在美国硅谷举行的GTC 2026大会上，围绕全球人工智能（AI）霸权的半导体企业战略竞争正式展开。英伟达、三星电子和SK海力士在下一代内存主导权上展开复杂的合作与竞争。此次活动不仅是技术发布会，更是英伟达全球供应链重组战略的试验场。同时，韩国内存企业也从传统的生产角色转变为设计阶段的战略伙伴。最引人注目的是黄仁勋的行动。他访问了SK海力士展台，并在下一代加速器模型上签名，强调合作。同时，他在主题演讲中公开提到三星参与其推理芯片的生产，显示出避免对单一企业依赖的意图。这一举动被解读为应对激增的AI半导体需求的战略选择。单一供应链依赖可能导致交货延迟和价格谈判力减弱。通过将三星电子纳入现有的台积电和SK海力士结构中，意图引导竞争格局。韩国企业也不再被动应对，而是积极争取主导权。崔泰源会长在现场提到高带宽内存（HBM）生产扩大的DRAM供应不平衡可能性，强调内存产业整体供需管理的重要性。三星电子则展示了设计、晶圆代工和封装整合的一站式生产能力，强调减少数据处理瓶颈和缩短交货时间，明确其差异化战略。特别是通过发布下一代HBM产品，展现了在技术主导权竞争中的优势。目前，AI半导体市场正从单一企业中心结构转向高互依性的合作体系。英伟达的GPU设计竞争力需要HBM技术的支持，反过来，三星电子和SK海力士也通过英伟达平台扩大高附加值市场。随着AI产业重心从学习转向推理，定制内存需求迅速增加。因此，不仅生产能力，设计和封装的整合能力也成为核心竞争要素。最终，此次GTC被视为展示全球AI半导体生态系统转向“竞争性合作”结构的舞台。在供应链主导权的微妙平衡中，韩国半导体产业的战略地位预计将进一步加强。

“三星是全球最佳。”英伟达CEO黄仁勋于16日在美国加州圣何塞的“GTC 2026”上访问三星电子展台，现场一片欢呼。他在三星的6代高带宽内存（HBM4）样品上签名并给予高度评价。业内认为，这不仅仅是一次活动，而是三星电子在AI半导体竞争中作为综合半导体企业（IDM）重新扩大其在英伟达生态系统中影响力的信号。三星在此次GTC上强调同时供应内存核心芯片和代工基底芯片的结构。HBM核心的DRAM核心芯片采用1c（10纳米级6代）工艺，基底芯片则由三星代工4纳米工艺制造，体现了内存、逻辑、封装的IDM整合技术。三星首次展示了下一代HBM“HBM4E（7代）”实物芯片和核心芯片晶圆，目标是每针16Gbps速度和最大4TB/s带宽。三星特别强调结合内存设计、代工和先进封装的“全方位解决方案”能力，展示了热阻改善超过20%并支持16层以上堆叠的下一代封装技术HCB（混合铜键合）。这一策略反映了在AI基础设施时代，内存竞争力已从单纯的DRAM性能扩展到系统整合能力。业内评价认为，三星电子正在重新提升其在HBM市场的竞争力。三星在展区设立了“HBM4英雄墙”，展示HBM4芯片和4纳米基底芯片晶圆，展示将应用于下一代英伟达平台“Vera Rubin”的内存结构。三星还强调其为Vera Rubin平台提供内存和存储设备的“全方位内存解决方案”能力，展示了用于Rubin GPU的HBM4、Vera CPU的SOCAMM2和服务器用SSD PM1763，展示了AI数据中心内存生态系统。SOCAMM2是基于LPDDR的服务器内存模块，已开始量产，基于PCIe 6代的SSD PM1763将作为Vera Rubin平台的主要存储设备。三星在展会上通过搭载该存储设备的服务器进行了AI工作负载演示。当天，黄仁勋CEO在现场亲自确认三星技术力后，连连称赞。他进入展台时表示：“这是我亲近的人们，做得很好，是伟大的合作伙伴。”他即兴在HBM4样品、晶圆和英伟达芯片上用金色笔签名。黄仁勋离开会场时说：“加油，三星！我为三星感到自豪。”并表示：“未来即将到来，还有更多的创意。”业内认为，此次活动标志着三星电子在HBM竞争力恢复的转折点。IDM结构在AI半导体时代再次成为竞争力，特别是在英伟达下一代平台为中心的AI基础设施竞争扩大之际，三星电子通过内存、代工和封装的“全方位AI内存”战略强化了其存在感。

