特斯拉首席执行官埃隆·马斯克在本月进行的第三季度财报会议上，突然宣布继AI6芯片之后，把AI5芯片的生产也交给三星电子。由此可见，特斯拉正式打破对台积电（TSMC）的单一依赖，转向与三星电子构建更加紧密的合作体系。这一“芯片转向”，不仅是特斯拉AI战略版图的关键转折，更有望为陷入长期亏损的三星代工业务注入新的动力。 特斯拉自研的AI4、AI5、AI6系列芯片，是自动驾驶核心算法的“心脏”，用于实现完全自动驾驶（FSD）功能。与英伟达或苹果不同，特斯拉并没有自己的半导体生产线，而是采取“设计自研、生产外包”的模式。 此前，AI4芯片由三星电子代工，AI5则转交台积电生产。今年7月，三星电子宣布与特斯拉签署高达22.76万亿韩元（约合165亿美元）的AI芯片供应合同，成为三星半导体部门史上最大金额单一客户订单。 现在AI6芯片的生产再次回归三星，也象征双方合作进入“战略联盟”阶段。马斯克在财报会议上明确表示：“三星和台积电都会参与AI5的生产工作。”业内人士分析，可见两家晶圆代工巨头会在特斯拉的下一代AI芯片产线上展开新一轮竞合。 三星电子计划在美国德克萨斯州泰勒新建的晶圆工厂量产AI6芯片，并采用2纳米先进制程工艺。该工厂预计2026年正式投产。目前，AI4尚在平泽工厂生产，而AI5则由台积电在美国采用N3AE（3纳米）工艺代工。业内推测，三星也会以同等甚至更高水平的工艺竞争台积电的高端市场。 三星电子会长李在镕自2019年提出“系统半导体愿景2030”，计划投资133万亿韩元，在2030年前成为系统半导体全球第一。此次与特斯拉的超级订单，无疑成为验证这一愿景的重要里程碑。业内普遍认为，三星能够重新夺回特斯拉芯片订单，马斯克与李在镕之间的“私人友谊”起到关键作用。 2023年5月，在位于美国硅谷的三星电子北美半导体研究所，三星电子会长李在镕（左三）与特斯拉首席执行官（CEO）埃隆·马斯克（正中）见面并合影留念。【图片来源 三星电子】 两人自2023年起建立直接联系，经常通过视频会议讨论合作方案。今年7月，马斯克在X（推特）上公开赞扬三星在德州的大规模投资，并称：“这一战略合作的重要程度怎么强调都不为过。”这种高层之间的信任，正在逐渐转为企业层面的长期合作。 市场调研机构Counterpoint Research的数据显示，今年第二季度台积电在全球晶圆代工市场的份额高达71%，较去年同期增长6个百分点，依旧遥遥领先。相比之下，三星电子排名第二，份额仅为8%。随着AI、自动驾驶、HPC（高性能计算）需求暴涨，客户开始寻求供应链多元化来分散风险，特斯拉的举措正是这种趋势的典型体现。 行业的目光聚焦到特斯拉的同时，还延伸到即将登场的另一主角英伟达（NVIDIA）。三星电子会长李在镕与英伟达首席执行官黄仁勋在本月底举行的庆州APEC峰会期间会面，双方可能围绕高带宽存储器（HBM）和AI芯片生态展开进一步合作。 目前，三星已进入向英伟达供应HBM3E 12层产品的倒计时阶段，HBM4研发也在顺利推进。KB证券研究员分析称，如果与特斯拉与和英伟达的合作持续扩大，则会强化全球客户对三星技术的信任，三星或成为未来HBM4供应链重组的最大受益者。 三星电子今年第三季度初步业绩显示，营业利润达12.1万亿韩元，其中半导体部门的复苏功不可没。晶圆代工业务尚处于数万亿韩元级别的亏损状态，但与特斯拉、英伟达的连环合作，无疑为三星的“非存储转型”打开新的突破口。 在AI与自动驾驶的浪潮之下，芯片已经成为决定未来竞争优势的“燃料”。特斯拉、三星、台积电、英伟达四家企业之间的博弈与合作，正在悄然重塑全球半导体版图。AI5、AI6芯片的生产归属，不过是这场“芯片战争”的序幕。 2025年8月，在美国华盛顿举行的韩美商务圆桌会议上，三星电子会长李在镕（左）、英伟达首席执行官（CEO）黄仁勋（中）和SK集团会长崔泰源会面。【图片来源 韩联社】

近来人工智能（AI）“泡沫”担忧频现，但AI应用需求依旧在快速增长。市场调研机构Counterpoint Research本月28日预测，截至2030年全球半导体市场规模或达1.228万亿美元，较2024年（6560亿美元）扩大近一倍，三星电子和SK海力士等AI存储器供应商有望受益。 Counterpoint指出，半导体市场增长的主要原因在于，AI应用的快速扩张带动高端AI服务器基础设施开发，需求主要来自亚马逊、谷歌、微软、Meta四大超大规模云服务商。今年第二季度上述四大企业资本支出高达882亿美元，主要用于采购AI数据中心GPU。 在此情况下，服务器用半导体市场预计从去年的1530亿美元增至2030年的4640亿美元，增幅超过三倍。同期，智能手机用半导体或增至2590亿美元，汽车用增至1060亿美元，PC用则增至1040亿美元。 Counterpoint副总裁Neil Shah表示，面向具备自主决策能力AI的文本单元生成量呈指数增长，推动云端与端侧的算力和存储需求。他预言下一波趋势是“物理AI”，即人形机器人与自动驾驶汽车的出现。 这一观点对冲AI泡沫论。所谓泡沫，是指投资无法转为收益，最终导致资金回收困难与股价暴跌。AI最大受益企业英伟达股价三年间已涨超700%，市值突破4万亿美元，同时加剧泡沫争议。麻省理工学院本月发布的报告显示，企业在生成式AI上的投资已达300亿至400亿美元，但95%未见成效。 Counterpoint研究总监Mohit Agrawal则认为，价值创造机会明确，AI能够通过提升生产力与自动化显著降低运营成本，有助缓解泡沫担忧。国际数据公司（IDC）也预测，截至2029年AI支出以年均31.9%速度增长，2029年规模达1.3万亿美元。 AI投资的持续扩张推动AI芯片需求。三星电子与SK海力士正在积极布局HBM、高速互联CXL及存内计算（PIM）等产品。业内人士表示，激烈的竞争可能压缩单品利润，但市场规模扩张足以支撑整体盈利稳健增长。 【图片来源 ChatGPT】

