随着人工智能（AI）半导体需求的激增，三星电子和台湾的台积电等全球主要半导体企业纷纷引进荷兰半导体设备制造商ASML的先进设备。能够绘制更细微电路的“高数值孔径（High NA）极紫外光（EUV）”技术正成为下一代半导体生产的核心。 根据8日彭博社的报道，三星电子和台积电计划分别于2028年和2030年开始大规模生产ASML的高NA EUV设备。 高NA EUV设备被认为是最先进半导体制造的关键设备。由于其光的数值孔径（NA）高于现有EUV设备，能够在更广的角度收集光线，从而在晶圆上实现更细微的电路图案。这将减少现有EUV设备在某些工艺中需要多次曝光的步骤，提高半导体的微型化和生产效率。设备的价格约为4亿美元（约合5375亿韩元）。 包括已经引进该设备的美国英特尔在内，全球主要半导体企业开始正式利用下一代EUV技术。 此外，三星电子、台积电、英特尔和ASML还共同推动将用于半导体制造的“光刻掩模”尺寸从现有的6英寸扩大到12英寸的技术开发。 光刻掩模是一种用于在半导体晶圆上反复刻画电路图案的设计板。半导体行业使用6英寸光刻掩模已有数十年，但随着电路越来越微型化，以及对像AI半导体这样的大型复杂芯片的需求增加，现有光刻掩模尺寸的局限性也日益显现。 ASML表示，采用新技术后，高NA EUV设备的生产处理能力可提高最多40%，同时简化设计工艺。ASML首席技术官马尔科·彼得斯（Marco Peters）表示：“高NA EUV技术在半导体大规模生产中的应用是一个重要进展，客户们也认可高NA EUV设备相较于现有技术的优势。” 实际上，将光刻掩模转换为12英寸的工作在技术上复杂且成本高，因此过去难以推进。然而，随着AI半导体需求的快速增长，三星电子、台积电、英特尔等ASML的主要客户正在共同努力开发12英寸光刻掩模技术，以提高生产效率并降低成本。 尤其是台积电，过去因成本与生产效率问题对高NA EUV设备的引进持谨慎态度，但随着AI半导体需求的激增，开始积极获取下一代生产技术。台积电计划在2030年引入使用现有6英寸光刻掩模的高NA EUV设备，并逐步开发12英寸光刻掩模技术以应用于生产。 台积电首席执行官魏哲家表示：“我们一直在合作解决半导体行业的技术问题，克服技术壁垒在成本问题之前是至关重要的。” 彭博社评估，台积电作为ASML整体营收约16%的主要客户，其引入高NA EUV设备对ASML具有重要意义。 ASML是全球唯一能够生产EUV光刻设备的公司。EUV设备是生产全球最先进的AI加速器和半导体的必备设备。ASML预计，随着半导体工艺技术的进步，高NA EUV设备的需求也将不断增加。

中国成功实现了半导体工艺核心设备——深紫外（DUV）光刻机的国产化。继前一天中国最大DRAM厂商CXMT（长鑫科技）成功上市后，中国半导体行业的好消息接连而至。这一成就对韩国半导体企业的股价造成了重大冲击，28日，三星电子股价下跌了13.4%，SK海力士则下跌了14.7%。 中国的半导体设备企业开始生产自主研发的浸没式DUV设备，预计今年将生产5台并交付给客户。美国IT专业媒体《信息时报》在28日报道称，生产的设备将供应给中芯国际、华虹半导体、长鑫科技等中国主要半导体企业。这是中国企业首次制造浸没式DUV设备。《信息时报》还指出，预计明年将交付20台设备。美国制裁7年后DUV国产化成果显现自2019年起，美国禁止向中国出口最先进的极紫外（EUV）光刻机，并从2023年开始禁止向中国出口浸没式DUV设备。中国自2019年起便致力于光刻机的国产化，经过7年的努力，终于实现了DUV的国产化。 浸没式DUV设备能够通过一次曝光工艺（图案化）制造28纳米（nm）工艺的半导体。如果经过多次电路曝光的多图案化工艺，则可以覆盖到7纳米工艺。然而，多图案化工艺的良品率较低，制造成本较高。 浸没式DUV设备由荷兰光刻机制造商ASML于2006年推出。中国制造的设备预计与ASML2008年版本的浸没式DUV性能相似。根据计算，ASML与中国光刻机技术的差距约为18年。