台积电公司大楼 【韩联社】 一项调查显示，半导体代工巨头业绩“冰火两重天”，三星电子半导体代工市场占有率再次下滑。反之，台积电稳步上升。 市场调查机构Counterpoint Research日前发布的统计数据显示，今年第三季度（7至9月）三星电子半导体代工销售市场占有率达12%，较上季度（13%）减少1个百分点，仅次于台积电，位居第二。然而，同期，台积电的市场占有率则从62%升至64%，进一步扩大市场份额，巩固了其行业霸主地位。 三星电子继去年第四季度（10至12月）市场占有率达到14%后，今年第一季度下滑至13%，第二季度持平，第三季度再次下滑至12%。反观台积电在去年第四季度市场占有率（61%）突破60%大关后，呈持续上升趋势，从今年第一季度的60%上升至第三季度的64%，展现出强劲的市场拓展能力和技术实力。 三星电子在半导体代工领域正面临诸多挑战。在先进制程方面，面临与台积电的激烈竞争；而在成熟制程领域，需应对来自中国企业的强劲竞争压力。 近年来，台积电凭借人工智能（AI）半导体需求的激增以及苹果等智能手机新产品的上市热潮，第三季度业绩实现了显著提升。 报告指出，随着中国代工企业产能的不断扩大，未来成熟制程代工市场的竞争将更加激烈。尽管三星电子在2022年全球首次实现了3纳米工程的批量生产，掌握了尖端技术的主动权，但在客户拓展方面仍面临诸多困难。相比之下，台积电凭借与苹果、英伟达等美国大型企业的稳固合作关系，其整体业绩呈现出日益稳固的态势。

三星代工论坛2023【图片提供 韩联社】 三星电子表示，将利用最尖端的半导体技术提速人工智能（AI）时代进程。 近日，三星电子在美国加利福尼亚北部的硅谷举行了“三星代工论坛2023”，发表关于针对AI时代变革下的半导体发展蓝图。 代工事业部社长崔世荣表示，众多合作企业正积极开发生成式AI专用半导体，三星电子也为满足AI市场的需求和技术趋势，将对新型全环绕栅极晶体管技术（GAA·Gate All Around）进行升级，推动AI技术革新。 GAA技术被认为是下一代半导体核心技术，增加栅极面积，克服工艺小型化导致的晶体管性能低下，提高数据处理速度和功率效率。三星电子于去年6月首次批量生产基于全栅极（GAA）技术的3纳米半导体，由此成为全球唯一一家采用下一代全新全栅极架构晶体管技术提供3纳米工艺代工服务的代工企业。 三星电子将在2025年实现2纳米制程的规模化量产，并在此次论坛上首次公开相关日程。2025年以智能化为核心，在2026年以前将2纳米工艺技术应用于高性能计算（HPC），直至2027年将半导体产业扩大至车载半导体领域。并计划于2027年量产超越2纳米工艺技术的1.4纳米制程规模量产。 与此同时，三星电子还决定从2025年起提供人工智能技术所需的高性能低电耗氮化镓（GaN）功率半导体晶圆代工服务。为此，公司将同相关企业构建先进封装协商机制“MDI（Multi Die Integration）同盟（Alliance）’。 三星电子表示，不仅将持续提升生成式AI半导体技术水平，还将进一步扩大产能。以今年下半年​平泽第3工厂为起点持续加大产量，明年下半年德克萨斯州的泰勒第1工厂也将开始投入生产，计划于2027年以前将半导体生产力提升至2021年的7.3倍。 此次论坛共有700多名代工事业部职员及合作企业参加，并在现场为38家合作企业设置展位，分享对代工技术的趋势及未来发展前景相关的意见。 崔世荣强调，将与合作伙伴协同持续研发半导体尖端技术，使晶片等半导体技术更加多样化，加速“后摩尔时代”的到来。