三星电子率先推出被称为“梦幻存储”的第六代高带宽存储器HBM4，预示着HBM市场格局的变化。提前供货是为了抢占英伟达下一代AI芯片“Vera Rubin”的市场份额，打破SK海力士的垄断地位。据半导体行业消息，三星电子已正式宣布量产出货性能最强的HBM4。该产品速度达到11.7Gbps，比JEDEC标准的8Gbps高出46%，并可扩展至13Gbps，领先于竞争对手。三星能够在HBM4市场占据优势的关键在于“大胆的工艺转换”。与SK海力士和美光使用的10纳米级第五代（1b）DRAM不同，三星采用了技术难度更高的10纳米级第六代（1c）DRAM。此外，三星在HBM的“基底芯片”生产中采用了自家4纳米工艺，与SK海力士使用的台积电12纳米工艺相比，三星通过微细工艺最大化了电力效率和性能。三星电子副总裁黄尚俊表示：“我们打破了传统，采用最先进的工艺，及时满足客户的性能提升需求。”这是为了满足英伟达苛刻规格的战略选择。英伟达的下一代芯片“Vera Rubin”目标是推理性能提升5倍，学习能力提升3.5倍，需要超高速和超大容量的存储支持。三星通过从设计到生产、封装的一体化“Turn-key”解决方案实现了工艺优化，并通过了英伟达的质量测试。◆ “稳定性”SK海力士 vs “性能”三星电子…第二轮对决业内认为，三星电子的HBM4提前亮相标志着HBM市场竞争进入“第二轮”。一直主导市场的SK海力士以“稳定性”和“联盟”为武器进行防守。SK海力士通过验证的1b DRAM和与台积电的合作，在良品率和兼容性方面占据优势。市场研究公司Semianalysis预测，今年HBM4市场份额将为SK海力士70%，三星电子30%，仍然看好SK的优势。然而，三星电子的追赶势头迅猛。三星电子DS部门CTO宋在赫表示：“现在是展示三星电子真正实力的时候了。”业内预计，如果三星成功稳定HBM4的良品率，其在英伟达的市场份额可能提升至40%。尤其是如果英伟达提高规格要求，三星凭借规格优势可能占据有利地位。专家预测，HBM4之后的市场将转向根据客户需求定制芯片的“定制HBM”时代。在此过程中，拥有存储、代工和封装能力的三星电子的“IDM（综合半导体企业）能力”可能成为关键竞争力。如果设计、生产、封装由不同公司执行，工艺优化可能需要时间且成本增加，但三星可以在内部一次性解决这些问题，有利于缩短交货期和降低成本。KB证券研究部部长金东元表示：“采用1c DRAM和4纳米工艺的三星HBM4性能超出预期”，并分析称“未来三星电子的市场份额有望扩大”。2026年半导体市场的胜负取决于三星电子能否快速提升HBM4的量产良品率以确保盈利，以及SK海力士能否通过与台积电的联盟建立坚固的防御。随着英伟达“Vera Rubin”发布在即，两家公司的技术竞争将更加激烈。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子成功量产并出货被誉为“梦幻内存”的第六代高带宽内存（HBM4），成为全球首家。此前在HBM3E市场上失利的三星，凭借其卓越的技术实力，成功抢占第六代市场，重夺半导体王座。据业内消息，三星电子于12日开始量产出货性能最强的HBM4产品，预计将用于英伟达的下一代AI加速器“Vera Rubin”。◆ 宋在赫：“技术领先，展现三星实力”此次量产出货是此前一天信心的体现。三星电子设备解决方案（DS）部门首席技术官（CTO）宋在赫在11日首尔COEX举行的“半导体韩国2026”主题演讲前表示，客户对HBM4的反馈非常满意，并强调“技术上无可匹敌”。宋在赫表示，三星将继续在下一代HBM4E和HBM5中保持行业领先。他指出，三星在内存、代工和封装方面具备综合半导体企业（IDM）的优势，能够满足AI产品的需求。三星电子成功量产的HBM4突破了现有产品的限制，采用10纳米级第六代（1c）DRAM和自有4纳米工艺，数据处理速度达到国际半导体标准组织（JEDEC）标准8Gbps的146%，高达11.7Gbps，比前代HBM3E快22%。