EUV设备预计2030年将见成效尽管中国在7年内实现DUV国产化被认为是相当大的成就，但这标志着中国28纳米半导体工艺的国产化已完成。此外，预计中国将以此为基础，加快EUV光刻机的开发。 中国政府将2026年至2030年第十五个五年计划的核心目标设定为“技术自立”，其中最重要的任务无疑是EUV光刻机的开发。虽然中国政府并未具体提及开发时间，但当地半导体行业普遍认为，2030年开始EUV设备的开发成果将会显现。华为关联公司被指为DUV开发企业中国DUV设备制造商的名称尚未公开，但在中国业内普遍推测华为的关联公司宇量昇可能是该企业。去年9月，《金融时报》曾报道中芯国际正在测试宇量昇制造的浸没式DUV，初步测试结果显示出积极的指标。 宇量昇50%的股份由上海市政府下属的风险投资公司持有，剩余50%则由中国半导体设备公司新凯来持有。新凯来的100%股份由深圳市政府下属的风险投资公司持有。由于新凯来的核心团队成员是华为的精密设备开发团队，因此中国业内普遍将新凯来视为华为的关联公司。新凯来正在开发EUV设备，但是否与宇量昇共同开发尚未公开。新凯来的EUV开发项目名称为“珠穆朗玛”。CXMT在HBM领域的追赶也在加速与此同时，27日上市的中国DRAM厂商CXMT在首日股价暴涨476%，成为中国股市市值最高的企业。CXMT通过此次上市预计将筹集最高666万亿人民币，且CXMT今年上半年的净利润预计为570亿人民币，因此CXMT将获得总计1236亿人民币的现金。这相当于约27万亿韩元，其中大部分预计将投资于AI用DRAM和HBM。CXMT被认为已经握住了追赶三星电子和SK海力士的机会。 目前，CXMT与SK海力士之间的技术差距约为4年。中国证券公司的分析师认为，凭借巨额的投资资金，加上中国政府的支持和中国AI企业的爆发性需求，CXMT的技术将会迅速提升。尤其是未来CXMT与SK海力士之间的技术差距可能缩小至2年。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

中国成功实现了半导体制造关键设备——深紫外(DUV)光刻机的国产化。继中国最大DRAM制造商CXMT（长鑫科技）成功上市后，中国半导体行业的好消息不断传来。这一成就对韩国半导体企业的股价产生了重大负面影响，28日，三星电子股价下跌了13.4%，SK海力士下跌了14.7%。 据美国IT专业媒体《信息时报》28日报道，中国半导体设备企业已开始生产自主研发的浸没式DUV设备，并计划今年交付5台给客户。报道指出，这些设备将供应给中芯国际、华虹半导体、CXMT等中国主要半导体企业。这是中国企业首次制造浸没式DUV设备。《信息时报》还表示，预计明年将交付20台。 美国制裁七年后DUV国产化成果显现 自2019年起，美国禁止向中国出口最先进的极紫外(EUV)光刻机，并从2023年起也禁止向中国出口浸没式DUV设备。中国自2019年起便致力于光刻机的国产化，经过七年努力，终于实现了DUV的国产化。 浸没式DUV光刻机能够通过一次曝光制造28纳米工艺的半导体。如果经过多次电路曝光的多重图案化工艺，则可以覆盖到7纳米工艺。然而，多重图案化工艺的良率较低，制造成本较高。 浸没式DUV光刻机由荷兰光刻机制造商ASML于2006年推出。中国企业制造的设备预计与ASML2008年的版本性能相似。根据计算，ASML与中国光刻机技术的差距约为18年。 EUV设备预计2030年将见成效 尽管中国在七年内实现DUV国产化被认为是相当大的成就，但这标志着中国在28纳米半导体工艺国产化方面的成功。此外，预计中国将以此为基础，加速EUV光刻机的开发。 中国政府将2026-2030年五年规划的核心目标设定为“技术自立”，其中最重要的任务无疑是EUV光刻机的开发。虽然中国政府并未具体提及开发时间，但当地半导体行业普遍预计，2030年将开始看到EUV设备开发的成果。 华为关联公司被指为DUV开发企业 中国DUV设备制造商的名称尚未公开，但在中国业内普遍推测，华为关联公司宇量昇可能是该企业。