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SK海力士首次公开'HBF'标准规格,全球首款375层NAND闪存亮相

金那胤 기자 2026-08-04 08:48
参加美国'FMS 2026',与闪迪合作六个月取得成果
SK海力士与闪迪共同发布下一代存储技术HBF的首个标准规格。
SK海力士与闪迪共同发布下一代存储技术HBF的首个标准规格。 [照片=SK海力士]


SK海力士于4日宣布,与闪迪共同发布了下一代存储技术HBF的首个标准规格。

SK海力士在美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举行的'FMS 2026'上,将HBF介绍为解决人工智能时代内存瓶颈的关键技术。

HBF是一种新的内存层,位于高带宽内存(HBM)和大容量存储设备(SSD)之间。它保持了与HBM相同的快速数据处理速度,同时基于NAND闪存大幅提升容量,被认为是解决人工智能(AI)数据激增导致速度下降的关键技术。

自今年2月成立联盟以来,经过约6个月的努力,首次取得成果。公开的规格实现了将NAND芯片堆叠为8层和16层,最大容量可达512GB。带宽(每秒数据传输量)最高可达3.0TB/s。

采用下一代连接标准UCIe,使其能够与图形处理器(GPU)和中央处理器(CPU)等多种半导体灵活连接。

通过全球最大的开放数据中心合作体OCP(开放计算项目)发布,未来将作为行业共同标准使用。目前,谷歌和Tenstorrent等公司已参与该联盟。

在FMS 2026的展览中,SK海力士还将展示多项下一代技术。解决方案开发部门副部长金千成与下一代产品规划负责人姜旭成将共同发表关于AI基础设施效率提升的主题演讲。

特别是,全球首次公开了电力效率提高2.5倍的第10代(V10)375层4D NAND晶圆及相关产品。SK海力士计划在明年初开始量产基于该NAND的企业级SSD(eSSD),以增强在AI内存市场的主导地位。

金千成副部长表示:“随着AI应用的快速普及,数据处理结构的全面重设计成为必要。”他强调:“通过HBF,我们将扩展内存与存储之间的界限,提出提升系统整体效率的新架构。”





※ 本报道经人工智能(AI)系统翻译与编辑。

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