单栈带宽提升至3.3TB/s，容量达到36GB，未来计划扩展至48GB。值得注意的是，HBM4的“基底芯片”采用了4纳米工艺，开启了“定制HBM”时代。◆ SK海力士能否追赶？业内认为，三星的早期量产将成为HBM市场的“游戏规则改变者”。在HBM3E市场上，SK海力士占据主导地位，但在HBM4市场，三星凭借“一站式”解决方案取得优势。美国美光在进入英伟达HBM4供应链时遇到困难，而三星抢占了初期供应，未来在价格谈判和市场份额上占据有利地位。专家指出，三星通过HBM4的早期出货证明了其技术领导力，但实际量产的良品率稳定性将决定其能否独占英伟达等大客户的订单。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子设备解决方案(DS)部门CTO宋在赫表示，HBM4的量产将展示三星的技术实力。春节后，三星将首次向英伟达供应HBM4，重夺半导体市场主导地位。宋在赫在首尔的“半导体韩国2026”会议上表示，客户对HBM4的反馈非常满意。作为唯一同时拥有存储、代工和封装的公司，三星具备生产AI所需最佳产品的条件。HBM4采用10纳米6代(1c)DRAM和4纳米代工工艺，数据处理速度达到11.7Gbps，比国际标准(JEDEC)高37%。其内存带宽提升至3TB/s，12层堆叠技术提供36GB容量。宋在赫称，HBM4技术已达顶尖水平，良品率也很高，显示出三星在HBM市场的技术优势。他对市场前景持乐观态度，预计AI需求将导致今年和明年内存供应紧张，进入半导体“超级周期”。三星计划在HBM4E和HBM5技术上继续保持领先地位，提前布局未来技术。春节后第三周，三星将开始向英伟达量产出货HBM4，争取市场主导权。

在人工智能（AI）芯片不可或缺的高带宽存储器（HBM）领域，三星电子与SK海力士凭借各自独特的竞争优势展开积极布局。 据业界7日消息，英伟达首席执行官黄仁勋在近期记者会上表示，SK海力士的核心优势在于“专注”（focus），而三星电子的强项则在于“多样性”（diversity）。他指出，两者均具备不可替代的价值，并将作为英伟达的长期合作伙伴，共同致力于HBM4、HBM5乃至HBM97等新一代高带宽存储器的研发。黄仁勋强调，韩国企业不仅是优秀的合作伙伴，更如同兄弟。他透露，目前已拿到来自三星电子与SK海力士的HBM4样品，经测试均运行状态非常良好。他表示，唯有整合韩国企业的整体实力，才能持续推动英伟达的成长与发展。 业内分析认为，三星电子与SK海力士在竞争力方面存在显著差异。SK海力士作为专业存储半导体厂商，在相关技术领域保持领先地位；而三星电子则是一家能够实现从存储、晶圆代工到先进封装全流程一体化的综合半导体企业（IDM）。 目前，在AI芯片的生产体系中，英伟达等无晶圆厂企业主要负责产品设计，而存储厂商（如SK海力士）、晶圆代工厂（如台积电）等专业企业则分工协作完成制造环节。然而，三星电子是全球唯一一家同时具备存储半导体、晶圆代工及先进封装能力的综合性半导体企业，能够独立完成从设计支持到最终产品的全链条生产。 三星电子强调，企业可为客户提供在同一平台上一站式评估存储性能、获取代工制造咨询以及验证先进封装技术特性的综合服务。此外，三星电子拥有丰富的产品线，这也是独特的竞争优势之一。相较之下，SK海力士作为专业存储半导体企业，始终坚持“不与客户竞争”的战略定位，这一理念与全球领先的代工企业台积电高度契合。 台积电秉持“绝不与客户竞争”的原则，在今年第二季度全球晶圆代工市场中占据了71%的份额，远高于排名第二的三星电子（8%），几乎形成垄断态势。尽管SK海力士在产品多样性方面不及三星电子，但作为专业存储企业，能够通过高度专注的研发策略实现技术突破与效率提升。 SK集团会长崔泰源在近日举行的“SK AI Summit 2025”上发表演讲时指出，SK的AI战略核心在于与合作伙伴共同设计与推进解决方案。他表示，SK绝不与客户或合作伙伴形成竞争关系，而是致力于携手多方伙伴共同开拓人工智能业务机遇，寻求最高效的AI解决方案。