SK海力士大楼标志 SK海力士的劳资双方在今年的工资和集体协议（임단협）第四次谈判中，围绕绩效奖金支付方式和工资体系继续激烈对峙。在创纪录的业绩背景下，管理层提出将部分绩效奖金以股票形式支付，并在出现亏损时临时调整工资，这引发了工会的强烈反对。根据SK海力士工会公开的第四次劳资谈判会议记录，管理层提出了包括绩效奖金支付方式变更和亏损时工资调整等在内的工资体系改革方向。双方在过去两周进行了四次集中实务谈判，但未能缩小分歧。工会表示：“公司在第四次劳资谈判中坚持将超过一半的绩效奖金以股票形式支付，并限制一定期限内的出售。此外，关于亏损发生时临时调整工资的方向也维持了原有立场。”工会认为，这一提案损害了去年关于绩效奖金的劳资协议，且让工会成员承担股价波动的风险是绝对不可接受的。SK海力士目前正处于历史最高业绩之中。今年上半年营业利润接近100万亿韩元，证券界预计全年营业利润将达到约250万亿韩元。此前，劳资双方在去年的谈判中达成协议，取消营业利润10%的超额利润分配金（PS）上限，并决定维持这一政策10年。因此，按照今年的PS资金计算，预计每位员工（约3.5万人）可获得平均7000万韩元（税前）。PS支付的80%将以现金形式支付，其余20%将在两年内分期支付。然而，管理层对内存半导体行业特有的业绩波动性表示担忧。实际上，SK海力士在2023年经历了半导体行业下行期，记录了77000亿韩元的营业损失，因此此次管理层的提案被解读为对未来经营不确定性的预防措施。劳资双方计划于8月4日进行第五次谈判，但由于在绩效奖金支付方式和亏损时工资调整等核心议题上未能达成一致，预计将继续面临困难。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

韩国交易所数据显示，市值排名前五的大型股在开盘初期普遍大幅上涨。 31日早上9时15分，三星电子的股价较前一交易日上涨42500韩元（20.53%），报249500韩元。SK海力士上涨300000韩元（22.70%），报1622000韩元。三星电子优先股和SK广场分别上涨20.66%和26.41%，三星电气则上涨29.69%，创下涨停。 分析认为，这一上涨与美国纽约股市的半导体股因大型科技公司和半导体设备制造商的良好业绩而大幅反弹有关。由于近期对人工智能（AI）投资过热的担忧，投资者情绪受到压制，但随着情绪恢复，费城半导体指数（SOX）在30日（当地时间）上涨了8.2%。 内存半导体股的上涨势头尤为明显。三星电子预计内存供应短缺将持续到2028年，市场对行业改善的期待加大。近期业绩发布后大幅调整的SK海力士ADR反弹了17.5%，美光上涨18.3%，闪迪上涨25.8%。 半导体设备股和AI基础设施相关股也表现强劲。根据Ram Research的报告，基于AI半导体设备的需求，市场业绩超出预期，前景乐观，股价上涨17.9%。微软（MS）宣布其Azure云业务的快速增长和扩大AI投资计划，股价上涨15.2%。应用材料（15.0%）、AMD（13.3%）、Marvell Technology（13.2%）、英特尔（10.9%）和英伟达（2.8%）也随之上涨。 收盘后，亚马逊也发布了超出市场预期的业绩。其核心云业务AWS的收入同比增长37%，创下自2021年以来的最高增长率，再次确认了对AI基础设施投资扩大的期待。 在韩国，随着对三星电子和SK海力士的内存行业改善期待的扩散，SK广场作为SK海力士的子公司也反映出企业价值上升的预期，股价上涨超过20%。三星电气同样因对AI服务器和高性能半导体需求扩大的业绩改善预期而涨停。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士大楼标志 SK海力士驳斥了关于人工智能（AI）投资放缓的担忧，认为高带宽内存（HBM）等AI内存需求，以及普通DRAM和NAND都已进入结构性增长阶段。