去年9月，《金融时报》曾报道，中芯国际正在测试宇量昇制造的浸没式DUV，初步测试结果显示出积极的指标。 宇量昇50%的股份由上海市政府旗下的风险投资公司持有，其余50%由中国半导体设备公司新凯来持有。新凯来的主要团队成员为华为精密设备开发团队的成员，因此业内普遍将新凯来视为华为的关联公司。新凯来正在开发EUV设备，但是否与宇量昇共同开发尚未公开。新凯来的EUV开发项目名为“珠穆朗玛”。 CXMT在HBM领域的追赶也在加速 另一方面，27日上市的中国DRAM企业CXMT在首日股价暴涨476%，成为中国股市市值第一的公司。CXMT通过此次上市预计筹集最多666亿人民币，且CXMT今年上半年的净利润预计为570亿人民币，因此CXMT将获得总计1236亿人民币的现金，这相当于约27万亿韩元，其中大部分预计将投资于AI用DRAM和HBM。CXMT被认为在追赶三星电子和SK海力士方面获得了重要的资金支持。 目前，CXMT与SK海力士的技术差距约为4年。中国证券公司分析师认为，凭借巨额投资资金的获得，加上中国政府的支持和中国AI企业的爆发性需求，CXMT的技术有望实现飞跃性发展。尤其是未来CXMT与SK海力士的技术差距可能缩小至2年。

中国的半导体设备国产化担忧使国内股市大幅下跌。中国最大DRAM制造商长鑫存储科技(CXMT)上市成功后，传出中国开始自主生产半导体生产核心设备光刻设备的消息。 28日，三星电子和SK海力士的股价分别暴跌13.4%和14%。KOSPI一度下跌超过9%。由于美国半导体股疲软，加上对中国企业竞争加剧的担忧，投资者情绪骤然冷却。 路透社指出，半导体股大跌的原因包括对人工智能(AI)投资融资的担忧、中国技术进步以及与中国企业竞争加剧。 根据美国信息技术专业媒体《信息》报道，获得中国政府支持的上海企业已开始生产自主开发的浸没式深紫外线(DUV)光刻设备。 该企业预计今年将生产约5台设备，供应给中国最大的半导体代工企业中芯国际(SMIC)、华虹半导体和长鑫存储科技(CXMT)。2027年的生产目标为约20台。该企业名称尚未公开。 光刻设备是利用光线在半导体晶圆上刻画微细电路的核心设备。荷兰ASML公司垄断供应最先进的极紫外线(EUV)设备，并主导浸没式DUV市场。 目前，中国的DUV设备尚未达到替代ASML产品的水平。《信息》表示：“中国设备在性能和可靠性上仍落后于ASML产品，实际投入生产线前需要进一步测试。” 尽管如此，市场对此反应敏感，因为光刻设备一直被视为中国半导体供应链的最大弱点。中国已经在刻蚀、沉积、清洗、热处理等多个工艺中扩大了国产设备的使用。 若光刻设备达到一定性能水平，将有助于减轻因美国出口管制带来的设备采购压力。中国在半导体设计、设备、材料、生产、存储和成品等方面实现自主连接的“半导体全栈”建设将更进一步。 设计由华为子公司海思半导体负责，生产由中芯国际和华虹半导体承担，存储则由长鑫存储科技和长江存储科技(YMTC)负责。如果再加上中国的光刻设备，将形成中国企业设计的半导体通过国产设备生产，并应用于智能手机、服务器和AI服务的结构。 未来资产证券公司研究员金石桓对路透社表示：“市场担忧主要在于CXMT的当前业绩，而非上市后的生产能力和技术开发扩展后与韩国企业竞争的可能性。” 这对国内设备企业可能形成双重压力。若中国企业增加国产设备的使用，国内企业在中国市场的立足之地可能会缩小。若CXMT和YMTC的生产扩张导致存储价格下跌，三星电子和SK海力士可能会调整设备投资速度。 然而，仍然认为中国尚未完成半导体全栈的判断为时尚早。中国的DUV设备在性能、良率和可靠性方面尚未得到验证。在EUV设备、半导体设计软件、高端材料、精密检测设备等领域，技术差距依然存在。 未来，中国设备国产化的威胁程度将取决于中国的DUV设备是否能够在实际生产线中达到所需的处理速度和良率。 摩根大通分析师桑迪普·德斯潘德对投资专业媒体《巴伦周刊》表示：“（中国DUV生产消息引发的半导体设备股暴跌）似乎过度，但这一消息表明中国的AI半导体自给自足构想正在具体化，”并指出“这增加了ASML在中国市场的长期风险。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

