【图片来源 韩联社】 一项调查显示，中国台湾半导体代工巨头台积电（TSMC）的2纳米工艺芯片已达到批量生产的成熟阶段，这一突破性进展预示着整个半导体产业链即将迎来深刻变革‌。 据业界26日消息，台积电在2纳米工艺芯片的生产上取得了显著成就，良率达60%。不仅彰显了台积电在高端芯片制造领域的卓越实力，更为其从今年年末启动批量生产奠定了坚实基础。良率作为衡量芯片生产质量的关键指标，直接影响芯片的成本控制与供应稳定性。反之，三星电子仍处于克服良率不佳问题，虽然整体工程速度较台积电缓慢，但趋于向好态势。 台积电相关负责人表示，公司当前良率已超出市场预期，2纳米工艺芯片的合计产能预计将达到月产量5万片，若能顺利过渡到第二阶段，台积电有望在2025年末提前实现月产量8万片的目标，这一时间点较原先预计的2026年大幅提前。而公司的长远目标是实现月产量超过10万片，以持续为客户提供最先进的芯片制造服务。 从技术层面来看，2纳米工艺相较于3纳米工艺实现了显著提升。在相同功耗下，2纳米工艺芯片的速度可提高10至15%；而在相同速度下，其功耗则可降低25至30%。这一技术上的飞跃使得台积电在高端芯片制造领域保持独占鳌头的地位。 同时，三星电子也计划于今年年末批量生产2纳米工艺芯片，但其生产良率目前仅为20至30%，远低于台积电。尽管如此，三星电子在2纳米工艺初期的良率相较于3纳米初期已有了显著改善，且正全力以赴以提高良率。三星电子半导体（DS）部门代工事业部长韩振万（音）强调：“为了大幅提升工艺良品率并优化耗电量、性能、面积（PPA），必须仔细探寻所有可能的优化条件。”这一努力已初见成效，近期三星电子4纳米工艺良率已从去年的70%大幅提升至80%。 业界正密切关注三星电子能否在2纳米工艺上采用全新的GAA（Gate-All-Around）晶体管架构。这一技术不同于传统的FinFET架构，这种技术能够在性能和功耗上实现显著提升。尽管此前三星电子在3纳米工艺上尝试使用GAA技术，但由于结构复杂性较大，投入巨额资金后良率仍不尽如人意。而台积电首次将GAA应用于2纳米工艺，并取得了超出预期的良率表现。若三星电子在今年内未能有效改善其2纳米工艺的良品率，预计将在客户争夺中处于不利地位。

三星集团面临的市场环境愈发严峻。18日下午发布的《股东大会目的事项记载事项》显示，电视、智能手机、DRAM、智能手机面板、汽车数字座舱等五大核心业务的市场占有率均呈下降趋势。 三星电视自2006年以来，已连续19年稳居全球市场第一。然而，2023年的市场占有率为30.1%，预计2024年降至28.3%。主要原因在于TCL等中国厂商推出大量低价电视产品，导致市场竞争加剧。 智能手机业务同样受到挑战。三星电子2022年全球市场份额为21.7%，但2024年下滑至18.6%（推测值）。尽管三星不断推出高端智能手机，但华为、小米、OPPO等中国厂商也相继进入折叠屏市场，对三星的领先地位构成威胁。三星方面表示，受AI智能手机需求增长带动，预计全球智能手机销量将从2024年的12.1亿部小幅增至2025年的12.3亿部。 半导体业务也面临挑战。DRAM市场份额自2022年的43.1%下降至2023年的42.2%，预测2024年继续降至41.3%。三星电子分析认为，主要竞争对手的追赶步伐加快，市场竞争日趋激烈。公司预计，存储市场方面，移动端和PC端的库存调整可能持续至2024年第一季度，而服务器市场的需求则受GPU供应情况影响，可能出现波动。 此外，三星智能手机面板的市场份额从2023年的50.1%降至2024年的41.3%。中国面板制造商京东方（BOE）向OPPO、Vivo等品牌供应面板，对三星市场份额造成冲击。 汽车数字座舱市场份额亦从2023年的16.5%下降至2024年的12.4%。主要原因在于全球汽车制造商加速供应链多元化，导致竞争格局发生变化。三星在该领域的主要对手包括LG电子、大陆集团（Continental）和松下（Panasonic）等。 面对市场份额下滑的压力，三星正加快布局高端市场，以维持竞争优势。 在半导体领域，公司决定减少通用型产品的供应，并加大对高价值产品的投入，例如高带宽存储（HBM）和DDR5等。