SK海力士首席执行官（CEO）郭鲁正近日表示，受关税及整体不确定性等因素影响，预计今年下半年市场波动将进一步加剧。 据业界11日消息，郭鲁正日前在SK海力士利川园区出席“共同沟通活动”时，就公司未来业绩展望表示：“虽然今年及明年的市场走势仍难以预判，但目前为止公司业务基本按照既定计划稳步推进。希望全体员工齐心协力，完成年度目标。” SK海力士每季度定期举办由CEO亲自主持、倾听员工意见并说明经营方向的沟通活动。当天的活动通过公司内部网络向全国各业务网点同步直播。 目前，美国正积极推动涵盖多领域的互征关税政策。业界普遍认为，若半导体领域的分项关税最终落地，SK海力士也难以避免受到冲击。尽管公司整体业务目前仍运行在既定轨道内，但郭鲁正坦言，下半年市场整体不确定性或将有所加大。不过，公司方面仍对今年半导体市场整体行情保持谨慎乐观态度。 SK海力士全球销售营销（GSM）负责人李相洛（音）表示：“上半年市场表现良好，下半年同样无需过度悲观。我们的核心竞争力在于高带宽存储器（HBM）领域，传统DRAM产品也具备稳定的市场优势。” 目前，SK海力士正向人工智能（AI）领域龙头企业英伟达供应第五代高带宽存储器（HBM3E）产品，相关订单已于年内售罄。第六代HBM（HBM4）产品也已向英伟达等主要客户提供样品，预计将在今年下半年启动量产。 在HBM技术优势的带动下，SK海力士今年一季度时隔33年首次超越三星电子，跃居全球DRAM市场份额首位。全球市场调研机构Omdia发布的数据显示，SK海力士一季度DRAM市场份额为36.9%，三星电子则为34.4%。公司方面表示，未来仍将维持HBM核心制造设备——热压键合机（TC Bonder）的多元化采购策略。 与此同时，针对绩效奖金制度之一的超额利润分配金（PS）新标准制定问题，郭鲁正表示：“现行制度确实存在不够明确之处，今后将广泛听取各方意见，努力制定出更加合理透明的标准。”他还补充称：“若能通过类似大型讨论会的形式，公开包括财务在内的公司运营情况，有助于消除不必要的误解。” 据悉，PS奖金根据年度经营业绩每年发放一次，最高可达年薪的50%（即基本工资的1000%）。自2021年起，SK海力士将前一年度营业利润的10%作为奖金池，结合个人绩效发放PS奖金。去年，公司创下营业利润23.4673万亿韩元（约合人民币1230亿元）的历史新高，今年初已向员工发放了基本工资1500%的PS奖金及30股公司股票作为特别奖励。 然而，因工会方面主张应追加发放更高额度的特别绩效奖金，劳资双方一度在奖金分配问题上产生分歧。目前，工会正就加薪及PS超额分配等事项与公司持续进行协商。 SK海力士位于韩国利川市的M16工厂【图片来源 SK海力士】

本月8日至12日，IEEE VLSI 2025国际研讨会在日本京都举行，SK海力士在会上首次公布面向未来的DRAM（半导体存储器）技术中长期发展蓝图，对公司在存储芯片领域的技术创新战略进行系统阐述。 IEEE VLSI国际研讨会是半导体行业最具影响力的学术会议之一，聚焦集成电路设计、先进制程、人工智能（AI）芯片及先进封装等前沿技术，每年在美国和日本轮流举办。 10日，SK海力士首席技术官（CTO）车宣龙在会上发表《引领DRAM技术创新 迈向可持续未来》主旨演讲。他指出，当前微缩制程的技术路线已接近物理极限，公司正在加速推进结构创新与材料革新，重点布局4F² VG平台和3D DRAM两大技术方向。 4F² VG平台采用垂直栅极架构，可以大幅缩小DRAM单元尺寸，同时优化存储密度、运行速度与能效表现。结合晶圆键合技术，该平台有望在单位存储效率和电气性能上实现显著突破。如果成功商用，4F²架构或成为继当前主流的6F²单元后，DRAM领域的又一次重大技术迭代。 与此同时，SK海力士还把3D DRAM列为另一重点研发方向。堆叠结构面临制造成本攀升的挑战，公司表示计划通过提升良率推动商业化进程，确保技术落地兼具性能优势与经济效果。 车宣龙强调，行业普遍认为DRAM技术会在20纳米节点遭遇瓶颈，但SK海力士通过持续创新不断突破极限。此次技术蓝图的发布，既是对研发路径的前瞻规划，也为新一代工程师树立明确目标。未来公司还会继续深化产业协作，加速技术成果转化。 另外，研讨会闭幕日当天，负责下一代DRAM研发的SK海力士副社长朴柱东（音）计划出席研讨会并作专题报告，公布VG平台与晶圆键合技术的电学性能验证数据，进一步展现下一代DRAM的产业化潜力。 IEEE VLSI 2025上SK海力士首席技术官（CTO）车宣龙发表《引领DRAM技术创新 迈向可持续未来》主旨演讲【图片来源 SK海力士】