美国特朗普政府正在着手重新审查对半导体企业发放的补贴，但全球半导体企业依旧纷纷宣布扩大在美投资计划，导致三星电子和SK海力士等韩国半导体企业面临更大压力。如果在缺乏补贴的情况下也需要增加投资，韩国企业则必须全面调整全球生产战略，引发业内担忧。 美国半导体企业美光科技（Micron）当地时间12日宣布，计划扩大美国本土投资至2000亿美元，较去年拜登政府时期公布的1250亿美元计划增加60%。这一声明发表正值特朗普多次公开表示，不依赖政府补贴，仅通过关税施压即可促使全球半导体企业加大在美投资。 今年3月初，中国台湾晶圆代工企业台积电（TSMC）宣布计划追加1000亿美元的在美投资后，全球半导体企业之间逐渐出现一波“亲特朗普”趋势。 美国商务部在美光发布扩张计划后随即宣布提供最高2.75亿美元的补贴，但市场普遍认为这笔资金是对去年12月与拜登政府达成初步协议的最终确认，因此不能看作新增补贴。 有分析指出，特朗普政府可能会以此次美光的投资声明为契机，正式启动对《芯片法案》补贴条款的重新协商。主管《芯片法案》补贴的美国商务部部长霍华德·卢特尼克（Howard Lutnick）本月4日在国会听证会上表示：“部分芯片补贴似乎过于慷慨”，并透露正在与部分企业重新协商补贴条款。 如果特朗普政府在不增加补贴的情况下持续施压企业加大投资，三星电子和SK海力士的负担则会大幅加重，甚至可能需要调整全球生产战略。 三星电子在拜登政府期间宣布，计划投资超过370亿美元，截至2026年在得克萨斯州泰勒市新建半导体代工厂，并在去年12月与美国商务部正式签署协议，获得47.45亿美元补贴。SK海力士则计划截至2028年在印第安纳州西拉斐特建造一座人工智能（AI）存储半导体封装工厂，并在上月与美方签订协议，获得最多4.58亿美元直接补贴和5亿美元贷款。 美国总统唐纳德·特朗普【图片来源 韩联社】

三星电子去年对于半导体良率不佳采取的更换部门总管这一“强硬手段”初见成效，在最近的下一代DRAM良率测试中取得令人满意的成果。DRAM的性能直接关系到高带宽存储器（HBM）的市场竞争能力，因此外界对于三星半导体实现超越并恢复领先的期待也随之升温。 据电子行业30日消息，三星电子本月在10纳米级第六代DRAM晶圆的性能实验中实现50%以上良率。也就是说，从一片晶圆中生产出的1000多颗DRAM芯片中，一半以上达到性能标准。业内普遍认为，40%左右的良率即可满足量产要求，而三星此次的成果远超这一标准。考虑到去年相同产品的良率未达30%，此次提升可谓显著。 三星实现突破的关键在于芯片设计。为了提高芯片运行效率，研发团队试图采用多种新型结构。实际上，设计变更并非易事，不仅需要承认过去设计的不足，还可能在此过程中与竞争对手拉开技术差距，同时需要投入大量资金。三星原计划去年底量产10纳米级第六代DRAM，但如果改变设计，计划可能延后一年以上，因此风险极高。 去年5月回归设备解决方案（DS）部门的副会长全永铉判断，唯有修改设计才能恢复核心竞争能力。一年之后，当初的决定正在逐步显现成效。三星电子目前以年内量产为目标，继续推进第六代DRAM的后续测试。业内人士表示，为确认是否已经具备可以立即销售的稳定性能，还需要通过更加严格的测试。 随着下一代DRAM开发进展顺利，市场对HBM的期待也在升温。HBM芯片由多层DRAM堆叠而成。三星此前在第五代HBM（HBM3E）上遭SK海力士超越，因此正在计划以全球首款10纳米级第六代DRAM为基础，在年内实现第六代HBM（HBM4）量产，力争逆转颓势。要想按照计划推出产品，10纳米级第六代DRAM的技术水平至关重要。 为了配合下一代DRAM与HBM4的生产，三星还计划下半年起以平泽四厂为主扩充最先进的半导体生产设备。此外，三星还正在推进华城工厂DRAM 17产线工艺转换，旨在通过大幅设备投资来提升成本竞争能力。 为弥补在第六代产品上败给竞争对手的失误，三星还在同步推进10纳米级第七代DRAM的开发。据悉，三星已在平泽二厂建立第七代DRAM试验产线，并在研发阶段成功制出运作样品（working sample）。三星的策略是通过调整DRAM元件长度降低开发难度并加快量产进度。 SK海力士已经领先完成10纳米级第六代DRAM的开发，但如果三星能在第七代DRAM开发中实现反超，则有望摆脱“半导体危机论”，以此重新夺回DRAM市场份额第一的宝座。业内人士透露，三星的目标是最早在明年下半年开始第七代DRAM的量产。 三星电子平泽工厂全景【图片来源 三星电子】