与此同时，三星电子计划于今年下半年量产首批2nm工艺芯片。目前，该公司已开发出基于2nm工艺的Exynos芯片，并完成样品制作。2nm制程采用最新的“环绕栅极”（GAA）晶体管技术，以提升芯片性能和能效。 在电视业务方面，三星将聚焦98英寸Neo QLED 8K、OLED及高端生活方式电视，强化其在高端市场的竞争力。同时，在面板领域，三星计划拓展产品线，从智能手机面板延伸至IT设备、汽车和游戏显示器等新兴市场。 不过，三星内部普遍认为，在快速变化的半导体、显示面板和汽车电子行业，仅依靠价格和品质已难以维持竞争力。因此，公司管理层需要具备更强的战略决策能力，并加强组织管理，以应对当前挑战。 三星电子会长李在镕在2022年上任时曾在公司内部网发表题为《挑战未来》的就职演讲。他表示，未来的“三星精神”应是“将梦想和想象变成现实的企业”、“不断开创新世界的企业”，以及“以独有技术让人类社会更加富裕的企业”。李在镕强调：“在困难和挑战面前，我们更要提前布局、提升实力，当前正是需要更加果敢地迎难而上的时刻。” 图为三星江南“Galaxy Studio”以地铁为概念的数字立面全景。【图片来源 韩联社】

全球智能手机龙头三星电子在东南亚市场连续两个季度被中国手机厂商夺得榜首。市场分析人士指出，面对以低价手机为主的中国企业的积极扩张，三星电子正计划通过强化软件与服务、拓展未来潜在用户群来扩大销售渠道。 业内12日消息显示，市场研究机构Canalys数据表明，去年第四季度东南亚智能手机市场中，中国品牌传音以17%的市场份额首次登顶，紧随其后的是中国品牌OPPO和小米，均以16%的市场份额位列第二和第三。 在2023年初，三星电子曾凭借15%的市场份额在东南亚市场占据绝对领先地位，但随后被中国品牌抢占，排名滑落至第四位。紧随三星之后的是中国品牌vivo（14%），而苹果和真我（realme）的市场份额则各仅为9%。 传音作为一家在非洲和东南亚市场主要销售10万至20万韩元（约合人民币503元至1005元）区间智能手机的中国低端手机制造商，其榜首地位得益于在印度尼西亚和菲律宾推出的新产品表现出色。 三星电子自2022年第四季度以来，一直在东南亚市场保持领先优势，但随着OPPO、小米、传音等中国品牌凭借低价机型的迅速崛起，三星的市场地位受到严峻挑战。结果，去年第二季度仅以微弱劣势紧追三星的OPPO，在同年第三季度成功超越三星，夺得市场第一。 数据显示，去年东南亚智能手机出货量同比增长11%，达到9670万部，其中OPPO以1690万部和18%的市场份额位居首位；三星以1660万部出货量和17%的市场份额位列第二，而传音和小米则各以16%的市场份额并列第三。 Canalys表示：“东南亚市场智能手机厂商排名频繁重组，表明单纯依靠销售规模已不足以衡量品牌的市场地位。从长远来看，能够将业务拓展至软件与服务等领域的企业将占据更有利的位置。”同时，分析人士指出，三星近期在该市场通过整合推出Galaxy Tab S或A系列与Galaxy软件产品，为学生和教师提供支持，这一策略被认为是在为未来智能手机销售机会奠定基础。 另一方面，市场调研机构“对位研究”（Counterpoint Research）的Market Monitor数据显示，尽管去年三星电子的全球出货量略有下降，但依然稳居全球第一。同时，由于平均售价（ASP）的提升，三星的销售额较前两年增长了2%。对位研究解释称，去年推出的Galaxy S24表现优异，带动了整体ASP的上升。 据悉，三星电子计划在今年第一季度通过扩大搭载Galaxy AI功能的新款Galaxy S25等高端产品的销售，进一步提升其移动体验业务部（MX）的业绩。 马来西亚吉隆坡地铁内贴满了Galaxy S24和Galaxy AI的广告。【图片来源 三星电子】