中国内存半导体企业创信内存科技(CXMT)正在迅速扩大生产和市场份额，预计将追赶三星电子、SK海力士和美国美光。然而，由于未能获得生产先进半导体所需的极紫外光(EUV)光刻设备，缩小技术差距的难度也被提出。 根据26日（当地时间）彭博社的报道，野村证券对CXMT给予买入评级，并将目标股价定为116元。这一价格比发行价8.66元高出1239%。 CXMT的股价在当天上海证券市场上市首日一度飙升至55.03元，较发行价上涨535%。野村的目标股价比当天的最高价高出约111%。 野村分析师唐尼·滕表示：“未来几年，全球内存半导体供应将无法跟上需求，CXMT的市场份额将更快提升。” 他特别指出，随着“代理AI”的普及，预计到2030年全球内存半导体的使用量将增加超过7倍。 野村预计，CXMT的内存半导体生产量到2030年将每年增长40%至45%。全球DRAM市场份额也预计将从当前约10%提升至2028年底的18%。 野村的目标股价是基于CXMT在2028年预计的利润计算的，认为CXMT的企业价值可能是美国竞争对手美光的近两倍。 然而，晨星将CXMT的合理股价定为14.90元，仅为野村目标股价的八分之一，且远低于上市首日的股价。 晨星分析师郑杰伟指出，CXMT未能获得EUV设备是最大的风险。EUV是制造更小、更精确半导体电路所需的先进设备。 晨星认为，CXMT在没有EUV设备的情况下，继续提升DRAM性能将面临困难，且技术水平落后于三星、SK海力士和美光，导致其产品只能以更低的价格出售，盈利能力也较低。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

全球最大的半导体设备制造商荷兰ASML在市场第二季度业绩良好及全年展望大幅上调的推动下，股价在15日（当地时间）欧洲股市开盘初期大幅上涨。 根据CNBC等外媒的报道，ASML股价在当天上午9时46分（韩国时间15日下午4时46分）上涨92欧元（5.91%），报1647.80欧元。开盘初期股价一度上涨近7%，但随后涨幅有所回落。尽管如此，ASML今年的股价涨幅已达到115%。 当天，ASML发布了今年第二季度的业绩。数据显示，收入为93亿3000万欧元（约16万亿韩元），超过金融信息公司LSEG统计的市场预期中位数88亿欧元，净利润也达到29亿2000万欧元，超出市场预期的26亿2000万欧元。 此外，ASML将今年的全年收入展望从原先的360亿至400亿欧元上调至430亿至450亿欧元，毛利率展望也从51%至53%上调至54%至56%。这是ASML今年第二次上调全年展望。 ASML首席执行官克里斯托夫·普克表示：“客户们正在不断提前扩产计划，因此各类产品的客户订单增加，长期需求的可见性提高。” ASML是全球唯一生产极紫外（EUV）光刻设备的公司，主要客户包括台积电、三星电子、SK海力士和美光等，这些公司正在扩大先进半导体的生产能力，以应对人工智能半导体需求的增加。 为应对需求增加，ASML计划在2026年将低数值孔径（NA）EUV设备和深紫外（DUV）浸没设备的生产能力分别提高30%。 普克首席执行官还透露，英特尔计划在下一代半导体“猎豹湖”的部分生产中使用ASML的高NA（High-NA）EUV设备。如果实际生产应用，这将成为高NA EUV技术在先进半导体量产中的首次应用。 然而，美国可能会加强对ASML先进半导体设备的对华出口管制，这一因素仍然存在不确定性。尽管面临监管不确定性，ASML仍然维持了今年中国市场收入占整体净收入约20%的预期。 有分析认为，额外的管制可能在短期内刺激中国客户的提前采购。晨星股票分析师哈维尔·科雷奥内罗在接受CNBC采访时表示，中国客户在面对额外管制时，曾有过提前采购设备导致需求激增的先例，因此对华出口管制可能反而会促使中国的设备采购。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

