韩国在加速发展下一代电力半导体产业的同时，台湾当局强调应持续扩大技术研发（R&D）预算。

根据6月18日《台湾联合报》等媒体的报道，台湾经济部提到，鉴于全球技术竞争日益激烈，台湾也需要扩大R&D投资，以保持产业竞争力。

此前，韩国副总理兼企划财政部长郭允哲在6月12日于首尔召开的紧急经济部长会议上介绍了“超创新经济项目”，并提出了下一代电力半导体的开发计划。郭副总理表示：“下一代电力半导体的商业化技术路线图将在6月完成，并将启动与需求企业相关的大型R&D计划。”

下一代电力半导体是利用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料，能够减少电力损耗和发热的半导体。这些半导体被认为是电动车、新能源、人工智能（AI）数据中心等未来战略产业的核心部件。

台湾经济部指出，韩国计划在下一代电力半导体的R&D中投入超过5000亿韩元，未来项目规模可能扩大到7500亿韩元。经济部对此表示，韩国政府的这一计划显示了其对半导体产业发展的强烈决心。

台湾经济部引用经济合作与发展组织（OECD）的统计数据指出，过去五年，台湾的整体R&D投资规模甚至不到竞争对手韩国的一半。与国内生产总值（GDP）相比，台湾的R&D支出占比也比韩国低约1个百分点，整体R&D规模更是远远落后于日本，显示出扩大科技投资的巨大潜力。

台湾经济部表示，政府正在持续扩大R&D资源的投入，并通过科技项目支持产学研合作，推动未来核心产业技术的发展。

今年，台湾经济部的科技项目预算为302亿新台币（约合1400亿韩元），较去年增长29%。其中，涉及工业技术R&D的企业支持预算为100亿新台币，同比增长53%。相关预算案正在立法院经济委员会审查中。

台湾经济部强调，长期的科技投资已转化为半导体竞争力。台积电（TSMC）也起源于台湾工业技术研究院（ITRI）的技术转移和衍生创业结构，最近还根据AI半导体的增长趋势，陆续成立了检测设备和知识产权（IP）相关的初创企业。

此外，ASML和美光等全球半导体企业在台湾设立了R&D中心和先进生产基地，NVIDIA等主要科技公司的研发基地也在不断引进。台湾经济部表示，这些成就表明R&D预算投资正在转化为产业竞争力，再次强调了扩大预算的必要性。

台湾总统赖清德此前也将今年定为台湾迈向“智能繁荣”的关键年，并表示将扩大在硅光子学、量子科学技术、机器人等核心技术的投资。



※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

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