韩国半导体巨头SK海力士正在无锡、重庆和大连三地运营核心生产基地，持续强化其在全球和中国市场的影响力。 据电子业界近日消息，目前SK海力士整体DRAM和NAND闪存产量中约40%来自中国，这一比例凸显了公司加快推进“本地化战略”的成果。 根据SK海力士最新发布的半年度报告，今年上半年公司在华主要关联企业及合资企业的销售总额达5770.3亿韩元（约合人民币28.6亿元），同比大幅增长62.4%。业内人士认为，SK海力士的中国业务已从单纯的生产基地转变为兼具盈利性与成长性的战略核心。 SK海力士无锡工厂自2006年投产以来，承担公司相当比重的DRAM产量，是基于先进微细工艺的主力生产基地，在全球存储芯片供应链稳定中发挥关键作用。值得一提的是，该工厂还积极参与公益事业，曾获“中华慈善奖”。 重庆工厂自2014年起运营封装测试生产线，负责半导体制造的收尾阶段，为SK海力士在华生产体系补上“最后一环”。该工厂以高品质封装技术提升移动及服务器用存储芯片的供应稳定性。 大连工厂源于SK海力士2021年以约90亿美元收购英特尔NAND业务而来，目前主要生产下一代NAND闪存及基于QLC（四层单元，Quad-Level Cell）架构的大容量存储产品，为数据中心提供高性能解决方案。 业内人士指出，SK海力士能在中国建立稳定生产体系，原因不仅在于生产效率，更在于其牢固的客户基础。包括苹果在内的多家中国主流智能手机制造商，都是SK海力士的重要合作伙伴。 SK海力士无锡工厂内景【图片提供 SK海力士】

本月8日至12日，IEEE VLSI 2025国际研讨会在日本京都举行，SK海力士在会上首次公布面向未来的DRAM（半导体存储器）技术中长期发展蓝图，对公司在存储芯片领域的技术创新战略进行系统阐述。 IEEE VLSI国际研讨会是半导体行业最具影响力的学术会议之一，聚焦集成电路设计、先进制程、人工智能（AI）芯片及先进封装等前沿技术，每年在美国和日本轮流举办。 10日，SK海力士首席技术官（CTO）车宣龙在会上发表《引领DRAM技术创新 迈向可持续未来》主旨演讲。他指出，当前微缩制程的技术路线已接近物理极限，公司正在加速推进结构创新与材料革新，重点布局4F² VG平台和3D DRAM两大技术方向。 4F² VG平台采用垂直栅极架构，可以大幅缩小DRAM单元尺寸，同时优化存储密度、运行速度与能效表现。结合晶圆键合技术，该平台有望在单位存储效率和电气性能上实现显著突破。如果成功商用，4F²架构或成为继当前主流的6F²单元后，DRAM领域的又一次重大技术迭代。 与此同时，SK海力士还把3D DRAM列为另一重点研发方向。堆叠结构面临制造成本攀升的挑战，公司表示计划通过提升良率推动商业化进程，确保技术落地兼具性能优势与经济效果。 车宣龙强调，行业普遍认为DRAM技术会在20纳米节点遭遇瓶颈，但SK海力士通过持续创新不断突破极限。此次技术蓝图的发布，既是对研发路径的前瞻规划，也为新一代工程师树立明确目标。未来公司还会继续深化产业协作，加速技术成果转化。 另外，研讨会闭幕日当天，负责下一代DRAM研发的SK海力士副社长朴柱东（音）计划出席研讨会并作专题报告，公布VG平台与晶圆键合技术的电学性能验证数据，进一步展现下一代DRAM的产业化潜力。 IEEE VLSI 2025上SK海力士首席技术官（CTO）车宣龙发表《引领DRAM技术创新 迈向可持续未来》主旨演讲【图片来源 SK海力士】

