可能会带来相当大的供应链风险。 总统资本管理公司主席李芳国在接受CNA采访时表示，苹果与英特尔的合作推进并非由于台积电的技术问题。相反，随着英伟达等人工智能（AI）芯片客户对先进工艺需求的增加，台积电的生产能力变得紧张。 李主席表示，这种情况显示了台积电在先进芯片制造领域的主导地位，目前整个行业的需求已超过供应。 对台积电的威胁担忧 然而，一些专家认为，苹果与英特尔的合作可能会对台积电构成压力。根据《中国时报》的报道，财经专家阮慕华最近在社交媒体上表示，如果苹果与英特尔的合作正式化，台积电的危机感可能会加剧。 阮慕华认为，苹果与英特尔的合作实现后，苹果将增加与供应链相关的核心选择，而英特尔则将在重启代工业务的过程中获得重要客户。 不过，他指出，这对台积电来说可能意味着苹果芯片的独占生产时代实际上结束。 阮慕华表示，目前尚不清楚英特尔将为苹果生产哪些产品的芯片。然而，苹果每年出货大量的iPhone、iPad和Mac电脑，稍微调整供应链就可能影响芯片生产设施的布局和市场前景。 他认为，英特尔是否有能力与台积电共享苹果的订单生产仍存在疑问。然而，考虑到英特尔背后有白宫的支持，情况发生了变化，这种变化也反映在最近英特尔、苹果和台积电的股价走势中。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

【经济日报】三星电子推出了Exynos 2600芯片，旨在超越移动应用处理器市场的长期竞争对手高通。该芯片首次采用AI图形技术，显示出在某些关键性能指标上领先竞争对手的结果，预示着市场格局的变化。根据三星电子的消息，Exynos 2600的核心是被称为ENSS（Exynos Neural Super Sampling）的AI图形优化技术。该技术结合了通过AI分析低分辨率图像并重构为高质量图像的升级技术，以及预测帧间并生成新帧的技术。在运行复杂计算的高规格游戏或高清视频时，该技术减少了GPU的负担，提高了电力效率，实现了更流畅和清晰的画面。技术博主公布的基准测试结果显示，Exynos 2600在3D图形性能测试中比高通AP高出约15%。特别是在光线追踪性能方面，Exynos 2600比竞争对手高出约59%，显示出明显的技术优势。这种性能的背后是三星的技术突破。Exynos 2600是由三星电子代工部门采用业界首创的GAA基础2纳米工艺制造的移动AP。超微细工艺转换是实现性能和电力效率的关键。长期以来在高端智能手机市场上被高通骁龙压制的Exynos，正试图通过工艺技术和AI图形实现复兴。当然，也有观点认为基准测试结果并不完全代表实际用户体验，因为在实际智能手机环境中，热管理能力是保持性能的关键因素。三星电子也意识到这一点，并计划在后续产品Exynos 2700中大幅改善热管理性能。通过将AP和DRAM并排放置在同一基板上，而不是像以前那样将DRAM垂直堆叠在移动AP上，以更有效地分散热量。移动AP市场的竞争已从简单的计算速度转向利用AI提高效率的竞争。三星电子率先推出ENSS这一技术，意义重大。谁将主导AI时代的移动体验？Exynos 2600是三星对此问题的首次回应。

LG电子发布了一种车辆用混合紧急呼叫系统，能够在车辆事故发生时快速将事故信息传送至紧急救援中心。该系统于23日在瑞典哥德堡举行的全球车辆通信协会5GAA第37次大会上展示。LG电子表示，该系统可以在事故发生时自动将事故位置、时间和车辆信息传送至附近的救援中心。自2018年起，欧洲要求新车必须配备紧急呼叫系统，明年起将强制实施基于4G和5G的下一代紧急呼叫系统NG e-Call。这一规定未来将扩展至中国和中东地区。LG电子的混合紧急呼叫系统安装在车辆通信控制单元中，支持2G至5G的多种通信网络，能够在通信盲区最小化的情况下传输大容量数据。公司已完成系统的稳定性验证，并从今年开始向全球汽车制造商供应该系统。去年，LG电子在巴黎举行的5GAA大会上展示了利用非地面网络的解决方案，能够在地面通信网络难以连接的地区实现车辆内的双向通信。LG电子还在加强其远程信息处理认证能力，通过VS认证实验室运营基于国际标准ISO/IEC 17025的测试和评估体系。VS认证实验室去年获得了韩国认可机构KOLAS的认证，并取得了欧洲和北美主要通信认证GCF和PTCRB的资格。通过这些措施，LG电子能够自主完成车辆通信部件的开发、测试和认证全过程。LG电子VS研究所所长副社长李尚勇表示：“我们将基于世界一流的技术实力，进一步加强在全球远程信息处理市场的领导地位。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

