中国创信内存科技（CXMT）已成为全球DRAM市场的第四大企业，市场份额约为8%。该公司在2023年第一季度的收入较去年增长了719%。2025年，创信内存科技实现了自成立以来的首次盈利，目前正计划通过在上海证券市场上市筹集数百亿资金。公司表示，已开始量产服务器用的DDR5和移动设备用的LPDDR5X，同时以市场价的一半出售旧款DDR4。几年前，该公司还被称为“差距五年”。半导体行业是一个难以追赶的领域，因为微细工艺的成功往往依赖于失败的经验积累。要掌握在哪个步骤上出现缺陷、在什么条件下良率曲线下滑，必须经过数千次的试验和错误。虽然可以购买设备，但无法购买操作这些设备的条件。韩国内存产业在过去30年中所建立的进入壁垒，正是这种时间的积累。因此，当后发企业的进度突然加快时，技术泄露往往被视为根本原因。当然，不能仅仅将中国的追赶归因于一次泄露。国家补贴、庞大的内需市场以及能够承受亏损的资本共同作用。然而，如果学习曲线异常缩短，自然会让人怀疑是否有人提供了跳过这一曲线的资料。实际上，这种事件屡见不鲜。曾因涉嫌将三星电子18纳米DRAM工艺信息泄露给CXMT而被判处6年4个月监禁和200万元罚款的前高管，最近在重审中被判刑。另一名曾在SK海力士工作并转至华为子公司的前员工，因涉嫌打印工艺资料而在上诉中被判处5年监禁和30万元罚款。业界普遍认为，5至6年的刑期无法有效遏制诱因。中国企业向核心人才提供数倍于现有薪水的待遇。完成合同后，即使在国内工作20年也难以获得的资产将留给他们。即使被韩国法律制裁，他们也可能会计算出服刑后仍能获利的可能性。值得注意的是，以上两起案件都因《产业技术保护法》和《反不正当竞争法》的修订而使得一审的刑罚加重。对罪行的界定标准也不够明确。虽然根据泄露文件的数量、资料的市场价值以及泄露者所获得的报酬来计算损失，但真正重要的并不是文件的数量，而是缩小技术差距所需的时间。产业技术泄露并不是个人因背叛公司而引发的离职争议，而是国家花费数十年时间、税收和人力积累的资产被转移到竞争国，个人从中获利的行为。因此，惩罚机制也应与此性质相符。在量刑标准中，应将国家核心技术的海外泄露作为独立的加重因素，并将损失计算标准从泄露者所获得的报酬转移到重新获取技术所需的时间和成本上。只有真正执行犯罪收益的没收和追缴，才能避免“服刑后仍有利可图”的计算。对中介人和介绍组织的单独惩罚，以及对通过海外法人和合作伙伴进行的间接泄露的监控也应同步进行。技术泄露的代价是致命的。已有评估认为，通用DRAM市场的份额已相当大程度上被让出。在中国企业以半价出售DDR4并进入DDR5量产阶段的市场中，韩国企业不得不面临市场份额下降的局面。剩下的防线是高带宽内存（HBM）及其后的先进AI半导体。即使是CXMT也承认在HBM领域与韩国企业存在2至4年的差距。这种差距可能会因几份资料而消失。HBM技术涉及DRAM核心、基底芯片、堆叠和封装、热设计等多个方面。虽然可以推测出各个工艺，但同时掌握这些条件只能通过经验获得。目前正处于向定制HBM和先进封装过渡的阶段，正是泄露最为脆弱的时刻。已经泄露的技术无法通过任何判决恢复。半导体的超越差距在于如何快速生产，而不是如何保持现有的2至4年优势。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子今年第一季度进一步拉开与SK海力士的差距，继续稳居全球DRAM市场首位；SK海力士则凭借高带宽存储器（HBM）产品，以接近六成的市场份额继续领跑全球HBM市场。 据市场调研机构Counterpoint Research25日发布的数据，按今年第一季度销售额计算，三星电子以38%的市场份额位居全球DRAM市场第一，SK海力士和美光分别以29%和22%的市场份额位列第二、第三。 去年第一、第二季度，SK海力士曾超越三星电子排名第一；第三季度双方市场份额均为33%，并列第一。