中国存储芯片大厂长江存储日前被列入美国商务部“黑名单”，三星电子闻风而至发动新一轮价格攻势，或成为最大受益者。 据中国台湾IT专业网站DIGITIMES的消息，三星电子本月上中旬开始抬高报价，部分3D NAND闪存价格最高上调10%。今年10月，美国为阻挠中方将尖端芯片技术用于提升军力对华实行新一轮芯片禁令，对中国禁止出口高端芯片和制程设备由10纳米以下扩大至14纳米以下，且包括涉及人工智能和超级计算机的高运算芯片，以及128层以上的NAND闪存等产品。 经过两个月的调查，本月15日，美国商务部再次将36家中国企业加入出口管制实体清单（Entity List），其中包括向华为和海康威视提供芯片的长江存储。今后长江存储在未获得美国商务部批准的情况下，无法从美企购入芯片设备及开发所需的技术。 在中国政府的大力扶植下，成立于2016年的长江存储仅用了4年的时间，于2020年量产128层的NAND闪存，今年宣布全球率先量产232层3D NAND闪存芯片。在全球市场所占份额从2020年时的0.8%扩大至今年第2季度的3.4%。 被列入美方“黑名单”后，长江存储研发高阶芯片将受重挫，无法获得核心设备及技术将很难提高128层及232层等主要3D NAND闪存产品的良率，或退回生产平面2D NAND闪存。 长江存储开发高阶芯片计划受阻，三星电子或成为最大的受益者。不少企业转向三星采购3D NAND闪存来满足市场需求，预计三星的订单将大幅增长，推动三星NAND芯片身价水涨船高。日前有消息称，原计划从长江存储采购128层3D NAND闪存芯片的苹果或将这笔“大单”转手给三星，未来三星可能为iPhone生产高达40%的存储芯片。 三星电子位于京畿道平泽市的半导体生产车间。【图片来源 网络】

三星电子位于京畿道华城市的晶圆工厂【图片提供 三星电子】 综合外媒及芯片业界24日消息，英特尔日前宣布，将投资200亿美元在美国俄亥俄州新建两座芯片工厂，占地1000英亩。工厂计划于今年底动工，2025年投产。英特尔称，这块土地最多可容纳8座工厂，预计今后10年总投资规模可达1000亿美元，这将是俄亥俄州历史上最大的一笔投资，建成后也将成为全球最大的芯片制造综合园。 目前，英特尔正在美国亚利桑那州建设两座晶圆工厂。本月19日，英特尔抢在台积电和三星电子之前，与荷兰光刻机制造商ASML签署下一代High NA采购合同。 曾一度是芯片产业龙头老大的英特尔主力产业中央处理器（CPU）近年来竞争力下滑，市场地位岌岌可危。市场调查机构Gartner的数据显示，去年英特尔芯片销售规模为731亿美元，被三星电子反超，三星电子上一次夺得全球芯片销冠还是在2018年。 英特尔此次发布的大手笔投资计划显示出其欲在芯片市场重新掌握主动权的野心。新冠疫情在全球大流行后，芯片供应链面临严峻挑战，“缺芯”现象依然严重，尤其对于晶圆代工的需求激增。为鼓励各芯片制造商在美国建厂，美众议院即将推出一项520亿美元的投资法案，希望在全球芯片竞争中保持优势。 以去年第三季度的数据为准，台积电以53.1%的份额居晶圆代工市场之首，三星电子排名第2位，市场份额为17.1%。目前在晶圆代工领域，英特尔与三星电子和台积电的技术水平虽尚存较大差距，但在拜登政府的行政支援，以及与苹果等美国企业的合作下，预计在2024年至2025年间，台积电、三星电子和英特尔将形成“三强争霸”局面。 面对英特尔的来势汹汹，台积电也不甘示弱，本月13日，台积电发布新一轮投资计划，宣布将在美国亚利桑那州和日本建设芯片工厂，投资规模分别为120亿美元和70亿美元。在日前发布的业绩报告中，台积电宣布将投资400亿至440亿美元来扩大和升级产能。 三星电子位于得克萨斯州泰勒市的第二座晶圆代工厂即将动工，其位于京畿道平泽市的“P3”生产线投产在即，“P4”生产线也如期动工，业界预测三星电子今年对芯片领域的投资将达到40万亿韩元以上。 三星电子虽在7纳米和5纳米制程量产竞争中不敌台积电，但计划于今年上半年率先进入3纳米工艺时代。业界相关人士称：“英特尔的大手笔投资和三星电子的3纳米制程投产将成为今年晶圆代工市场版图走向的重要变数。”