全球最大的半导体设备制造商ASML在2026年第二季度因人工智能（AI）半导体需求的推动，业绩超出市场预期。 根据路透社15日的报道，ASML在2026年第二季度的营收为933亿欧元（约合16万亿韩元），超过金融信息公司LSEG预测的市场中位值88亿欧元。净利润也达到了292亿欧元，高于市场预期的262亿欧元。 ASML首席执行官克里斯托夫·普克在声明中表示：“客户们正在加快生产能力扩展的计划，因此对长期需求的可见性正在提高。” ASML是全球唯一生产极紫外（EUV）光刻设备的公司，这些设备是先进半导体生产所必需的。其主要客户包括台积电、三星电子、SK海力士和美光等。这些公司正在扩大先进半导体的生产能力，以应对AI半导体需求的增长。路透社对此类与AI相关的投资评价为抵消了中国市场的不确定性。 普克首席执行官还透露，英特尔计划在其下一代半导体“豹纹湖”的部分生产中使用ASML的高NA EUV设备。如果高NA设备应用于英特尔的豹纹湖生产，这将成为该技术首次在实际先进半导体生产中的应用案例。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

为了支持人工智能（AI）相关的半导体生产，政府将大幅简化极紫外（EUV）设备的国内引进程序。引进周期将从34天缩短至9天，预计引进成本也将减少约5000万元。 工业通商部在2日的国务会议上通过了包含上述内容的《高压气体安全管理法实施条例部分修订案》。其核心是对符合全球安全标准的半导体制造设备，适用特定设备标准，而非高压气体一般制造设施标准。 近期，半导体出口成为推动韩国经济的重要力量。上个月，半导体出口额达到3716亿美元，比去年同期激增169.4%。这主要受到美国大型科技公司设备投资增加和内存固定价格持续上涨的影响。 有观点认为，围绕半导体的韩国出口有望实现“梦想中的1万亿美元”。然而，企业虽然在增加对先进半导体生产线所需设备的进口，但设备引进延迟的问题也受到关注。 因此，政府决定大幅简化EUV设备的国内引进程序，以便国内半导体企业能够及时引进先进制造设备并迅速投入使用，从而维持产业的“超差距”。 此前，EUV设备因内部包含高压气体管道和装置，被归类为高压气体制造设施。因此，每次设备安装都需要进行技术审核、中间检查和完工检查，导致设备引进需耗时约34天。在中间检查过程中，还需进行海外认证检查机构的耐压密封检查，每台设备的检查费用高达5000万元。 工业部为了解决现场的困难，与半导体行业进行了多次协商，收集了意见。同时，仔细审查了全球安全标准与国内安全管理体系之间的协调性，决定将EUV设备转为特定设备进行安全管理。 通过这一措施，技术审核时间将从目前的15天缩短至2天，中间检查将被省略，完工检查将从7天缩短至2天。总耗时预计将从34天大幅缩短至9天，同时也将减轻中间检查带来的费用负担。 此外，还将新设定针对使用二氧化碳进行清洗的环保“液化二氧化碳清洗设备”的定制检查标准，以合理化监管。同时，对商业液化二氧化碳清洗设备、高压气体储存设施等低风险高压气体设施的安全管理者任命标准进行了相应调整。 修订案将在下周公布后立即实施。工业部部长金正官表示：“此次法令修订是同时实现安全保障与提升先进产业竞争力的典型监管创新案例，我们将通过符合全球标准的合理安全管理体系，积极支持先进产业投资。”