预计AI内存超级周期将比预期更为长期。为此，SK海力士计划扩大HBM4的量产，并推进5年期长期供应合同（LTA），同时扩大生产能力，以巩固其在AI内存领域的领导地位。在29日举行的2026年第二季度业绩发布电话会议上，SK海力士表示：“AI基础设施投资依然稳健，主要客户甚至要求更多的内存供应。”并指出：“不仅是AI内存，普通内存也在一起经历结构性变化。”公司还表示：“由于主要云服务提供商（CSP）之间的AI竞争和服务扩展持续进行，因此预计明年以后AI基础设施投资将保持稳健。”公司预计，今年DRAM需求将增长20%中段，NAND需求将增长10%后段。考虑到先进工艺的难度和生产设施的建设周期，预计供应短缺将持续相当长一段时间。中长期供应合同也在扩大。SK海力士表示，目前已与包括核心客户在内的10多家企业完成LTA谈判。合同期限通常为5年，涵盖简单的数量供应以及客户的采购协议和预付款等结构。SK海力士强调：“目前推进的生产能力扩张是基于与客户建立的长期合作伙伴关系所确保的需求。”并指出：“投资和生产扩张将根据客户需求和投资效率逐步进行，因此供应过剩的可能性有限。”公司重申了对HBM竞争力的信心。SK海力士表示，已从第二季度开始量产HBM4，并计划在下半年大幅扩大生产。下一代产品HBM4E也已向主要客户供应样品，正在以2027年量产为目标进行开发。SK海力士表示：“HBM的竞争力不仅体现在性能上，还包括良率、质量和稳定的量产能力。”并指出：“HBM4已经具备与上一代产品（HBM3E）相似的量产稳定性，同时也在积极开发解决下一代产品发热问题的iHBM技术。”针对近期竞争对手的技术追赶，SK海力士表示：“在市场推出时机、产品性能、量产良率、质量和客户信任度等方面，积累的竞争力短期内难以获得。”并强调：“基于与客户的早期共同开发经验和长期合作基础，未来仍能在HBM市场保持领导地位。”公司还将继续进行符合AI时代的积极投资。SK海力士计划提前M15X的量产时间，并在2027年初启用龙仁1期厂后迅速扩大生产能力。公司预计今年的设备投资（CAPEX）将在40万亿韩元后半段。这一投资将用于最近宣布的清州先进封装工厂（P&T7）和新的NAND生产基地（M17），以及龙仁之后的新半导体集群建设，以确保中长期增长基础。关于7月在美国纳斯达克上市的美国存托股票（ADR），SK海力士表示：“这不仅是简单的资金筹集，而是全球市场对我们技术实力和成长性的认可。”并表示：“将以此为契机，发掘新的商业机会。”目前，公司的净现金已增至69万亿韩元，并预告了额外的股东回报政策。SK海力士表示：“我们将AI时代的增长投资、财务稳健和股东回报作为资本配置的原则。”并承诺：“在ADR相关的监管程序完成后，将在年内与市场分享额外的股东回报方案。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士大楼标志 SK海力士在今年第二季度业绩发布的电话会议上表示，"目前正在与主要客户协商2027年高带宽内存（HBM）的供应量和价格，基于稳健的客户需求，讨论进展顺利"。同时指出，"近期普通DRAM价格大幅上涨，这种市场环境可能对HBM价格协商产生一定影响"。此外，SK海力士强调，"HBM价格并非仅由普通DRAM价格的波动决定"，并指出，"HBM相比普通DRAM投入了更多的晶圆和先进工艺、硅通孔（TSV）及封装能力等大量资源"。公司进一步解释，"在与客户个别协商价格时，综合考虑普通DRAM价格和供需环境，以及HBM生产所需的资源、机会成本、技术难度和产品为客户提供的价值等因素"。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。