据SK海力士22日消息，公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb三阶储存单元（TLC）4D NAND闪存的移动终端解决方案产品UFS 4.1。 SK海力士方面表示，为了在移动设备上实现端侧人工智能（AI）的稳定运行，所搭载的NAND闪存解决方案产品必须兼具高性能与低功耗特性。通过这款对AI工作负载优化的UFS 4.1产品，公司计划进一步巩固在旗舰智能手机市场中的内存技术领导地位。 随着端侧AI的需求持续增长，终端设备的计算性能与电池效率之间的平衡日趋关键，超薄设计和低功耗性已成为移动设备的行业标准。 为顺应这一趋势，SK海力士此次开发的新品较上一代238层NAND闪存产品能效提升7%。与此同时，产品厚度从1mm成功减至0.85mm，能够适配超薄智能手机。 此外，该产品支持第四代UFS产品的顺序读取峰值，数据传输速率高达4300MB/s。决定移动设备多任务处理能力的随机读取和写入速度，相较上一代产品分别提升15%与40%，达到现有UFS 4.1产品中的全球领先水平。 这一方式能够实时提供端侧AI所需的数据，显著提升应用程序的运行效率与响应速度，从而有效增强用户的实际性能体验。UFS 4.1产品提供512GB和1TB两种容量规格，公司计划年内向客户交付样品进行验证流程，并在明年第一季度正式进入量产阶段。 SK海力士开发总管（CDO）安炫社长表示，以此次产品开发为契机，公司计划年内完成全球最高321层4D NAND闪存的消费级和数据中心级固态硬盘（SSD）产品开发工作。通过这一举措，公司计划在NAND闪存领域构建具备AI技术竞争力的产品组合，进一步巩固“AI存储器供应商”地位。 移动终端解决方案产品UFS 4.1【图片来源 SK海力士】

在以旧换新政策拉动下，三星电子和SK海力士去年在华销售额惊喜翻番。 三星电子12日公开的业务报告显示，去年主要地区销售额中，对华出口为64.9275万亿韩元（约合人民币3240亿元），同比大幅增长53.9%。 业务报告中未对负责移动、家电的DX（设备体验）部门和负责半导体的DS（设备解决方案）部门进行单独统计，但据悉对华出口产品中半导体占大部分。仅从出口额来看，去年对华出口额略高于对美国出口额（61.3533万亿韩元）。 三星中国销售和生产法人的业绩也有所改善，根据审计报告，三星电子在西安运营的NAND闪存生产法人三星中国半导体（SCS）西安工厂去年销售额和营业利润分别为11.1802万亿韩元和1.1954万亿韩元，与2023年相比业界显著改善。销售法人上海三星半导体（SSS）去年销售额为30.0684万亿韩元，同比增长近一倍。 业界认为，这一增长势头主要得益于中国的经济刺激政策 。为提振内需经济，中国去年投入1500亿元人民币支持消费品以旧换新，推动此前低迷的移动产品需求复苏，带动半导体需求也随之增长。 三星电子在中国销售和出口的半导体包括LPDDR、NAND、图像传感器、显示驱动芯片（DDI）等移动产品，以及HBM2、HBM2E等部分高带宽存储器（HBM）。 SK海力士去年在中国的成绩也可圈可点。SK海力士目前在无锡运营DRAM工厂，在重庆运营封装工厂，在大连运营从英特尔手中收购的NAND工厂，根据公司审计报告，半导体生产法人SK海力士半导体中国（无锡工厂）去年实现了5.6127万亿韩元的销售额，创营业利润5985亿韩元，与2023年相比营业利润“狂飙”7454亿韩元。 此外，在中国负责DRAM和NAND销售的SK海力士（无锡）半导体销售去年销售额和净利润分别为13.0104万亿韩元和1432亿韩元，同比分别增长64.3%和65.4%。 SK海力士主要向科技企业聚集的美国集中销售HBM等服务器和人工智能（AI）用产品，在中国主要销售LPDDR、NAND等移动产品。截至去年第三季度，SK海力士海内外销售总规模中，美国占比58.8%，中国占比27.5%。 三星电子中国西安半导体工厂 【图片提供 韩联社】