※ '钢铁部队'是一个轻松解读半导体、电池、显示器等尖端产业竞争和技术战争的栏目。从看不见的芯片到全球供应链，像'钢铁部队员'一样奔走在产业前线，生动传递信息。周末充电新能量，感受韩国产业的力量！<编辑者注> 高带宽存储器（HBM）的竞争不再仅仅依赖于内存企业的技术实力。决定生产能力的关键因素正在转向ASML的EUV（极紫外光刻设备）的获取。随着AI半导体市场的快速增长，三星电子和SK海力士之间的HBM竞争加剧，但真正影响市场应对能力的是生产基础设施。EUV设备是先进工艺的必备设备，ASML几乎垄断供应，无法获得设备将限制竞争参与。ASML是荷兰公司，供应在晶圆上刻画半导体电路的光刻设备，在EUV设备领域几乎拥有垄断地位。光刻设备是半导体生产工艺中形成电路图案的核心设备，与工艺微细化直接相关。特别是EUV利用比传统设备更短波长的光，可以实现更密集的电路，是HBM等先进半导体生产的必备设备。公司最近的业绩报告显示，内存半导体客户的EUV生产能力已售罄至2026年。预计供应限制可能持续到2027年，这表明半导体行业的瓶颈正在从性能转向生产基础设施。这种变化正在根本上改变AI半导体竞争的结构。过去竞争主要围绕英伟达和AMD等设计公司展开，随后HBM的内存竞争崛起，但现在能否实现产品化的生产基础设施成为新的竞争焦点。EUV设备不仅是简单的设备，而是进入先进工艺的前提条件，也是决定生产能力的因素。设备的获取时间和数量直接影响产能，因此设备获取速度比技术差距更能左右市场应对能力。因此，半导体竞争的标准也在改变。从微细工艺实现的竞争转向生产速度和产量扩大的竞争。在HBM需求激增的情况下，如果EUV获取延迟，将在交货能力和客户响应速度上拉开差距。实际上，SK海力士已从ASML预订约12万亿韩元的EUV设备，并计划在2027年前分批引进。考虑到每台EUV设备的价格高达数千亿韩元，这是一项数十台规模的大规模投资。这些设备将用于HBM等下一代内存生产的先进工艺，不仅是简单的设备扩充，而是为应对未来AI半导体需求的产能占领战略。特别是考虑到设备交付需要数年时间，此次投资被评价为提前反映中长期需求的前瞻性应对。结果，目前的HBM竞争表面上看似内存企业间的技术竞争，但背后是围绕设备供应链的结构性竞争。英伟达（设计）、三星电子和SK海力士（生产）的现有格局背后，ASML正在成为左右供应链整体的关键变量。钢铁部队的视线所在，半导体产业的竞争不再停留在性能竞争。围绕EUV获取的生产基础设施竞争正在重新布局市场。比芯片性能更重要的是生产速度和生产能力。最终，抢占设备的企业将掌握市场主导权。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

半导体光刻设备垄断企业ASML的EUV设备售罄，显示AI芯片竞争的瓶颈从性能转向生产基础设施。关键设备的获取成为市场竞争力的决定因素。据半导体行业16日消息，ASML在最近的季度财报中表示，其存储芯片客户的生产能力已售罄至2026年，供应限制可能持续到2027年。这被解读为AI芯片市场结构变化的信号。尽管英伟达和AMD等大公司对HBM的需求激增，但生产的关键因素已转向EUV设备的获取。目前，EUV设备几乎由ASML垄断供应。由于是先进工艺的必需设备，三星电子和SK海力士等存储公司若无法获得，将限制其生产能力的扩展。ASML表示，本季度51%的收入来自存储芯片，45%来自韩国客户。总收入约15万亿韩元中，约7万亿韩元来自韩国，反映出韩国存储企业的积极投资。业内人士认为，这一趋势正在根本改变存储竞争格局。过去以工艺微缩和良率提升为核心的性能竞争，现在转向以EUV设备获取为起点的竞争。没有EUV设备，进入先进工艺几乎不可能，设备获取的时间和数量直接影响生产能力。尤其在HBM需求激增的情况下，若EUV设备获取延迟，客户响应速度和交货竞争力将受到影响，设备的先占成为市场份额和业绩的关键因素。实际上，SK海力士上月从ASML订购了约12万亿韩元的EUV设备，计划到2027年分批引进。这被解读为不仅是设备投资，更是为应对未来AI芯片需求的生产能力战略。最终，HBM竞争的本质从高性能产品实现能力转向稳定供应大规模产量的生产能力。围绕EUV设备的竞争成为半导体行业的新战场。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。