近日，在三星集团旗下第一毛织与三星物产两家公司合并案及非法继承案的二审中，法院宣判三星电子会长李在镕无罪。耗时长达十年，李在镕终于成功摆脱司法纠葛，可以全身心投入企业经营。然而，从产业竞争的角度来看，李在镕目前依旧面临诸多亟待解决的难题，高带宽存储器（HBM）、10纳米级第六代（1c）DRAM、传统产品减产以及晶圆代工等领域任务繁重。 3日下午，在首尔高等法院，三星电子会长李在镕在不当合并与会计造假案二审中接受无罪宣判后走出法院。【图片来源 韩联社】 早在去年10月三星电子发布第三季度财报当天，《首尔经济》就报道称，三星HBM已经用于英伟达的A100等低端人工智能（AI）GPU。当时，三星HBM处于“风险量产（Risk Production）”阶段，但已经满足准量产供应标准。后续由于未能完全满足英伟达的要求，供应未能进一步扩大。 业内普遍认为，一旦进入风险量产阶段，就可以看作通过质量认证。因此，在去年第三季度业绩发表中，三星电子暗示HBM3E认证取得重要进展，并预计第四季度HBM3E销量还会扩大。目前来看，三星HBM3E 8层产品依旧面临技术和市场挑战，而SK海力士的HBM3E 12层产品已经通过认证，也难以打入英伟达供应链。 在今年1月的去年第四季度业绩发表中，三星表示即将推出“改进版HBM3E”以实现突破。三星电子副社长金宰俊表示，计划今年第一季度末向部分客户供应HBM3E改进产品，并在第二季度开始大规模供应。由此可见，三星正在重新设计HBM架构，并改进生产工艺中的关键材料和设备。今年行业趋势聚焦12层HBM，因此三星也有可能把更多资源集中在该产品上。 三星电子平泽工厂全景【图片来源 三星电子】 三星电子正在开发的1c DRAM原计划于今年5月获得量产批准，但最新消息显示，开发过程中进行大幅架构调整导致进度有所放缓，该目标或推迟至今年下半年。1c DRAM对于三星来说意义重大，竞争对手SK海力士已在去年完成1c DRAM开发并启动量产，而作为全球DRAM市场龙头的三星，产品推进速度稍显落后。 此外，DRAM芯片的开发进度与HBM业务息息相关。预计年底量产的HBM4计划首次采用1c DRAM。因此，相较封装方式，HBM的核心性能更取决于单颗DRAM芯片的质量。1c DRAM性能必须达到预期，才能确保封装后的整体芯片表现。 目前，IT设备需求复苏缓慢，存储芯片市场依旧低迷。三星在业绩发表中表示，标准产品价格出现下滑，今年第一季度DRAM销量预计会减少5%以上。与此同时，长鑫存储（CXMT）等中国存储芯片企业正在加大低价产品攻势。部分证券机构预测，HBM和通用存储业务面临困境，三星设备解决方案（DS）部门第一季度可能出现亏损。 为应对挑战，三星计划提高高端DRAM的生产比例，以避开低价竞争并提高利润。据市场调研机构集邦咨询（TrendForce）去年12月发布的报告，三星正在加快先进制程转换，今年第一季度DRAM晶圆投片量预计从去年第四季度的68万片减少到66万片，10纳米级第五代（1b）DRAM的生产比例预计从去年年底的7%提升至今年的31%。 与此同时，传统DRAM产品比例即将大幅下降。去年占比最高的10纳米级第三代（1z）产品逐渐退出市场主导地位，而第二代（1y）产品的市场份额也会降至个位数。在NAND闪存领域，三星计划减少传统产品产量，第一季度加速转向V8（236层）、V9（286层）NAND产品，并扩大大容量QLC产品销售。 晶圆代工业务方面客户订单减少，三星今年的投资策略则更为保守。三星去年在晶圆代工业务上的资本支出约为10万亿韩元（约合人民币503亿元），而今年预计大幅缩减至5万亿韩元。三星计划在今年上半年完成2纳米制程投资，但在3纳米及以下制程上并无产能扩张计划。去年第四季度业绩发表中，三星更新2纳米制程规划，第一代2纳米计划在2025年量产，第二代在2026年量产，目前已经启动客户芯片设计。 从左至右依次为三星电子会长李在镕、OpenAI首席执行官（CEO）萨姆·奥尔特曼（Sam Altman）和软银集团总裁孙正义。【图片来源 韩联社】 整体来看，三星半导体业务面临严峻挑战，但李在镕的司法风险解除，得以全面推进经营战略。二审宣判无罪的次日，李在镕立刻在三星瑞草总部接待OpenAI首席执行官（CEO）萨姆·奥尔特曼（Sam Altman）和软银集团总裁孙正义，展现掌门人的影响力。 这场会晤不仅暗示三星可能参与投资总额高达5000亿美元的AI项目“星际之门”，同时在HBM、高端DRAM和晶圆代工领域可能迎来扭转颓势的契机。在与全球顶级科技企业建立紧密合作的同时，李在镕能否通过稳健的组织管理，解决三星半导体当前面临的技术与订单挑战，值得持续关注。