应用材料公司发布了两款用于先进逻辑芯片微结构形成的下一代半导体设备系统。据应用材料公司介绍，这些新设备旨在解决2纳米以下GAA晶体管工艺的复杂性，并支持人工智能基础设施所需的高性能、低功耗半导体的量产。GAA结构比传统方法性能更高，但需要超过500道精密工艺来形成3D结构。为此，应用材料公司推出了“选择性氮化膜PECVD”和“Endura Trillium ALD”系统，以原子级别控制材料沉积。选择性氮化膜系统采用业界首创的选择性自下而上沉积技术，仅在需要的位置形成氮化膜，以减少晶体管间的寄生电容，并通过低温工艺保持芯片性能。同时发布的Endura Trillium系统则是在纳米片包围的栅极堆栈上均匀沉积金属，帮助精确调节晶体管的临界电压。这些设备系统已被全球半导体制造商用于2纳米以下的GAA工艺。普拉布·拉贾，应用材料公司半导体产品集团总裁表示：“在先进逻辑节点中，性能和效率现在由材料创新决定。我们将通过新系统支持客户实现AI计算路线图的基础——晶体管技术的转变。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

受高带宽存储器（HBM）等人工智能（AI）芯片销售扩大带动，三星电子美国半导体子公司（SSI）去年实现两位数营收增长。然而，由于晶圆代工业务持续亏损及投资成本上升，盈利能力未能同步改善。 三星电子于26日发布的报告显示，SSI去年实现营收59.2787万亿韩元（约合人民币2835.4亿元），同比（46.8735万亿韩元）增长26.4%。这主要受益于以英伟达、超威半导体（AMD）、谷歌等美国科技巨头为中心的AI芯片需求激增。 三星电子自去年起正式向英伟达供应第五代HBM3E产品，并向超威半导体的AI芯片MI350全面供应12层堆叠HBM3E产品。尽管营收规模显著扩大，但盈利表现不及预期。数据显示，SSI去年净利润为4384亿韩元，低于前年的7790亿韩元。分析认为，晶圆代工业务的结构性亏损及相应费用计提，对整体利润构成拖累。 三星电子在去年第四季度业绩发布会上表示，受晶圆代工业务持续亏损影响，利润改善幅度有限，并指出公司全力推进2纳米全环绕栅极（GAA）制程工艺的稳定及后续工艺开发。此外，为应对美国得克萨斯州泰勒新工厂投产，公司投入大量生产准备资金，进一步加大成本压力。业界普遍认为，去年晶圆代工部门出现数万亿韩元规模的亏损，同样制约了整体盈利能力的改善。 同时，三星电子在华半导体业务整体呈停滞态势。三星中国半导体生产法人（SCS）西安工厂去年实现营收8.6357万亿韩元，同比减少约2.5万亿韩元；销售法人SSS营收由30.0684万亿韩元小幅增至31.9540万亿韩元，增幅有限。业内分析指出，这与中国本土存储企业攻势加剧密切相关。 作为中国动态随机存取存储器（DRAM）市场龙头企业，长鑫存储科技（CXMT）据称以接近市场价一半的价格供应DDR4等成熟制程产品，采取激进的市场策略。业内人士表示，尽管三星电子在美国市场营收快速增长，但晶圆代工业务的结构性亏损及大规模投资压力依然存在。随着泰勒工厂正式投产，以及2纳米工艺良率趋于稳定，盈利能力改善才有望逐步显现。