据SK海力士22日消息，公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb三阶储存单元（TLC）4D NAND闪存的移动终端解决方案产品UFS 4.1。 SK海力士方面表示，为了在移动设备上实现端侧人工智能（AI）的稳定运行，所搭载的NAND闪存解决方案产品必须兼具高性能与低功耗特性。通过这款对AI工作负载优化的UFS 4.1产品，公司计划进一步巩固在旗舰智能手机市场中的内存技术领导地位。 随着端侧AI的需求持续增长，终端设备的计算性能与电池效率之间的平衡日趋关键，超薄设计和低功耗性已成为移动设备的行业标准。 为顺应这一趋势，SK海力士此次开发的新品较上一代238层NAND闪存产品能效提升7%。与此同时，产品厚度从1mm成功减至0.85mm，能够适配超薄智能手机。 此外，该产品支持第四代UFS产品的顺序读取峰值，数据传输速率高达4300MB/s。决定移动设备多任务处理能力的随机读取和写入速度，相较上一代产品分别提升15%与40%，达到现有UFS 4.1产品中的全球领先水平。 这一方式能够实时提供端侧AI所需的数据，显著提升应用程序的运行效率与响应速度，从而有效增强用户的实际性能体验。UFS 4.1产品提供512GB和1TB两种容量规格，公司计划年内向客户交付样品进行验证流程，并在明年第一季度正式进入量产阶段。 SK海力士开发总管（CDO）安炫社长表示，以此次产品开发为契机，公司计划年内完成全球最高321层4D NAND闪存的消费级和数据中心级固态硬盘（SSD）产品开发工作。通过这一举措，公司计划在NAND闪存领域构建具备AI技术竞争力的产品组合，进一步巩固“AI存储器供应商”地位。 移动终端解决方案产品UFS 4.1【图片来源 SK海力士】

韩国SK集团会长崔泰源7日就SK电讯服务器遭黑客攻击、导致用户手机卡（USIM）信息泄露一事向国民致歉，并承诺将全力以赴解决相关问题。 崔泰源当天在位于首尔中区的SK电讯总部召开记者会时表示，近期SK电讯服务器遭遇黑客植入恶意软件攻击，事件给用户及国民带来了诸多不便，我谨代表SK集团对此表示诚挚歉意。 崔泰源还表示：“有些用户在百忙之中亲自前往营业厅长时间等待，遭遇了极大的不便。即便到现在，仍有不少人担心自身是否会受到影响。对此，我再次向所有受到影响的用户表示深深的歉意。” 崔泰源指出，事故发生后公司在与用户沟通方面存在诸多不足，我本人和公司高管都对此深刻反省，并将虚心接受用户、国会、政府机关等各方谴责。他表示，公司将设立专门机构调查事故原因，并研究切实可行的改进方案。他还向信任公司的2400万名USIM保护服务用户表示感谢，并承诺将为希望更换USIM卡的用户提供更为高效、便捷的支持。 SK电讯于上月18日发现公司服务器遭遇黑客恶意软件攻击，导致USIM卡相关用户信息泄露。对此，公司于上月28日正式启动了USIM卡免费更换服务。然而，由于库存严重不足，全国T world门店纷纷出现库存告罄、用户排长队等待的混乱局面。 为应对当前局面，公司已为所有用户自动开通“USIM保护服务”。截至本月6日，已有2411万人启用该服务，USIM卡更换用户累计达107万人。SK电讯方面表示，计划在5月底前追加采购约500万张USIM卡，并在6月继续准备500万张，以满足用户需求。 7日，在首尔中区SK电讯总部，SK集团会长崔泰源就SK电讯用户USIM卡信息被泄事件致歉。【摄影 记者 李雅贤】