自去年第四季度起，三星电子重新夺回领先地位，并已连续两个季度保持第一，与SK海力士的市场份额差距也由去年第四季度的4个百分点扩大至今年第一季度的9个百分点。 与此同时，中国长鑫存储（CXMT）市场份额由去年的3%大幅提升至8%。 受市场需求回暖带动，今年第一季度全球DRAM市场销售额环比增长80%，同比增长260%。 HBM市场方面，SK海力士以58%的市场份额继续保持领先，三星电子和美光均为21%，并列第二。尽管较去年同期的69%有所回落，但SK海力士仍占据超过一半的市场份额。 Counterpoint Research表示，三星电子已首次向英伟达供应HBM4产品，预计随着HBM4下半年逐步放量，其市场份额有望进一步提升。 NAND闪存市场方面，三星电子以29%的市场份额继续位居第一，SK海力士、铠侠分别为18%和14%，美光、闪迪及长江存储均为13%。 Counterpoint Research指出，长江存储（YMTC）去年同期市场份额仅为8%，今年已升至13%，主要受益于存储器供应趋紧及价格上涨。 【图片来源 韩联社】

在首尔江南区COEX举行的‘半导体展(SEDEX) 2025’上，三星电子展台展示了第六代高带宽存储器HBM4和HBM3E的实物。 三星电子在去年第四季度重夺全球DRAM市场第一，时隔一年重新超越SK海力士。 根据市场调查机构Omdia的数据，去年第四季度全球DRAM市场总收入为524.07亿美元，比第三季度增加约120亿美元。 三星电子的DRAM收入增长40.6%，达到191.56亿美元，市场份额为36.6%。SK海力士的收入增长25.2%至172.26亿美元，但市场份额从34.1%降至32.9%，位居第二。 这是自2024年第四季度以来，三星电子首次在全球DRAM市场上重回第一。2024年第四季度，三星电子曾在自1992年以来首次跌至第二。 三星电子的业绩提升主要得益于其强大的生产能力和DRAM销售的增加。同一时期，美国美光的市场份额从25.8%降至22.9%，而中国长鑫存储的份额则从3.7%升至4.7%。 ※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

【图片来源 韩联社】 一项调查显示，SK海力士今年第三季度在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场持续保持首位，市场份额达33.2%，然而，与紧随其后的三星电子之间的差距出现显著收窄。 市场研究机构集邦咨询（TrendForce）于27日公布的数据显示，SK海力士第三季度DRAM销售额为137.5亿美元，较上一季度（122.29亿美元）增长12.4%。尽管如此，市场份额较上季度的38.7%下滑至33.2%，下降5.5个百分点。尽管SK海力士在第二季度仍保持明显的领先优势，但进入第三季度后，与主要竞争对手的差距迅速缩小。 三星电子以135亿美元的DRAM销售额位列第二，较上一季度的103.5亿美元大幅增长30.4%。然而，同期市场份额由32.7%微降至32.6%。两大韩国厂商之间的市场份额差距，从第二季度的6个百分点缩减至第三季度的0.6个百分点。 在韩国企业整体市场份额出现回落的同时，排名第三的美国美光（Micron）展现出强劲增长态势。美光第三季度DRAM销售额达106.5亿美元，较上一季度的69.5亿美元激增53.2%，市场份额也从22%提升至25.7%，增加3.7个百分点。此外，中国台湾南亚科技的市场份额亦从1.1%上升至1.5%。集邦咨询分析指出，当前存储企业之间的竞争格局正加速加剧。 同时，第三季度全球DRAM整体市场规模攀升至414亿美元，环比增长30.9%。集邦咨询预测，第四季度通用型DRAM价格预计将较上一季度上涨45%至50%，包括高带宽内存（HBM）在内的整体DRAM价格涨幅可能达到50%至55%。